The 9th Workshop Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides

応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」
第9回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2004年1月22日(木)

20:00-22:00

ショートコース「エリプソメータはどこまで使えるか？（仮題）」
藤原裕之(産総研)

2004年1月23日(金)

10:25-10:30

オープニング

10:30-11:20

◎

title	Progress and Challenges in High-k Gate Dielectrics Technology
author(s)	T. P. Ma(Department of Electrical Engineering, Yale University)

11:20-12:10

○

題名	極薄シリコン酸化膜の信頼性劣化のメカニズム
著者	谷口研二, 細井卓治, 酒井敦, 久保田圭, 谷藤亮, 森川周一, 細井宏昭, 鎌倉良成(大阪大学大学院工学研究科/電子情報エネルギー工学専攻)
title	Degradation Mechanisms of Ultrathin Dioxide Films
author(s)	Kenji Taniguchi, Takuji Hosoi, Atsushi Sakai, Kei Kubota, Ryo Tanifuji, Syuichi Morikawa, Hiroaki Hosoi, Yoshinari Kamakura(Department of Electronics and Information Systems/Osaka University)

休憩

13:00-13:35

○

題名	イオン性アモルファス酸化物導電体：設計と特性
著者	細野秀雄(東京工業大学応用セラミックス研究所)
title	Electronically conductive amorphous oxides
author(s)	hosono hideo(Tokyo Institute of Technology)

13:35-14:10

○

題名	結晶性γ-Al₂O₃ゲート絶縁膜の電気特性
著者	石田誠, 岡田貴行, Mohanmad Shahjahan, 澤田和明(豊橋技術科学大学第三工学系)
title	Electrical properties of crystalline γ-Al₂O₃ films as gate insulators
author(s)	Makoto Ishida, Takayuki Okada, Mohanmad Shahjahan, Kazuaki Sawada(Depertment of Electrical and Electronic Engineering)

14:10-14:35

題名	極薄酸化膜の劣化予測モデルの検討
著者	森博子, 江原英郎(富士通品質保証統括部信頼性技術部), 田村直義(次世代LSI開発事業部プロセス開発部), 高崎金剛(富士通知的財産・技術支援部特許推進部), 金田千穂子(富士通研究所シリコンテクノロジー研究所), 松山英也, 庄野健(富士通品質保証統括部信頼性技術部)
title	Investigation of Ultrathin Gate-Dielectrics Degradation model
author(s)	Hiroko Mori, Hideo Ehara(Reliability Engineering Dept.LSI Quality Assurance Div.), Naoyoshi Tamura(Process Development Dept. Advanced LSI Development Div.), Kanetake Takasaki(Patent Development Dep．Intellectual Property & Standards Div.), Chioko Kaneta(Silicon Technologies Labs.Fujitsu Laboratories Ltd.), Hideya Matsuyama, Ken Shono(Reliability Engineering Dept.LSI Quality Assurance Div.)

休憩

14:50-15:25

○

題名	NBTI：何がわかって何がわかっていないか？
著者	君塚直彦(NECエレクトロニクス／先端デバイス開発事業部)
title	NBTI:What is known
author(s)	Naohiko Kimizuka(NEC Electronics/Advanced Device Dev. Div.)

15:25-15:50

題名	薄膜SiON膜における酸化後の熱処理が移動度・NBTI信頼性に与える影響
著者	小崎浩司, 田村泰之, 佐々木隆興, 高田仁志, 高橋正志, 大塚文雄, 西森浩友, 井田徹, 安平光雄, 有門経敏(Selete/第一研究部)
title	The Effect of the Post-Oxidation Annealing on the Electron Mobility and NBTI Reliability in Ultra-thin SiON
author(s)	Hiroji Ozaki, Yasuyuki Tamura, Takaoki Sasaki, Hitoshi Takada, Masashi Takahashi, Fumio Ootsuka, Hirotomo Nishimori, Tohru Ida, Mitsuo Yasuhira, Tsunetoshi Arikado(Selete/Research Dept.1)

15:50-16:15

題名	ラジカル酸化・窒化膜の電気的特性とそのメカニズム
著者	諏訪智之, 樋口正顕, 小村政則(東北大学大学院工学研究科), 早川幸夫, 宮原準弥, 寺本章伸, 平山昌樹(東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川成利(東北大学大学院工学研究科), 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
title	The electrical properties and mechanism of silicon dioxides and nitrides formed by radical reaction based processes
author(s)	Tomoyuki Suwa, Masaaki higuchi, Masanori Komura(Graduate School of Engineering,Tohoku Univercity), Yukio Hayakawa, Junya Miyahara, Akinobu Teramoto, Masaki Hirayama(New Industry Creation Hachery Center ,Tohoku Univercity), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering,Tohoku Univercity), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hachery Center ,Tohoku Univercity)

