応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
特別研究会 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」
第8回研究会研究報告プログラム


論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2003年1月24日(金)

10:30-11:20 ◎
title Understanding Atomic Layer Deposited HfO2 as a Gate Dielectric: Theory of Growth, and Scaling
author(s) M. L. Green, M. A. Alam, G. D. Wilk (Agere Systems), M. -Y. Ho (National University of Singapore)
11:20-12:10 ◎
題名 50nm以下の領域へのＣＭＯＳのスケーリングとそのための必要プロセス技術
著者 岩井 洋 (東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター)
title CMOS Scaling towards Sub-50nm and Required Process Technologies
author(s) Hiroshi Iwai (Tokyo Inst. Technol.)
昼食
13:00-13:35 ○
題名 90nmノードの低待機時消費電力用途(Low Standby Power)HfO2ゲート絶縁膜CMOS
著者 Pidin Sergey, 森崎 祐輔, 入野 清, 中村 友ニ, 杉井 寿博 (富士通研究所　Cプロジェクト部 デバイス開発部)
title Low Standby Power CMOS with HfO2 Gate Dielectric for 90nm Generation
author(s) S. Pidin, Y. Morisaki, K. Irino, T. Nakamura, T. Sugii (Fujitsu laboratories)
13:35-13:55
題名 高温熱処理によるHf-Silicate MISFETの移動度の劣化
著者 山口 豪, 飯島 良介, 井野 恒洋, 西山 彰, 福島 伸, 佐竹 秀喜 ((株)東芝 研究開発センター)
title Degradation of Mobility in Hf-silicate MISFETs due to High Temperature Annealing
author(s) Takeshi Yamaguchi, Ryosuke Iijima, Tsunehiro Ino, Akira Nishiyama, Noburu Fukushima, Hideki Satake (Toshiba Corporation R&D center)
13:55-14:30 ○
題名 CVD-HfO2の構造解析と信頼性
著者 原田 佳尚, 丹羽 正昭 (松下電器産業（株）半導体社), Sungjoo Lee (The University of Texas at Austin), Dim-Lee Kwong (Matsushita Elec., Univ. Texas at Austin)
title Specific Structural Factors Influencing on Reliability of CVD-HfO2
author(s) Yoshinao Harada, Masaaki Niwa (Micro Electronics Research Center), Sungjoo Lee (The University of Texas at Austin), Dim-Lee Kwong (Matsushita Elec./Univ. Texas at Austin)
14:30-14:50
題名 Hfシリケート膜の熱処理による劣化及び窒素添加による耐熱性向上
著者 西山 彰, 小山 正人, 井野 恒弘, 飯島 良介, 山口 豪, 小池 正浩, 鎌田 善己, 金子 明生, 小野 瑞城, 上牟田 雄一, 鈴木 正道, 高島 章 ((株)東芝 研究開発センター)
title Degradation of the Hf-silicates with High-temperature Annealing and the Enhancement of the Thermal Stability by Nitrogen Incorporation in the Film
author(s) Akira Nishiyama, Masato Koyama, Tsunehiro Ino, Ryosuke Iijima, T. Yamaguchi, Masahiro Koike, Yoshiki Kamata, Akio Kaneko, Mizuki Ono, Yuichi Kamimuta, Masamichi Suzuki, Akira Takashima (Corporate R&D Center, Toshiba Corp.)
休憩
15:10-15:45 ○
title Compositional Dependence of Direct Tunneling in Transition Metal and Rare Earth Silicate Alloys: A Criterion for Selection of High-k Alternative Dielectrics for Advanced CMOS Devices
author(s) G. Lucovsky (Departments of Physics, NC State University, Raleigh, NC, USA)
15:45-16:05
題名 高誘電率絶縁膜材料の結晶化に関する古典的分子動力学シミュレーション
著者 小坂 裕子, 山崎 隆浩, 金田 千穂子 (富士通研究所)
title Molecular Dynamic Simulation on the Crystallization of High-K Gate Dielectric Materials
author(s) Yuko Kosaka, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (Fujitsu laboratories Ltd.)
16:05-16:25
題名 分子層制御CVDAlOx:N膜の物性及び電気的特性評価
著者 須山 篤志, 山岡 真左則, 村上 秀樹, 宮崎 誠一 (広島大学)
title Characterization of Aluminum-Oxynitride Gate Dielectrics Formed by Layer-by-Layer CVD
author(s) Atsushi Suyama, Masanori Yamaoka, Hideki Murakami, Seiichi Miyazaki (Hiroshima University)
16:25-17:15 ◎
title Physical Characterization of Ultrathin High-K Dielectrics
author(s) W. Vandervorst, B. Brijs, T. Conard, O. Richard, H. Bender, J. Petry, C. Zhao (IMEC)
17:15-18:20 パネルセッション「次世代ソリューションは何？オーガナイザー　平谷正彦（日立）、渡部平司（NEC）、丹羽正昭（松下
18:20-20:00 夕食・懇親会
20:00-22:00 ポスターセッション


