「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 (第10回研究会)

応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」
第10回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2005年1月27日(木)

20:00-22:00

1)ゲートスタック材料の各種分析について（20分）TRC表面科学研究部　山元隆志、2)ゲートスタック材料のSIMS分析の基礎と応用（50分）TRC表面科学研究部　宮本隆志、3)ゲートスタック材料のFT-IR分析の基礎と応用（50分）TRC構造化学研究部　泉由貴子

2005年1月28日(金)

9:30-9:40

オープニング

9:40-10:30

◎

title	Interface Engineering for High-k/Si and High-k/Ge Structures
author(s)	P.C. McIntyre, H. Kim, K-I. Seo(Materials Science and Engineering, Stanford University), C.O. Chui(Electrical Engineering Departments, Stanford University), B.B. Triplett, D-I. Lee(Materials Science and Engineering, Stanford University), P. Pianetta(Stanford Synchrotron Radiation Laboratory, Stanford University), S. Stemmer(Materials Department, University of California, Santa Barbara), K.C. Saraswat(Electrical Engineering Departments, Stanford University)
ページ	pp. 1 - 6

10:30-11:20

◎

題名	サブ50nmCMOSの低電力化技術
著者	最上徹(日本電気（株）システムデバイス研究所)
title	Low-Power Device Technology for Sub-50nm CMOS
author(s)	Tohru Mogami(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 7 - 12

11:20-11:55

○

題名	極薄ゲート酸化膜・High-kゲート絶縁膜を用いた次世代CMOSFETの信頼性の課題
著者	高柳万里子(（株）東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター)
title	Issues on Relaibility of Advanced CMOSFETs
author(s)	Mariko Takayanagi(SoC R&D Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company)
ページ	pp. 13 - 16

昼食

13:00-13:35

○

題名	完全Si窒化膜の酸化による極薄（EOT=0.7nm）ゲートSiON形成
著者	松下大介, 村岡浩一, 加藤弘一, 中崎靖(（株）東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 犬宮誠治, 江口和弘((株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター), 高柳万里子((株)東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター)
title	Novel Fabrication Process to Realize Ultra-thin (EOT = 0.7nm) and Ultra-low Leakage SiON Gate Dielectrics
author(s)	Daisuke Matsushita, Koichi Muraoka , Koichi Kato, Yasushi Nakasaki(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation), Seiji Inumiya, Kazuhiro Eguchi(Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company), Mariko Takayanagi(SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company)
ページ	pp. 17 - 22

13:35-14:00

題名	パルス時間変調窒素プラズマによる酸窒化膜の形成について
著者	福田誠一(ソニー株式会社セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー), 田口千尋(東北大学流体科学研究所), 加藤裕司, 石川寧, 野田周一, 寒川誠二(東北大学流体研)
title	Formation of Oxy-nitride Films using Pulse Time Modulated Nitrogen Plasma
author(s)	Seiichi Fukuda(Semiconductor Solutions Network Company, Sony Corporation), Chihiro Taguchi, Yuji Kato, Yasushi Ishikawa, Shuichi Noda, Seiji Samukawa(Institute of Fluid Science, Tohoku University)
ページ	pp. 23 - 27

14:00-14:25

題名	プラズマ窒化により形成したシリコン酸窒化膜中の窒素原子の深さ方向分布
著者	品川盛治(武蔵工業大学), 生田哲也, 堀充明, 加瀬正隆((株)富士通), 岡本英介, 吉田徹史, 野平博司, 服部健雄(武蔵工業大学)
title	Depth Profile of Nitrogen Atoms in Silicon Oxynitrides formed by Plasma Nitridation
author(s)	Seiji Shinagawa(Musashi Institute of Technology), Tetsuya Ikuta, Mitsuaki Hori, Masataka Kase(Fujitsu Ltd.), Hideyuki Okamoto, Tetsushi Yoshida, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori(Musashi Institute of Technology)
ページ	pp. 29 - 34

14:25-14:50

題名	Si熱酸化における界面原子構造変化と歪み緩和機構
著者	影島博之, 植松真司(NTT物性科学基礎研究所), 赤木和人, 常行真司(東京大学大学院理学系研究科), 秋山亨(三重大学工学部), 白石賢二(筑波大学大学院数理物質科学研究科)
title	Progress of Interfacial Atomic Structure and Mechanisms of Stress Release During Si Thermal Oxidation
author(s)	Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratories), Masashi Uematsu(NTT Basic Research laboratories), Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(University of Tokyo), Toru Akiyama(Mie University), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba)
ページ	pp. 35 - 40