16:15-16:40

題名	ストレス誘起欠陥におけるホール放出現象のナノスケール観察
著者	世古明義(名古屋大学大学院工学研究科), 渡辺行彦(豊田中央研究所), 近藤博基, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明(名古屋大学先端技術共同研究センター), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科)
title	Nanoscale observation of hole detrapping process at stress induced defects
author(s)	Akiyoshi Seko (Graduate School of Engineering, Nagoya University,), Yukihiko Watanabe(Toyota Central R&D Labs.,Inc,), Hiroki Kondo, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University,), Shigeaki Zaima (Center for cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University,), Yukio Yasuda (Graduate School of Engineering, Nagoya University,)

16:40-17:05

題名	SiO₂中でのSi自己拡散に与えるSi/SiO₂界面の影響
著者	深津茂人, 伊藤公平(慶大理工物理情報工学科), 植松真司, 藤原聡, 影島愽之, 高橋庸夫(NTT物性科学基礎研), 白石賢二(筑波大), Ulrich Gösele(マックスプランク研)
title	Effect of the Si/SiO₂ Interface on Self-Diffusion of Si in SiO₂
author(s)	Shigeto Fukatsu, Kohei M. Itoh(Keio University), Masashi Uematsu, Akira Fujiwara, Hiroyuki Kageshima, Yasuo Takahashi(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Kenji Shiraishi(Institute of Physics, University of Tsukuba), Ulrich Gösele(Max Planck Institute of Microstructure Physics)

17:05-17:30

題名	Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_b0欠陥生成
著者	山崎隆浩(富士通研究所シリコンテクノロジ研究所), 加藤弘一(東芝研究開発センター、LSI基盤技術ラボラトリー), 宇田毅(日立製作所基礎研究所)
title	Lateral growth and generation of the P_b0 center in the initial oxidation on the Si(100) surface
author(s)	Takahiro Yamasaki(Silicon Technologies Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd.), Koichi Kato(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporate Research and Development Center), Tsuyoshi Uda(Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.)

17:30-18:10

特別セッション「酸化膜研究の昔と今（仮題）」
財満鎮明（名古屋大)、野平博司（武蔵工大）

18:30-20:00

夕食・懇親会

20:00-22:00

ポスターセッション

2004年1月24日(土)

8:20-9:10

◎

title	Materials and Integration Issues and Progress of High-K CMOS Performance and Reliability
author(s)	Hsing-Huang Tseng(APRDL, Motorola)

9:10-9:45

○

題名	極薄イットリウムアルミネート絶縁膜の物性及び電気特性評価
著者	杉田義博(富士通（株）), 山元隆志, 泉由貴子(（株）東レリサーチセンター), 井上實, 大沢正典(日本酸素（株）)
title	Physical and Electrical Properties of Ultra Thin Yttrium-Aluminate Film
author(s)	Yoshihiro Sugita(Fujitsu Ltd.), Takashi Yamamoto( Toray Research Center Inc.), Yukiko Izumi(Toray Research Center Inc.), Minoru Inoue, Masanori Ohsawa(Nippon Sanso Co.)

9:45-10:10

題名	第一原理計算による誘電応答解析ソフトウェアの開発
著者	濱田智之, 山本武範, 籾田浩義(東京大学生産技術研究所), 宇田毅(（株）日立製作所基礎研究所), 大野隆央(（独）物質・材料研究機構)
title	Development of First Principles Calculation Software for Dielectric Response Study of Materials
author(s)	Tomoyuki Hamada, Takenori Yamamoto, Hiroyoshi Momida(Institute of Industrial Science, University of Tokyo), Tsuyoshi Uda(Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd.), Takahisa Ohno(National Institute of Material Science)

休憩

10:20-10:45

題名	HfAlO_x/SiO₂界面の熱的安定性－PDA中の界面反応抑制の検討－
著者	三橋理一郎, 堀内淳, 鳥居和功(（株）半導体先端テクノロジーズ high-k要素プロセスグループ), 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻)
title	The thermal stability of the HfAlO_x/SiO₂ interface: The suppression of the interfacial reaction during post deposition annealing
author(s)	Riichirou Mitsuhashi, Atsushi Horiuchi, Kazuyoshi Torii(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. High-k Unit Process Group), Seiichi Miyazaki(Department of Electrical Engineering Graduate School of Advanced Science of Matter Hiroshima University)