2003年1月25日(土)

8:30-9:20 ◎
題名 非晶質SiO2中の歪んだSi-O-Si結合の物理的・化学的応答
著者 粟津 浩一 (産業技術総合研究所), 川副 博司 (HOYA)
title Reactions of Strained Si-O-Si Bonds in a-SiO2 Materials Induced by Physical and Chemical Perturbations
author(s) Koichi Awazu (AIST), Hiroshi Kawazoe (HOYA)
9:20-9:55 ○
題名 酸素リッチ界面層を有する極薄窒化シリコンゲート絶縁膜
著者 辻川 真平, 峰 利之, 嶋本 泰洋, 外村 修, 土屋 龍太, 大西 和博, 濱村 浩孝, 鳥居 和功, 尾内 享裕, 由上 二郎 (日立製作所 中央研究所)
title An Ultra-Thin Silicon Nitride Gate Dielectric with Oxygen-Enriched Interface (OI-SiN)
author(s) S. Tsujikawa, T. Mine, Y. Shimamoto, O. Tonomura, R. Tsuchiya, K. Ohnishi, H. Hamamura, K. Torii, T. Onai, J. Yugami (Hitachi)
9:55-10:15
題名 高信頼ゲート絶縁膜としてのラジカル窒化酸化膜
著者 井上 真雄, 丸山 祥輝 (三菱電機(株) ULSI技術開発センター), 河瀬 和雅 (三菱電機(株) 先端技術総合研究所), 梅田 浩司, 大野 吉和 (三菱電機(株) ULSI技術開発センター)
title Radical Nitrided Oxide for Highly Reliable Gate Dielectric
author(s) Masao Inoue, Yoshiki Maruyama (ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co.), Kazumasa Kawase (Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Co.), Hiroshi Umeda, Yoshikazu Ohno (ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Co.)
休憩
10:30-11:05 ○
題名 ラジカル窒化を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成
著者 関根 克行, 犬宮 誠治, 福井 大伸, 高柳 万里子, 水島 一郎, 綱島 祥隆 (株式会社東芝セミコンダクター社　プロセス技術推進センター)
title Formation of Ultra-thin Gate Dielectrics by Radical Nitridation Process
author(s) K. Sekine, S. Inumiya, H. Fukui, M. Takayanagi, I. Mizushima, Y. Tsunashima (Toshiba)
11:05-11:40 ○
題名 放射光光電子分光による極薄絶縁膜/Si界面の高分解解析
著者 尾嶋 正治, 小野 寛太, 岡林 潤, 豊田 智史, 奥村 務, 木村 香里, 組頭 広志 (東大工), 平下 紀夫, 丹羽 正昭, 臼田 宏治 (STARC)
title High-resolution Analysis of Ultrathin Insulator Film/Si Interfaces by Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy
author(s) M. Oshima, K. Ono, J. Okabayashi, S. Toyoda, T. Okumura, K. Kimura, H. Kumigashira (Univ. Tokyo), N.Hirashita, M. Niwa, H. Usuda (STARC)
11:40-12:15 ○
題名 高温酸化時のシリコン／酸化膜界面反応機構
著者 尾身 博雄, David J. Bottomley, 小林 慶裕, 植松 真司, 影島 博之, 荻野 俊郎 (NTT物性科学基礎研究所)
title Kinetics of High-Temperature Thermal Silicon Oxidation at the SiO2/Si Interface
author(s) H. Omi, David J. Bottomley, Y. Kobayashi, M. Uematsu, H. Kageshima, T. Ogino (NTT)
昼食
13:00-13:20
題名 熱シリコン酸化膜中に残存する秩序
著者 辰村 光介, 渡邉 孝信, 山崎 大輔 (早稲田大学理工学部), 志村 考功 (大阪大学大学院工学研究科), 梅野 正隆 (福井工業大学工学部), 大泊 巌 (早稲田大学理工学部、早稲田大学各務記念材料技術研究所)
title Residual Order within Thermal Oxide Films Grown on Crystalline Silicon
author(s) Kosuke Tatsumura, Takanobu Watanabe, Daisuke Yamasaki (School of Science and Engineering, Waseda University), Takayoshi Shimura (Graduate School of Engineering, Osaka University), Masataka Umeno (Faculty of Engineering, Fukui University of Technology), Iwao Ohdomari (School of Science and Engineering, Waseda University & Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology, Waseda University)
13:20-13:40
題名 SiO2中におけるBの拡散機構
著者 大谷 実, 白石 賢二, 押山 淳 (筑波大学 物理学系)
title Diffusion Mechanisms of B in SiO2
author(s) Minoru Otani, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama (Tsukuba Univ. Institute of Physics)
13:40-14:30 ◎
title Breakdown and Reliability of Ultra-thin MOS Devices
author(s) Jordi Sune (Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, ETSE (Edifici C)), Ernest Y. Wu, Wing L.Lai, David Jimenez (IBM Microelectronics Division)
14:30-14:50
題名 極薄ゲート絶縁膜のNBT劣化とその機構
著者 三谷 祐一郎, 長嶺 真, 佐竹 秀喜 ((株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー), 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科)
title A Study on Mechanism of Negative Bias Temperature Instability in Ultrathin Gate Oxides
author(s) Yuichiro Mitani, Makoto Nagamine, Hideki Satake (Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation), Akira Toriumi (Department of Materials Science, The University of Tokyo)
14:50-15:10
題名 SIMOXウェハにおけるゲート酸化膜の信頼性解析
著者 辻内 幹夫, 岩松 俊明, 成岡 英樹, 梅田 浩司, 一法師 隆志, 前川 繁登, 井上 靖朗 (三菱電機 ULSI技術開発センター)
title Analysis of Gate Oxide Breakdown on SIMOX Wafer
author(s) Mikio Tsujiuchi, Toshiaki Iwamatsu, Hideki Naruoka, Hiroshi Umeda, Takashi Ipposhi, Shigeto Maegawa, Yasuo Inoue (Mitsubishi Electric Corporation,ULSI Development Center)
休憩
15:30-16:05 ○
題名 酸化膜および酸化膜/シリコン界面トラップに起因した経時電流解析
著者 由上二郎, 山田廉一 ((株)日立製作所中央研究所)
title Analysis of the Transient Current due to Oxide Traps and Interface Traps
author(s) J. Yugami, R. Yamada (Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory)
16:05-16:40 ○
title Mechanisms of Negative-Bias Temperature Instability of SiO2/Si and SiON/Si Systems
author(s) Shinji Fujieda, Yoshinao Miura, Koichi Terashima , Shigeru Kimura, Koji Masuzaki (Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation), Ziyuan Liu (NEC Electronics), Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani (Institute of Industrial Science, University of Tokyo)