14:50-15:15

題名	SiO₂ネットワーク中の原子状酸素と分子状酸素の反応と拡散
著者	辰村光介(早稲田大学理工学部), 志村考功, 三島永嗣(大阪大学工学部), 川村浩太(大阪大学大学院工学研究科), 山崎大輔, 山本英明, 渡邉孝信(早稲田大学理工学部), 梅野正隆(福井工業大学工学部), 大泊巌(早稲田大学理工学部)
title	Reactions and Diffusion of Atomic and Molecular Oxygen in the SiO₂ Network
author(s)	Kosuke Tatsumura(School of Science and Engineering, Waseda University), Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kohta Kawamura(School of Engineering, Osaka University), Daisuke YAMASAKI, Hideaki Yamamoto, Takanobu Watanabe(School of Science and Engineering, Waseda University), Masataka Umeno(Faculty of Engineering, Fukui University of Technology), Iwao Ohdomari(School of Science and Engineering, Waseda University)
ページ	pp. 41 - 44

休憩

15:35-16:25

◎

title	A Model for Negative Bias Temperature Instability in Oxide and High k pFETs
author(s)	Sufi Zafar(T.J. Watson Research Center, IBM)
ページ	pp. 45 - 50

16:25-16:50

題名	NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ
著者	辻川真平, 赤松泰彦, 梅田浩司, 由上二郎(ルネサステクノロジプロセス開発部)
title	Scalability of SiON Gate Dielectric in Terms of NBTI
author(s)	Shimpei Tsujikawa, Yasuhiko Akamatsu, Hiroshi Umeda, Jiro Yugami(Renesas Technology Corp. Process Development Dept.)
ページ	pp. 51 - 56

16:50-17:15

題名	HfAlO_X/SiO₂高誘電率ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構モデル
著者	岡田健治(ASET-半導体MIRAIプロジェクト), 水林亘(産総研ASRC-半導体MIRAIプロジェクト), 安田直樹, 佐竹秀喜(ASET-半導体MIRAIプロジェクト), 太田裕之(産総研ASRC-半導体MIRAIプロジェクト), 門島勝, 富永浩二, 小川有人, 岩本邦彦(ASET-半導体MIRAIプロジェクト), 堀川剛(産総研ASRC-半導体MIRAIプロジェクト), 生田目俊秀(ASET-半導体MIRAIプロジェクト), 鳥海明(産総研ASRC-半導体MIRAIプロジェクト，東京大学)
title	Model for Dielectric Breakdown Mechanism of HfAlO_X/SiO₂ Stacked Gate Dielectrics ~ Generated Subordinate Carrier Injection Model ~
author(s)	Kenji Okada(MIRAI-ASET), Wataru Mizubayashi(MIRAI-ASRC,AIST), Naoki Yasuda, Hideki Satake(MIRAI-ASET), Hiroyuki Ota(MIRAI-ASRC,AIST), Masaru Kadoshima, Koji Tominaga, Arito Ogawa, Kunihiko Iwamoto(MIRAI-ASET), Tsuyoshi Horikawa(MIRAI-ASRC,AIST), Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET), Akira Toriumi(MIRAI-ASRC,AIST, The University of Tokyo)
ページ	pp. 57 - 62

17:15-17:40

題名	HfSiON膜の絶縁破壊における膜中キャリアの寄与
著者	平野泉, 山口豪, 三谷祐一郎, 飯島良介((株）東芝研究開発センター), 関根克行, 高柳万里子, 江口和弘((株）東芝セミコンダクター社), 福島伸((株）東芝研究開発センター)
title	Influence of Electron and Hole Fluence on Dielectric Breakdown of HfSiON
author(s)	Izumi Hirano, Takeshi Yamaguchi, Yuichiro Mitani, Ryosuke Iijima(Corporate R&D Cente, Toshiba Corporation), Katsuyuki Sekine, Mariko Takayanagi, Kazuhiro Eguchi(Semiconductor Company, Toshiba Corporation), Noburu Fukushima(Corporate R&D Cente, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 63 - 68

休憩

18:00-19:30

夕食・懇親会

19:30-22:00

ポスターセッション

2005年1月29日(土)