10:45-11:10

題名	HfSiO(N)における欠陥生成と破壊機構の考察
著者	平野泉, 山口豪, 三谷祐一郎(（株）東芝研究開発センター), 関根克行(（株）東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センタｰ), 高柳万里子(（株）東芝セミコンダクター社 Soc研究開発センタｰ), 江口和弘, 綱島祥隆(（株）東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センタｰ), 佐竹秀喜(（株）東芝研究開発センター)
title	Defect generation and dielectric breakdown mechanism of HfSiO(N)
author(s)	Izumi Hirano, Takeshi Yamaguchi, Yuuichiro Mitani(Corporate R&D Center,Toshiba Corporation), Katsuyuki Sekine(Process&Manufacturing Engineering Center，Toshiba Corporation Semiconductor Company ), Mariko Takayanagi(SoC Reserch&Development Center,Toshiba Corporation Semiconductor Company), Kazuhiro Eguchi, Yoshitaka Tsunashima(Process&Manufacturing Engineering Center，Toshiba Corporation Semiconductor Company ), Hideki Satake(Corporate R&D Center,Toshiba Corporation)

11:10-11:35

題名	PLCVDによる窒化HfSiO膜のMOSFETへの応用
著者	プラカイペッチパンチャイペッチ, 中村秀碁, 岡本武士, 浦岡行治, 冬木隆(奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学), 堀井貞義, 浅井優幸 , 佐野敦(日立国際電気)
title	Nitride HfSi_xO_y gate dielectrics for advanced CMOS applications
author(s)	Prakaipetch Punchaipetch, Hideki Nakamura, Takeshi Okamoto, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institute of Science and Technology/Material Science), Sadayoshi Horii, Masayuki Asai, Atsushi Sano(Hitachi Kokusai)

11:35-12:10

○

題名	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜の膜構造と電気的特性との関係
著者	小山正人, 小池正浩, 井野恒洋, 上牟田雄一, 鈴木正道, 小野瑞城, 山口豪, 佐竹秀喜, 西山彰(東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 金子明生, 犬宮誠治(東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター), 高柳万里子(東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター)
title	Hf-based High-k Gate Dielectrics: Effects of the Film Structure on the Electrical Charateristics of Films
author(s)	Masato Koyama, Masahiro Koike, Tsunehiro Ino, Yuuichi Kamimuta, Masamichi Suzuki, Mizuki Ono, Takeshi Yamaguchi, Akira Nishiyama, Akira Nishiyama(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation), Akio Kaneko, Seiji Inumiya(Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company), Mariko Takayanagi(SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company)

昼食

13:00-13:50

◎

title	Charge trapping in SiO₂/HfO₂ dual layer gate stacks
author(s)	Eduard Cartier(IBM Research Division, T. J. Watson Research Center)

13:50-14:15

title

N and Si outdiffusion in HfAlO_x/SiN/Si(001) structure during thermal annealing

author(s)

Kundu Manisha, Miyata Noriyuki(MIRAI, Advanced Semiconductor Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Ichikawa Masakazu(The University of Tokyo), Morita Yukinori(MIRAI, Advanced Semiconductor Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Nabatame Toshihide (MIRAI, Association of Super-Advanced Electronics Technology), Horikawa Tsuyoshi(MIRAI, Advanced Semiconductor Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Toriumi Akira (The University of Tokyo)

14:15-14:50

○

題名	陽電子消滅法を用いたhigh-k膜の欠陥解析
著者	上殿明良(筑波大学物理工学系), 服部信美, 小椋厚, 工藤淳, 西川哲(半導体理工学研究センター（STARC）), 大平敏行, 鈴木良一, 三角智久(産業技術総合研究所)
title	Defect characterization of high-k films by means of positron annihilation
author(s)	Akira Uedono(Institute of Applied Physics, University of ), Nobuyoshi Hattori, Atsushi Ogura, Kudo Jun, Tetsu Nishikawa(Semiconductor Technology Academic Research Center), Toshiyuki Ohdaira, Ryouichi Suzuki, Tomohisa Mikado(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

休憩

15:05-15:40

○

題名	誘電率ばらつきによるモビリティ劣化機構モデル
著者	斎藤慎一(（株）日立製作所中央研究所)
title	Model for Mobility Reduction Mechanism due to Permittivity Fluctuation
author(s)	Shin-ichi Saito(Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd)