論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2003年1月25日(土) 20:00-22:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名 ヘリウムアニールによるシリコン基板上ジルコニア、ハフニア及びシリケート膜のシリサイド化抑制
著者 村岡 浩一 ((株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title Suppression of Silicidation for Zirconia, Hafnia and Silicate on Silicon by Helium Annealing
author(s) Kouichi Muraoka (Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation.)


題名 下地酸化膜との固相反応を利用したLaシリケート高誘電率薄膜の作製と電気特性評価
著者 渡部 平司, 五十嵐 信行, 伊藤 文則 (NECシリコンシステム研究所)
title La-silicate Gate Dielectric Fabricated by Solid Phase Reaction and its Electrical Properties
author(s) Heiji Watanabe, Nobuyuki Ikarashi, Fuminori Itoh (Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation)


題名 電流検出型原子間力顕微鏡によるHfO2薄膜の局所リーク電流特性
著者 坂下 満男, 後藤 智和, 池田 浩也, 酒井 朗 (名古屋大学大学院工学研究科), 財満 鎭明 (名古屋大学先端技術共同研究センター), 安田 幸夫 (名古屋大学大学院工学研究科)
title Local Leakage Current of HfO2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy
author(s) Mitsuo Sakashita, Tomokazu Goto, Hiroya Ikeda, Akira Sakai (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Shigeaki Zaima (CCRAST, Nagoya University), Yukio Yasuda (Graduate School of Engineering, Nagoya University)