8:30-9:20

◎

title	Uniaxial Strained Silicon CMOS Transistors
author(s)	K. Mistry, C. Auth, A. Cappellani, S. Cea, G. Curello, S. Gannavaram, T. Ghani, O. Golonzka, H. Gomez, T. Hoffmann, J. Hwang, R. James, S.-H. Lee, A. Murthy, S. Natarajan, R. Nagisetty, J.Sandford, B. Sell, R.Shaheed, A. Sharma, S. Tyagi, C. Weber, K. Zawadzki, P. Bai, M. Bohr(Logic Technology Development, Intel Corp.)
ページ	pp. 69 - 73

9:20-9:45

題名	歪みSi基板の応力・欠陥構造評価
著者	杉江隆一, 松田景子, 伊藤俊彦, 村司雄一, 井上憲介, 長谷川剛啓, 永井直人, 吉川正信(東レリサーチセンター)
title	Characterization of Stress and Defect Structures in Strained Si Wafers
author(s)	Ryuichi Sugie, Keiko Matsuda, Toshihiko Ito, Yuichi Muraji, Kensuke Inoue, Takahiro Hasegawa, Naoto Nagai, Masanobu Yoshikawa(Toray Research Center)
ページ	pp. 75 - 80

9:45-10:10

題名	第一原理電子輸送特性計算による酸化シリコン薄膜のリーク電流の予測
著者	中川大輔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 小野倫也(大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター), 広瀬喜久治(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻)
title	Analysis of Leakage Current Through a Silicon Oxide Film using First-principles Electron Transport Calculation
author(s)	Daisuke Nakagawa(Department of Precision Science and Technology, Osaka University), Tomoya Ono(Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Osaka University), Kikuji Hirose(Department of Precision Science and Technology, Osaka University)
ページ	pp. 81 - 85

休憩

10:30-11:05

○

題名	次世代MOSFET向けメタルゲート技術の現状と課題
著者	須黒恭一, 中嶋一明, 斎藤友博, 松尾浩司, 八木下淳史, 江口和弘(（株）東芝プロセス技術推進センター), 土屋義規, 小山正人, 西山彰(（株）東芝研究開発センター)
title	Current Status and Issues of Metal Gate Technology for Next-Generation MOSFETs
author(s)	Kyoichi Suguro, Kazuaki Nakajima, Tomohiro Saito, Koji Matsuo, Atsushi Yagishita, Kazuhiro Eguchi(Process and Manufacturing Eng. Ctr., Toshiba Corporation), Yoshinori Tsuchiya, Masato Koyama, Akira Nishiyama(Adv. Semiconductor. Lab., Toshiba Corporation)
ページ	pp. 87 - 90

11:05-11:30

題名	p-MOSFETs適用のためのPtフルシリサイド電極の実効仕事関数
著者	門島勝, 生田目俊秀, 岩本邦彦, 三瀬信行(MIRAI-ASET), 右田真司(MIRAI-産総研ASRC), 大野守史(MIRAI-ASET), 太田裕之(MIRAI-産総研ASRC), 小川有人, 富永浩二, 佐竹秀喜(MIRAI-ASET), 鳥海明(MIRAI-産総研ASRC, The University of Tokyo)
title	Effective Work Function of Fully Silicided Platinum Gate Electrodes
author(s)	Masaru Kadoshima, Toshihide Nabatame, Kunihiko Iwamoto, Nobuyuki Mise(MIRAI-ASET), Shinji Migita(MIRAI-ASRC, AIST), Morifumi Ohno(MIRAI-ASET), Ota Hiroyuki(MIRAI-ASRC, AIST), Ogawa Arito, Koji Tominaga, Hideki Satake(MIRAI-ASET), Akira Toriumi(MIRAI-ASRC, AIST, The University of Tokyo)
ページ	pp. 91 - 96

11:30-11:55

題名	FUGE(Fully Germanided Gate)プロセスにより形成したゲート電極の実効仕事関数とその決定要因の考察
著者	土屋義規, 小山正人, 古賀淳二, 西山彰((株)東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title	Material Characterization of Metal-germanide Gate Electrodes with Si-band-edge Work Function formed by FUGE (Fully Germanided Gate) process.
author(s)	Yoshinori Tsuchiya, Masato Koyama, Junji Koga, Akira Nishiyama(Advanced LSI Technology Laboratory, TOSHIBA Corp.)
ページ	pp. 97 - 102