15:40-16:05

題名	高誘電率絶縁膜HfO₂中の炭素不純物の原子構造と電子構造-第一原理計算による考察-
著者	白石賢二(筑波大物理学系), 山田啓作(早稲田大学ナノテク研), 斎藤峯雄, 大野隆央(物質材料研究機構), 川原孝昭, 鳥居和功, 三橋理一郎, 武藤彰良, 堀内淳, 伊藤浩之, 北島洋, 有門経敏((株)半導体先端テクノロジーズ)
title	Atomic and electronic structures of Carbon impurities in high-k Hafnia: A first principles Investigation
author(s)	Kenji Shiraishi(Institute of Physics, University of Tsukuba), Keisaku Yamada(Waseda University), Mineo Saito, Takahisa Ohno(National Research Institute of Material Science), Takaaki Kawahara, Kazuyoshi Torii, Riichiro Mitsuhashi, Akiyoshi Muto, Atsushi Horiuchi, Hiroyuki Ito, Hiroshi Kitajima, Tsunetoshi Arikado(SELETE)

16:05-16:30

題名	ヘリウム一貫プロセスによるPoly-Si/High-k絶縁膜/SiO₂/Si構造のシリサイド化抑制
著者	村岡浩一(（株）東芝 LSI基盤技術ラボラトリー)
title	Suppression of Silicidation in Poly-Si/High-k Insulator/SiO₂/Si Structure by Helium Through Process
author(s)	Kouichi Muraoka(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation)

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2004年1月23日(金) 20:00-22:00)

【形成】

題名	高温乾燥酸素酸化におけるXeランプによるUV照射効果
著者	辰巳恒一郎(関西大学工学部電子工学科), 芋生徳央(関大大学大学院工学研究科), 田村進, 大村泰久(関西大学ハイテクリサーチセンタ)
title	Xe-Lamp-Induced UV Irradiation Effects on SiO₂ Film Growth during High-Temperature Oxidation
author(s)	Koichiro Tatsumi(Dept. Electronics, Kansai University), Norio Imou(Graduate School of Eng., Kansai University), Susumu Tamura, Yasuhisa Omura(HRC, Kansai University)

題名	高純度オゾンガス連続供給装置と本装置の大口径シリコンウエハー酸化への応用
著者	西口哲也, 森川良樹, 野寄剛示, 花倉満(（株）明電舎), 野中秀彦, 一村信吾(産業技術総合研究所)
title	System of Continuous Generation of Highly Concentrated Ozone and its Application to the Oxidation of Large-sized Si Wafer
author(s)	Nishiguchi Tetsuya, Morikawa Yoshiki, Noyori Tsuyoshi, Kekura Mitsuru(Meidensha Corporation), Nonaka Hidehiko, Ichimura Shingo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

題名	Monte CarloシミュレーションによるSi表面layer-by-layer酸化過程の再現
著者	渡邉孝信(早稲田大学大学院理工学研究科), 辰村光介, 大泊巌(早稲田大学理工学部)
title	Layer-by-layer oxidation process of Si surfaces reproduced by a Monte Carlo simulation
author(s)	Takanobu Watanabe, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari(Waseda University)

題名	窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
著者	加藤弘一, 中崎靖(東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title	Nitridation of Si(100) through Strong N Condensation
author(s)	Koichi Kato(Toshiba Reseach and Development Center Advanced LSI Technology Laboratory), Yasushi Nakasaki(Toshiba Reseach and Development Center Advanced LSI Technology Laboratory)

題名	シリコン熱酸化過程における酸素分子界面反応のメカニズム
著者	秋山亨, 影島博之(NTT物性科学基礎研究所), 伊藤智徳(三重大学工学部物理工学科)
title	Reaction Mechanisms of Oxygen Molecules during Silicon Oxidation
author(s)	Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Tomonori Ito(Department of Physics Engineering, Mie University)

題名	超高真空中でのAl吸着による下地極薄SiO₂膜の劣化
著者	田辺正明, 後藤正和, 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学物理工学系)
title	Degradation of Dielectric Characteristics of Underlying Ultrathin SiO₂ films by Al Adsorption in High Vacuum
author(s)	Masaaki Tanabe, Masakazu Goto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)

題名	SiO₂ ネットワークと O₂ との相互作用の第一原理分子動力学法による研究
著者	赤木和人, 常行真司(東京大学大学院理学系研究科), 植松真司, 影島博之(NTT物性基礎研究所)
title	Study on interaction between SiO₂ network and O₂ molecule by a first-principles molecular dynamics approach
author(s)	Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(Graduate School of Science, University of Tokyo), Shinji Uematsu, Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratory)

題名	シリコン酸窒化物薄膜の形成過程と誘電物性に関する第一原理計算
著者	上原寛貴, 土井謙太郎, 中村康一, 立花明知(京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻)
title	First-Principle Calculations on Formation Processes and Dielectric Properties of Silicon Nitroxide Thin Films
author(s)	Hiroki Uehara, Kentaro Doi, Koichi Nakamura, Akitomo Tachibana(Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University)