題名 PLD法により作製したHfO2-TiO2積層複合膜の結晶学的特性と電気的特性
著者 本多 一隆, 坂下 満男, 酒井 朗 (名古屋大学工学部工学研究科), 財満 鎭明 (名大先端研), 安田 幸夫 (名古屋大学工学部工学研究科)
title Structural and Electrical Properties of HfO2-TiO2 Composite Films Formed by Pulsed Laser Deposition
author(s) Kazutaka Honda, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai (Graduate School of Engineering Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima (CCRAST Nagoya Univ.), Yukio Yasuda (Graduate School of Engineering Nagoya Univ.)


題名 アルミナ中の欠陥と電荷捕獲
著者 山崎 隆浩, 金田 千穂子 (富士通研究所シリコンテクノロジ研究所)
title Defects and Charge Trapping in Alumina
author(s) Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (Silicon Technologies Laboratories, Fujitsu Laboratories Limited)


題名 交互供給MOCVD法によるHfO2薄膜の作製と評価
著者 中山 誠 (東京工業大学 精密工学研究所), 高橋 健治 (東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物質科学創造専攻), 日野 史郎 (東京工業大学 精密工学研究所), 舟窪 浩 (東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物質科学創造専攻), 徳光 永輔 (東北大学 電気通信研究所/東京工業大学 精密工学研究所)
title Characterization of HfO2 Thin Films Grown on Silicon Substrates by Source Gas Pulse-Introduced MOCVD
author(s) Makoto Nakayama (P&I Lab, Tokyo Institute of Technology), Kenji Takahashi (Dep. Innov. Eng. Mater, Tokyo Institute of Technology), Shiro Hino (P&I Lab, Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Funakubo (Dep. Innov. Eng. Mater, Tokyo Institute of Technology), Eisuke Tokumitsu (RIEC, Tohoku University / P&I Lab, Tokyo Institute of Technology)


題名 Si直接接合CeO2 ゲート絶縁膜の特性
著者 松下 大介, 西川 幸江, 山口 豪 ((株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 吉木 昌彦 ((株)東芝 研究開発センター 環境技術・分析センター), 佐竹 秀喜, 福島 伸 ((株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title Characterictics of CeO2 Gate Dielectrics Directly Grown on Si
author(s) Daisuke Matsushita (Toshiba Corporation Advanced LSI Technology Laboratory Corporate Research & Development Center), Yukie Nishikawa (Toshiba Corporation Advanced LSI Technology Laborator y Corporate Research & Development Center), Takeshi Yamaguchi (Toshiba Corporation Advanced LSI Technology Laboratory Corporate Research & Development Center), Masahiko Yoshiki (Toshiba Corporation Environmental Engineering & Analysis Center), Hideki Satake, Noburu Fukushima (Toshiba Corporation Advanced LSI Technology Laboratory Corporate Research & Development Center)


題名 シリケート誘電体の構造および電子物性に関する第一原理計算
著者 藤谷 究, 山田 啓介, 土井 謙太郎, 中村 康一, 立花 明知 (京大院工)
title First-Principle Calculations of Structures and Electronic Properties in Silicate Dielectrics
author(s) Kiwamu Fujitani, Keisuke Yamada, Kentaro Doi, Koichi Nakamura, Akitomo Tachibana (Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University)


題名 3成分系high-k酸化物薄膜の断面TEMによる構造評価とSi基板と界面の整合性
著者 田森 妙, 長谷川 顕, 青山 登代美 (東京工業大学応用セラミックス研究所), 中島 清美, アハメト・パールハット, 知京豊裕 (物質・材料研究機構), 外村 彰 (東京工業大学総合理工学研究科 物質科学創造専攻), 鯉沼 秀臣 (東京工業大学応用セラミックス研究所)
title Structure Analysis of Three Compositional High-k Gate Oxides and Its Interface Structure Observation on Si by Transmission Electron Microscope.
author(s) Tae Tamori, K. Hasegawa, T. Aoyama (Tokyo Inst. of Tech.), K. Nakajima, P. Ahmet, T. Chikyow (NIMS), A. Tonomura, H. Koinuma (Tokyo Inst. of Tech.)