昼食

13:00-13:35

○

題名	Hf系High-k絶縁膜／ゲート電極界面のフェルミレベルピニング機構の酸素空孔モデルに基づく理論的考察
著者	白石賢二(筑波大学物理学系物質材料研究機構), 山田啓作(早稲田大学ナノテクノロジー研究所物質材料研究機構), 鳥居和功, 赤坂泰志(（株）半導体先端テクノロジーズ), 中島清美(物質材料研究機構), 今野充(（株）日立サイエンスシステムズ), 知京豊裕(物質材料研究機構), 北島洋, 有門経敏(（株）半導体先端テクノロジーズ)
title	Theoretical Studies on the Mechanism of Fermi Level Pinning at p+poly-Si-Gate/Hf Based High-k Dielectric Interfaces
author(s)	Kenji Shiraishi(Institute of Physics, University of Tsukuba National Insitute for Material Science), Keisaku Yamada(Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University National Insitute for Material Science ), Kazuyoshi Torii, Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.), Kiyomi Nakajima(National Insitute for Material Science), Mitsuru Konno(Hitachi Science Systems Inc.), Toyohiro Chikyow(National Insitute for Material Science), Hiroshi Kitajima, Tsunetoshi Arikado(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.)
ページ	pp. 103 - 108

13:35-14:00

題名	多結晶Si / Hf系ゲート絶縁膜における非対称Vfbシフトモデルの実験的検証
著者	上牟田雄一, 小山正人, 井野恒洋(東芝研究開発センターＬＳＩ基盤技術ラボラトリー), 金子明生, 犬宮誠治, 佐藤基之, 江口和弘(東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター), 高柳万里子(東芝セミコンダクター社ＳｏＣ研究開発センター), 富田充裕, 西山彰(東芝研究開発センターＬＳＩ基盤技術ラボラトリー)
title	Experimental Verification on the Asymmetric V_fb Shift Model for Poly-Si/HfSiON Gate Stack
author(s)	Yuuichi Kamimuta, Masato Koyama, Tsunehiro Ino(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation), Akio Kaneko, Seiji Inumiya, Motoyuki Sato, Kazuhiro Eguchi(Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company ), Mariko Takayanagi(SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company ), Mitsuhiro Tomita, Akira Nishiyama(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 109 - 114

14:00-14:25

題名	Hfを基礎としたHigh-kゲート絶縁膜のリーク電流を減少させるN原子の本質的な効果：酸素原子空孔に起因するリークパスを遮断するN原子の役割
著者	梅澤直人(物質材料研究機構), 白石賢二(筑波大学), 大野隆央(物質材料研究機構), 渡部平司(大阪大学), 知京豊裕(物質材料研究機構), 鳥居和功(半導体先端テクノロジーズ), 山部紀久夫(筑波大学), 山田啓作(早稲田大学), 北島洋(半導体先端テクノロジーズ), 有門経敏(東京エレクトロンAT株式会社)
title	Intrinsic Effect of a Nitrogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics -Nitrogen Induced Atomistic Cutoff of “O Vacancy Mediated Leakage Paths”
author(s)	Naoto Umezawa(National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Takahisa Ohno(National Institute for Materials Science), Heiji Watanabe(University of Osaka), Toyohiro Chikyow(National Institute for Materials Science), Kazuyoshi Torii(Selete), Kikuo Yamabe(University of Tsukuba), Keisaku Yamada(Waseda University), Hiroshi Kitajima(Selete), Tsunetoshi Arikado(Tokyo Electron)
ページ	pp. 115 - 119

14:25-14:50

題名	強誘電体ゲートFET用HfO₂バッファ層とデータ保持特性における効果
著者	會澤康治(東京工業大学精密工学研究所), 川島良仁, 高橋憲弘(東京工業大学総合理工学研究科), 朴炳垠(ソウル市立大学電気計算機工学科), 石原宏(東京工業大学総合理工学研究科)
title	HfO₂ Buffer Layers in Ferroelectric-gate Field-effect Transistors and Effect on Their Data Retention Characteristics
author(s)	Koji Aizawa(Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology), Yoshihito Kawashima, Kazuhiro Takahashi(Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology), Byung-Eun Park(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul), Hiroshi Ishiwara(Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology)
ページ	pp. 121 - 126