題名	ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTMおよびSTSを用いた解析
著者	河合圭悟, 宮崎香代子, 近藤博基, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明(名古屋大学先端技術共同研究センター), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科)
title	Analysis of Formation Mechanism of the Energy Bandgap in the Radical Nitridation Process using Scanning Tunneling Microscopy and Scanning Tunneling Spectroscopy
author(s)	Keigo Kawaai, Kayoko Miyazaki, Hiroki Kondo, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Shigeaki Zaima(CCRAST, Nagoya University), Yukio Yasuda(Graduate School of Engineering, Nagoya University)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	窒素励起活性種を用いたPLDCVD HfSiO膜のラジカル窒化
著者	中村秀碁, 岡本武士, プラカイペッチパンチャイペッチ, 浦岡行治, 冬木隆(奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学), 堀井貞義, 浅井優幸 , 佐野敦 (日立国際電気)
title	Radical Nitridation of PLCVD HfSixOy Gate Dielectrics
author(s)	Hideki Nakamura, Takeshi Okamoto, Prakaipetch Punchaipetch, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institute of Science and Technology/Material Science), Sadayoshi Horii, Masayuki Asai, Atsushi Sano(Hitachi Kokusai)

題名	高誘電率絶縁膜材料HfO₂の結晶成長メカニズム
著者	小坂裕子, 山崎隆浩, 金田千穂子(富士通研究所)
title	Crystallization processes of High-k material (HfO₂)
author(s)	Yuko Kosaka, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta(FUJITSU LABORATORIES LTD.)

題名	ラジカル窒化法を併用したHfO₂膜の作製とその電気的特性
著者	高橋亮也, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明(名古屋大学先端技術共同センター), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科)
title	HfO₂ Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic
author(s)	Ryoya Takahashi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University ), Shigeaki Zaima(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Yukio Yasuda(Graduate School of Engineering, Nagoya University )

題名	PLD法により作製した(La₂O₃)_1-x(Al₂O₃)_x積層複合膜の熱的安定性と電気的特性の評価
著者	藤塚良太, 本多一隆, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明(名古屋大学先端技術共同研究センター), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科)
title	Thermal　Stability and Electrical Properties of (La₂O₃)_1-x(Al₂O₃)_x Composite Films Formed by Pulsed Laser Deposition
author(s)	Ryota Fujitsuka, Kazutaka Honda, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Shigeaki Zaima(CCRAST, Nagoya University), Yukio Yasuda(Graduate School of Engineering, Nagoya University)

題名	Si（111）基板上のPrシリケイトの作製とその電気的特性評価
著者	山矢隼, 坂下真介, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明 (名古屋大学先端技術共同研究センター), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科), 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科)
title	Electrical Properties of Praseodymium Silicate Grown on Si(111)
author(s)	Jun Yamaya, Shinsuke sakashita, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima(CCRAST Nagoya Univ.), Yukio Yasuda(Graduate School of Eng. Nagoya Univ), Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanded Sciences of Matter. Hiroshima Univ)

題名	MOCVD法によるPrシリケート膜の作製と特性評価
著者	土屋良重(東工大量子効果研セ), 藤田啓嗣, 野平博司, 服部健雄(武蔵工大工), 水田博(東工大院理工), 小田俊理(東工大量子効果研セ)
title	Fabrication and Characterization of Praseodymium Silicate Grown by MOCVD
author(s)	Yoshishige Tsuchiya(Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology ), Hirotsugu Fujita, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori(Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology), Hiroshi Mizuta(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology), Shunri Oda(Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology )

題名	High-κ酸化物薄膜の微視的構造と誘電物性に関する第一原理計算
著者	藤谷究, 加島瑛樹, 門脇直樹, 土井謙太郎, 中村康一, 立花明知(京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻), 服部健雄(武蔵工業大学工学部電気電子情報工学科)
title	First-Principle Calculations of Microscopic Structures and Dielectric Properties in High-k Oxide Thin Films
author(s)	Kiwamu Fujitani, Eiki Kashima, Naoki Kadowaki, Kentaro Doi, Koichi Nakamura, Akitomo Tachibana(Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University), Takeo Hattori(Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology)

題名	Si(100)面上に形成したランタンシリケート膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析
著者	白石貴義, 吉田徹史, 野平博司(武蔵工業大学), 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋(東京工業大学), 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学), 服部健雄(武蔵工業大学)
title	Depth Profiling of Composition and Chemical Structure of Lanthanum Silicate Film Formed on Si(100)
author(s)	Takayoshi Shiraishi, Tetsushi Yoshida, Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Ikumi Kashiwagi, Chizuru Ohshima, Shun-ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai(Tokyo Institute of Technology), Shinji Joumori, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Kyoto University), Takeo Hattori(Musashi Institute of Technology)