題名 LuOx/Si(100)界面遷移層の化学結合状態と電子帯構造
著者 野平 博司, 白石 貴義, 中村 智裕, 高橋 健介 (武蔵工業大学 工学部), 武田 光弘, 大見 俊一郎, 岩井 洋 (東京工業大学 総合理工学研究科), 服部 健雄 (武蔵工業大学 工学部)
title Chemical and Electronic Structures of LuOx/Si Interfacial Transition Layer
author(s) Hiroshi Nohira, T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi (Musashi Institute of Technology), M. Takeda, S. Ohmi, H. Iwai (Tokyo Institute of Technology), T. Hattori (Musashi Institute of Technology)


題名 HfO2-Y2O3-Al2O3膜の作製と評価
著者 長谷川 顕, 田森 妙 (東工大応セラ研), アハメト・パールハット, 藤本 憲次郎, 渡辺 遵 (物質・材料研究機構), 山田啓作 (早稲田大学ナノテクノロジー研究所), 知京 豊裕 (物質・材料研究機構), 鯉沼 秀臣 (東工大応セラ研)
title Preparation and Characterization of HfO2-Y2O3-Al2O3 Ternary Thin Film
author(s) K. Hasegawa, T. Tamori (Tokyo Inst. of Tech.), P. Ahmet, K.Fujimoto, M. Watanabe (NIMS), K. Yamada (Waseda Univ.), T. Chikyow (NIMS), H. Koinuma (Tokyo Inst. of Tech.)


題名 希土類High-K膜の構造解析
著者 山元 隆志 ((株)東レリサーチセンター 表面科学研究部), 泉 由貴子 ((株)東レリサーチセンター 構造化学研究部), 杉山 直之 ((株)東レリサーチセンター 形態化学研究部), 橋本 秀樹 ((株)東レリサーチセンター 構造化学研究部), 小林 一三, 大沢 正典 ((株)日本酸素), 杉田 義博 (富士通(株))
title Analysis of Composition and Structure of Rare Earth High-K Film for Gate Dielectrics
author(s) Takashi Yamamoto (Toray Research Center Inc. surface science labs.), Yukiko Izumi (Toray Research Center Inc. material science labs.), Naoyuki Sugiyama (Toray Research Center Inc. morphological research labs.), Hideki Hashimoto (Toray Research Center Inc. material science labs.), Ichizou Kobayashi, Masanori Oosawa (Nipponsanso Inc.), Yoshihiro Sugita (Fujitsu　Inc.)


【評価】

題名 Si(001)表面初期酸化におけるSi原子放出の実験的検証
著者 高桑 雄二, 小川 修一, 川和 拓央 (東北大学多元物質科学研究所)
title Experimental Evidence for Emission of Si Atom during Initial Oxidation on Si(001) Surface
author(s) Yuji Takakuwa, S. Ogawa, T. Kawawa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University)


題名 フォトンエネルギー可変光電子分光法による酸窒化膜の深さ方向分析
著者 西崎 京子, 高橋 健介, 野平 博司 (武蔵工業大学), 田村 直義, 日数谷 健一 (富士通(株) プロセス開発部), 鎌倉 望, 高田 恭孝, 辛 埴 (播磨理研/SPring-8), 小林 啓介 (高輝度光科学研究センター), 服部 健雄 (武蔵工業大学)
title Depth Profiling of Oxynitride film by Photon Energy Dependent Photoelectron Spectroscopy
author(s) Kyoko Nishizaki , Kensuke Takahashi, Hiroshi Nohira (Musashi Institute of Technology), Naoyoshi Tamura, Kenichi Hikazutani (Process Develop. Dept., Technol. Develop. Div., Semiconductor Group, Fujitsu Ltd., ), Nozomu Kamakura, Yasutaka Takata, Shin Shik (Harima Institute, RIKEN), Keisuke Kobayashi (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Takeo Hattori (Musashi Institute of Technology)


題名 SiO2/Si界面における価電子に対するエネルギー障壁
著者 高橋 健介, ムスタファ ビン セマン (武蔵工業大学 工学部), 廣瀬 和之 (宇宙科学研究所 ), 服部 健雄 (武蔵工業大学 工学部)
title Energy Barrier for Valence Electrons at SiO2/Si Interface
author(s) Kensuke Takahashi, Mustafa Bin Seman (Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology), Kazuyuki Hirose (Institute of Space and Astronautical Science), Takeo Hattori (Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology)


題名 極薄シリコン酸化膜のエリプソメトリ測定に与える有機物汚染の影響
著者 篠崎 昭仁, 有馬 健太, 森田 瑞穂 (大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 東 康史, 小島 勇夫 (産業技術総合研究所・計量標準総合センター)
title The Influence of Organic Contamination on Ultrathin Silicon Dioxide Film Thickness Measured by Ellipsometry
author(s) Akihito Shinozaki, Kenta Arima, Mizuho Morita (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Yasushi Azuma, Isao Kojima (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Metrology Institute of Japan)


題名 Si/SiO2のバンドオフセットの第一原理計算
著者 渡会 雅敏, 中村 淳, 名取 晃子 (電通大)
title First Principles Calculation of Si/SiO2 Band Offset
author(s) Masatoshi Watarai, Jun Nakamura, Akiko Natori (The Univ. of Electro-Communications)


題名 高分解能RBSを用いたHfO2/Si(001)界面の歪分布測定
著者 城森 慎司, 中嶋 薫, 鈴木 基史, 木村 健二 (京都大学工学研究科機械物理工学専攻)
title Strain Profiling of HfO2/Si(001) Interfaces with High-Resolution RBS
author(s) Sinji Joumori, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura (Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University)


題名 シリコン酸化膜界面形態の酸化温度依存性��
著者 北條 大介, 徳田 規夫, 山部 紀久夫 (筑波大学 物理工学系 山部研究室)
title Temperature Dependence of Topographic Change of SiO2/Si Interface during Thermal Oxidation ��
author(s) Daisuke Hojo, Norio Tokuda, Kikuo Yamabe (Institute of Applied Physics, Yamabe Laboratory University of Tsukuba)


題名 ZrOx/SiO2/n+Si(100)構造におけるZr拡散の光電子分光分析
著者 山岡 真左則 (広島大学大学院先端物質科学研究科), 大田 晃生 (広島大学工学部), 宮崎誠一 (広島大学大学院先端物質科学研究科)
title Photoemission Study of Zr Diffusion into Thermally-Grown SiO2
author(s) Masanori Yamaoka (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Akio Ota (Department of Electrical Enginnering, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)


【形成】

題名 急速加熱酸化法による極薄Si酸化膜形成過程の解析
著者 南條健史, 大村泰久 (関西大学 大学院工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター)
title Analysis of Growth Mechanisms of Ultra-thin Silicon Oxide Films by RTO Technique
author(s) Kenji Nanjo, Yasuhisa Omura (High-Technology Research Center and Dep. Electronics, Kansai University)


題名 Si熱酸化における界面Si放出過程の検討
著者 影島 博之, 秋山 亨 (ＮＴＴ物性科学基礎研究所), 赤木 和人 (東京大学大学院理学系研究科), 白石 賢二 (筑波大学物理学系), 植松 真司 (ＮＴＴ物性科学基礎研究所), 常行 真司 (東京大学大学院理学系研究科)
title Theoretical Study of the Interfacial Si Emission Process in Si Thermal Oxidation
author(s) Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama (NTT Basic Research Labs., NTT Corp.), Kazuto Akagi (Faculty of Science, Univ. of Tokyo), Kenji Shiraishi (Dept. Physics, Univ. of Tsukuba), Masashi Uematsu (NTT Basic Research Labs., NTT Corp.), Shinji Tsuneyuki (Faculty of Science, Univ. of Tokyo)


題名 低温成長による光酸化SiO2薄膜
著者 深野 敦之, 大柳 宏之 (産業技術総合研究所)
title Low Temperature Growth of Silicon Dioxide Thin Film by UV Photo-Oxidation
author(s) Atsuyuki Fukano, Hiroyuki Oyanagi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)


題名 SiO2/Si(100)界面での原子状酸素の微視的振舞い
著者 秋山 亨, 影島 博之 (NTT物性科学基礎研究所)
title Microscopic Behavior of Atomic Oxygen at the SiO2/Si(100) Interface
author(s) Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima (NTT Basic Research Laboratories)