題名	Si(100)面上に形成したガドリニウム酸化膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析
著者	吉田徹史, 白石貴義, 野平博司(武蔵工大工), 柏木郁未(東工大総理工), 大島千鶴(東工大フロンティア研), 大見俊一郎(東工大総理工), 岩井洋(東工大フロンティア研), 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京大工), 服部健雄(武蔵工大工)
title	Depth Profiling of Composition and Chemical Structure of Gadolinium Oxide Film Formed on Si(100)
author(s)	Tetsushi Yoshida, Takayoshi Shiraishi, Hiroshi Nohira(Department of Electrical & Electronic Engineering, Musashi Inst. of Technol.), Ikumi Kashiwagi(Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Inst. of Technol.), Chizuru Ohshima(3Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Inst. of Technol.), Shun-ichiro Ohmi(Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Inst. of Technol.), Hiroshi Iwai(Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Inst. of Technol.), Shinji Jyomori, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University), Takeo Hattori(Department of Electrical & Electronic Engineering, Musashi Inst. of Technol.)

題名	NH₃を用いたLL-D&A法により作製したHfAlO_x(N)膜中の窒素の結合状態と電気特性
著者	岩本邦彦, 西村智朗(半導体MIRAIプロジェクト), 富永浩二(MIRAIプロジェクト), 安田哲二(半導体MIRAIプロジェクト), 木本浩司(物質・材料研究機構物質研究所), 生田目俊秀(半導体MIRAIプロジェクト), 鳥海明(東京大学)
title	Influence fo Nitrogen bonding states and electrical properties of HfAlO_x(N) films fabriceted by LL-D&A process using NH₃
author(s)	Kunihiko Iwamoto(MIRAI-ASET), Tomoaki Nishimura(MIRAI-ASRC,AIST), Koji Tominaga(MIRAI-ASET), Tetsuji Yasuda(MIRAI-ASRC,AIST), Koji Kimoto(AML-NIMS), Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET), Akira Toriumi(The University of Tokyo)

題名	硬X線角度分解光電子分光法と高分解能ラザフォード後方散乱法によるHfO₂膜/Si(100)の化学結合状態の深さ方向分析
著者	小林啓介(高輝度光科学研究センター), 高田恭孝(理研/SPring-8), 平野貴裕, ムスタファビンセマン, 高橋健介, 野平博司, 服部健雄(武蔵工業大学), 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学), 杉田義博(富士通), 中塚理, 酒井朗, 財満鎮明(名古屋大学), 玉作賢治(理研/SPring-8), 矢橋牧名(高輝度光科学研究センター), 石川哲也, 辛埴(理研/SPring-8)
title	Depth Profiling of Chemical Structures of HfO₂/Si(100) by Hard X-ray Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy and Medium Energy Rutherford Backscattering Studies
author(s)	Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Yasutaka Takata(RIKEN/SPring-8), Takahiro Hirano, Mustafa Bin Seman, Kensuke Takahashi, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori(Musashi Institute of Technology), Shinji Joumori, Kaoru Nakajima, Motoshi Suzuki, Kenji Kimura(Kyoto University), Yoshihiro Sugita(Fujitsu), Osamu Nakatsuka, Akira Sakai, Shigeaki Zaima(Nagoya University), Kenji Tamasaku(RIKEN/SPring-8), Makina Yabashi(JASRI/SPring-8), Tetsuya Ishikawa, Shigi Shin(RIKEN/SPring-8)

題名	放射光光電子分光とX線吸収分光による極薄Siゲート絶縁膜の電子状態
著者	豊田智史, 岡林潤, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学大学院工学系研究科), 小野寛太(高エネルギー加速器研究機構), 丹羽正昭, 臼田宏治, 劉国林(半導体理工学研究センター)
title	Electronic States of Ultrathin Gate Insulator Films Revealed by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy and X-ray Absorption Spectroscopy
author(s)	Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira(Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo), Masaharu Oshima(Department of Applied Chemistry, The University of TokyoDepartment of Applied Chemistry, The University of Tokyo), Kanta Ono(Institute of Materials Structure Science, KEK), Masaaki Niwa, Koji Usuda, G. L. Liu(Semiconductor Technology Academic Research Center)

題名	Ge及びSi基板上のHfO₂薄膜の初期成長過程の違い
著者	喜多浩之, 笹川将, 遠山仁博, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
title	Initial Growth Mechanism Difference between HfO₂ Films on Ge and Si Substrates
author(s)	Koji Kita, Masashi Sasagawa, Masahiro Toyama, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Science, The University of Tokyo)

題名	HfO₂/Si界面とSi表面の酸化機構の違い
著者	清水悠佳, 富田一行, 笹川将, 喜多浩之, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
title	Oxidation Mechanism at HfO₂/Si Interface
author(s)	Haruka Shimizu, Kazuyuki Tomida, Masashi Sasagawa, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Science, The University of Tokyo)