題名 シリコン酸化膜形成反応シミュレーションプログラムの開発
著者 星野 忠次, 畑 晶之, 根矢 三郎 (千葉大学大学院薬学研究院), 西岡 泰城 (日本テキサス・インスツルメンツ, 筑波研究開発センター), 渡邉 孝信, 辰村 光介, 大泊 巌 (早稲田大学理工学部)
title Simulation Program for the Silicon Oxidation Process
author(s) Tadatsugu Hoshino, Masayuki Hata, Saburo Neya (Graduate School of Pharmaceutical Sciences, Chiba University), Yasushiro Nishioka (Japan Texas Instruments, Tsukuba R&D center), Takanobu Watanabe, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari (School of Science and Engineering, Waseda University)


題名 窒素ラジカルによるSi(100)酸化表面の初期窒化過程のSTM観察
著者 高橋 亮也, 小林 靖司, 池田 浩也 (名古屋大学大学院 工学研究科 結晶材料工学専攻), 中塚 理 (名古屋大学 理工総研), 坂下 満男, 酒井 朗 (名古屋大学大学院 工学研究科 結晶材料工学専攻), 財満 鎭明 (名古屋大学 先端技術共同センター), 安田 幸夫 (名古屋大学大学院 工学研究科 結晶材料工学専攻)
title Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Nitrogen Radical
author(s) Ryoya Takahashi, Yasushi Kobayashi, Hiroya Ikeda (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.), Osamu Nakatsuka (CIRSE, Nagoya Univ. ), Mitsuo Sakashita, Akira Sakai (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima (CCRAST, Nagoya Univ. ), Yukio Yasuda (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.)


題名 超高濃度オゾンガスで低温作成したシリコン酸化膜の微細構造と電気特性
著者 西口 哲也 (明電舎), 野中 秀彦, 藤本 俊幸, 一村 信吾 (産総研), 森川 良樹, 花倉 満, 宮本 正春 (明電舎)
title Microscopic Structures and Electrical Characteristics of SiO2 Film Grown by Highly Concentrated O3 Gas at Low Temperature
author(s) Tetsuya Nishiguchi (Meidensha Corporation), Hidehiko Nonaka, Toshiyuki Fujimoto, Shingo Ichimura (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Yoshiki Morikawa, Mitsuru Kekura, Masaharu Miyamoto (Meidensha Corporation)


題名 プラズマ酸化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
著者 諏訪 智之 (東北大学大学院工学研究科電子工学専攻), 樋口 正顕 (東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻), 大嶋 一郎, 程イ涛 (東北大学大学院工学研究科電子工学専攻), 寺本 章伸, 平山 昌樹 (東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川 成利 (東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻), 大見 忠弘 (東北大学未来科学技術共同研究センター)
title Influence of the Noble Gas Atom Contained in the Plasma Oxides and Nitrides on the Electrical Properties
author(s) Tomoyuki Suwa (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Masaaki Higuchi (Department of Management of Science & Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Ichiro Ohshima, Cheng Weitao (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama (New Industry Creation Hatchery Center ,Tohoku University), Shigetoshi Sugawa (Department of Management of Science & Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi (New Industry Creation Hatchery Center ,Tohoku University)


【信頼性】

題名 直接トンネルゲート絶縁膜を有するpMOSFETのチャネルホットホール劣化
著者 森川 周一, 出口 和亮, 鎌倉 良成, 谷口 研二 (大阪大学大学院工学研究科)
title Channel Hot Hole Degradation of pMOSFET with Direct Tunneling Gate Oxides
author(s) Shuichi Morikawa, Kazuaki Deguchi, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi (Department of Electronics and Information Systems, Osaka University)


題名 極薄ゲート酸化膜における擬似絶縁破壊後のゲートリーク電流の時間変化
著者 細井 卓治, Pascal Lo Re, 鎌倉 良成, 谷口 研二 (大阪大学 大学院工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻)
title Time Evolution of Gate Leakage Current after Soft Breakdown in Ultra-Thin Gate Oxides
author(s) Takuji Hosoi, Pascal Lo Re, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi (Dept. of Electronics and Information Systems, Osaka University)


題名 Moゲート仕事関数制御のための窒素注入のゲート酸化膜への影響
著者 芝原 健太郎, 天田 高明, 日野 真毅, 前田 展秀 (広島大学 ナノデバイス・システム研究センター)
title Influence of Nitrogen Implantation for Workfunction Tuning on Gate Oxide Reliability
author(s) Kentaro Shibahara, Takaaki Amada, Masaki Hino, Nobuhide Maeda (Res. Cnt. for Nanodevices and Sys., Hiroshima Univ.)


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