【評価】

題名	XPS時間依存測定法によるHfAlO_x薄膜中の電荷捕獲現象の評価
著者	廣瀬和之(宇宙研 JAXA、総研大), 山脇師之(総研大), 鳥居和功, 川原孝昭(半導体先端テクノロジーズ), 川尻智司, 服部健雄(武蔵工業大学)
title	Study on Carrier Trapping Phenomena in HfAlOx Film by using XPS Time-Dependent Measurement
author(s)	Kazuyuki Hirose(ISAS/JAXA), Moroyuki Yamawaki(Graduate University for Advanced Studies), Kazuyoshi Torii, Takaaki Kawahara(SELETE), Satosi Kawashiri, Takeo Hattori(Musashi Institute of Technology)

題名	HfSiON膜の構造と熱処理温度の影響
著者	山元隆志, 宮本隆志, 泉由貴子, 井上憲介, 橋本秀樹(東レリサーチセンター)
title	Structure of HfSiON Gate Dielectric and Effect of the High-Temperature Annealing
author(s)	Takashi Yamamoto, Takashi Miyamoto, Yukiko Izumi, Kensuke Inoue, Hideki Hashimoto(Toray Research Center)

題名	HfO₂/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化状態の定量分析
著者	中川博, 大田晃生, 竹野文人, 長町学, 村上秀樹, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科量子半導体工学研究室)
title	Characterization of interfacial oxidation in HfO₂/SiN_x/Si(100) stack structures
author(s)	Hiroshi Nakagawa(Graduate School of Advanced Sciences of Matter), Akio Oota(Graduate School of Advanced Sciences of Matter. Hiroshima University), Fumito Takeno, Satoru Nagamati, Hideki Murakami, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter)

題名	HfAlO_x/SiO₂/Si(100)ヘテロ接合の光電子分光分析
著者	大田晃生, 村上秀樹, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科量子半導体工学研究室), 川原孝明, 鳥居和功(半導体先端テクノロジーズ)
title	Photoemission Study of HfAlO_x/SiO₂/Si(100) Heterostructures
author(s)	Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Takaaki Kawahara, Kazuyoshi Torii(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.)

題名	Si(111)上にエピタキシャル成長した極薄CeO₂薄膜の構造
著者	城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学工学研究科機械物理工学専攻), 西川幸江, 松下大介, 山口豪(東芝LSI基盤技術ラボラトリー), 佐藤暢高(東芝ナノアナリシス)
title	Structure of Ultrathin Epitaxial CeO₂ Films Grown on Si(111)
author(s)	Sinji Joumori, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Department of Engineering Physics and Mechanics, Kyoto University), Yukie Nishikawa, Daisuke Matsushita, Takeshi Yamaguchi(Toshiba Corporation Advanced LSI Technology Laboratory), Nobutaka Satou(Toshiba Nanoanalysis Corporation)

題名	Si(001)表面での極薄酸化膜形成・分解過程のRHEED-AES/STMによる「その場」観察
著者	小川修一(東北大学), 吉越章隆(日本原子力研究所), 石塚眞治(秋田高専), 寺岡有殿(日本原子力研究所), 高桑雄二(東北大学)
title	In-situ observation of growth and decomposition of very thin oxide on Si(001) surface using RHEED-AES and STM
author(s)	Syuichi Ogawa(Tohoku University), Akitaka Yoshigoe(Japan Atomic Energy Research Institute), Shinji Ishizduka(Akita National College of Technology), Yuden Teraoka(Japan Atomic Energy Research Institute), Yuji Takakuwa(Tohoku University)

題名	過酸化水素を加えたHF溶液のシリコンウェハとSOIウェハ表面への影響
著者	芋生徳央(関西大学大学院工学研究科), 石山俊彦(NTT環境エネルギー研究所), 田村進, 大村泰久(関西大学ハイテクリサーチセンタ)
title	Influence of H₂O₂ Included in HF Solution on Surface Properties of Bulk Silicon Wafers and SOI Wafers
author(s)	Norio Imou(Graduate School of Eng., Kansai University), Toshihiko Ishiyama(NTT Energy and Environment Systems Laboratories), Susumu Tamura, Yasuhisa Omura(HRC, Kansai University)

題名	異種金属ゲートMOSを用いたエネルギー障壁高さの決定
著者	吉井直人, 森田諭, 篠崎昭仁, 青木稔, 森田瑞穂(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻)
title	Determination of Energy Barrier Heights in MOS Diodes Different Metal Gates
author(s)	Naoto Yoshii, Satoru Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering,)

題名	MOSトンネルダイオードにおける光電流の酸化膜厚依存性
著者	篠崎昭仁(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 森田有紀(大阪大学工学研究科精密科学専攻), 森田諭, 森田瑞穂(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻)
title	Oxide Thickness Dependence of Photo Currents of MOS Tunneling Diodes
author(s)	Akihito Sinozaki, Yuuki Morita, Satoru Morita, Mizuho Morita(osaka university faculty of technology)

題名	歪みSi/Si_0.7Ge_0.3の酸化による深さ方向組成変化
著者	黒岩諭人, 廣瀬佳久, 野平博司(武蔵工業大学工学部), 酒井渉, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学工学部), 澤野憲太郎, 白木靖寛(東京大学大学院工学系研究科), 中川清和(山梨大学工学部), 服部健雄(武蔵工業大学工学部)
title	Oxidation-Induced Changes in Compositional Depth Profile of Strained Si/Si_0.7Ge_0.3
author(s)	Tsuguhito Kuroiwa, Yoshihisa Hirose, Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Wataru Sakai, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Kyoto University), Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki(University of Tokyo), Kiyokazu Nakagawa(Yamanashi University), Takeo Hattori(Musashi Institute of Tecnology)

題名	原子状酸素により300 ℃で形成したSiO₂/Si界面構造
著者	塩路昌利(武蔵工業大学), 東和文, 中田行彦(液晶先端技術開発センター), 高橋健介, ムスタファビンセマン, 白石貴義, 吉田徹史, 野平博司(武蔵工業大学), 高田恭孝(理化学研究所放射光物性研究室), 小林啓介(高輝度光科学研究センター), 辛埴(理化学研究所放射光物性研究室), 服部健雄(武蔵工業大学)
title	SiO₂/Si Interface Structures Formed Using Atomic Oxygens at 300 ℃
author(s)	Masatoshi Shioji(Musashi Institute of Technology), Kazuhumi Azuma, Yukihiko Nakata(ALTEDEC), Kensuke Takahashi, Mustafa Bin Seman, Takayoshi Shiraishi, Tetsushi Yoshida, Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Yasutaka Takata(RIKEN/SPring-8), Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Shik Shin(RIKEN/SPring-8), Takeo Hattori(Musashi Institute of Technology)

【信頼性】

題名	厚いゲート酸化膜における絶縁破壊統計性
著者	久保田圭, 鎌倉良成, 谷口研二(阪大院・工), 須ケ原紀之, 清水了典(富士電機アドバンストテクノロジー(株))
title	Statistical Properties of Dielectric Breakdown in Thick Oxide Films
author(s)	Kei Kubota, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi(Department of Electronics and Information Systems, Osaka University), Yoshiyuki Sugahara, Ryosuke Shimizu(Device Technology Laboratory, Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd.)

題名	電流検出型原子間力顕微鏡によるゲート酸化膜のストレス誘起欠陥の検出
著者	渡辺行彦(（株）豊田中央研究所), 世古明義, 近藤博基, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 財満鎭明(名古屋大学先端科学技術共同研究センター ), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科)
title	Detection of stress-induced defects in gate SiO₂ films by conducting atomic force microscopy
author(s)	Yukihiko Watanabe(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.), Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Yukio Yasuda(Graduate School of Engineering, Nagoya University)

題名	極薄ゲートＭＯＳＦＥＴのホットキャリア効果
著者	本田博幸, 浦岡行治, 冬木隆(奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学), 佐々木隆興, 安平光雄(半導体先端テクノロジーズ)
title	Hot Carrier Effect in Ultla-Thin Gate oxide MOSFET
author(s)	Hiroyuki Honda, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institite of science and Technology/Material Science), Takaoki Sasaki, Mitsuo Yasuhira(SELETE)

題名	NBT劣化の回復現象とその機構の考察
著者	三谷祐一郎, 佐竹秀喜(東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title	Study on Recovery Phenomenon of NBTI
author(s)	Yuichiro Mitani, Hideki Satake(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corp.)

題名	pMOSFETのNBTI現象におけるゲート絶縁膜中のトラップ生成
著者	辻川真平(ルネサステクノロジ生産技術本部), 渡邉喜久雄, 土屋龍太(日立製作所中央研究所), 大西和博, 由上二郎(ルネサステクノロジ生産技術本部)
title	Evidence for the Generation of Bulk Traps by Negative Bias Temperature Stress
author(s)	Shimpei Tsujikawa(RENESAS Technology Corp.), Kikuo Watanabe, Ryuta Tsuchiya(Hitachi Ltd.), Kazuhiro Ohnishi, Jiro Yugami(RENESAS Technology Corp.)