休憩

15:10-15:35

題名	Carrier Separation法を用いたHfAlO_x/SiONゲート絶縁膜の伝導機構解析
著者	後藤正和, 樋口恵一, 内藤達也(筑波大学大学院電子・物理工学専攻), 鳥居和功(半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学大学院電子・物理工学専攻)
title	Conduction Mechanism Analyses of HfAlO_x/SiON Gate Dielectric Films by Carrier Separation Method
author(s)	Masakazu Goto, Keiichi Higuchi, Tatsuya Naito( Institute of Applied Physics, University of Tsukuba), Kazuyoshi Torii(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete)), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe( Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)
ページ	pp. 127 - 132

15:35-16:00

題名	La₂O₃-Al₂O₃膜の電気的特性に及ぼす熱酸化処理の効果
著者	藤塚良太, 有吉恵子, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川正毅(名古屋大学エコトピア科学研究機構), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科 (現高知工科大学総合研究所))
title	Effects of Thermal Oxidation Treatment on Electrical Properties of La₂O₃-Al₂O₃ Composite Films
author(s)	Ryota Fujitsuka, Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.), Masaki Ogawa(EcoTopia Science Institute, Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.), Yukio Yasuda(Graduate School of Eng. Nagoya Univ. (Present affiliation: Kochi Univ. of Tech.))
ページ	pp. 133 - 138

16:00-16:35

○

題名	65nmノードLSTP向けHigh-kゲート絶縁膜　～HfSiONとHfAlOxの比較
著者	鳥居和功, 川原孝昭, 三橋理一郎, 金雨植, 青山知憲, 神山聡, 田村泰之, 大路洋, 北島洋((株)半導体先端テクノロジーズ)
title	High-k Gate Insulators for 65nm Node LSTP FETs
author(s)	Kazuyoshi Torii, Takaaki Kawahara, Riitichro Mihashi, Kim Woo Sik, Tomonori Aoyama, Satoshi Kamiyama, Yasuyuki Tamura, Hiroshi Ohji, Hiroshi Kitajima(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.)
ページ	pp. 139 - 144

クロージング

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2005年1月28日(金) 19:30-22:00)

【形成】

題名	低pH溶液処理とH₂アニールの組み合わせによるデバイス開口部でのステップ-テラス構造の形成
著者	森田行則, 西澤正泰(半導体MIRAI-産総研ASRC)
title	Low Temperature Step and Terrace Formation on Si(001) Wafer with Device Isolation Oxide for LSI Fabrication by Low pH Wet Treatment and H₂ Annealing.
author(s)	Yukinori Morita, Masayasu Nishizawa(MIRAI-ASRC AIST)
ページ	pp. 145 - 149

題名	Si酸窒化膜中の拡散に対するNの効果
著者	植松真司, 影島博之(NTT物性科学基礎研究所), 白石賢二(筑波大学物理)
title	Effect of N on Diffusion in Silicon Oxynitride
author(s)	Masashi Uematsu, Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratories), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba)
ページ	pp. 151 - 156

題名	Si/SiO₂系のための電荷移動原子間ポテンシャルの開発
著者	熊谷知久(東京大学大学院工学系研究科), 泉聡志(東京大学工学部), 原祥太郎(東京大学大学院工学系研究科), 酒井信介(東京大学工学部)
title	Development of a Charge-transfer Interatomic Potential for Si/SiO₂ Systems
author(s)	Tomohisa Kumagai, Satoshi Izumi, Shotaro Hara, Shinsuke Sakai(Department of Mechanical Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 157 - 160

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜と界面SiO₂層との間の原子相互拡散
著者	小坂裕子, 山崎隆浩, 金田千穂子(富士通研究所/シリコンテクノロジ研究所)
title	Interdiffusion Between Hf-based Alloys and Interfacial SiO₂ Layers
author(s)	Yuko Kosaka, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta(FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページ	pp. 161 - 166

題名	GIXR法によるhigh-kマルチレイヤーの解析
著者	清水悠佳, 富田一行, 喜多浩之, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
title	GIXR Analysis of High-k Multi-layer Structure
author(s)	Haruka Shimizu, Kazuyuki Tomida, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 167 - 172

題名	低エネルギー励起XPSスペクトルによるHfSiON膜の電子構造の評価
著者	辻淳一((株)東レリサーチセンター／構造化学研究部), 宮田洋明, 山元隆志((株)東レリサーチセンター／表面科学研究部), 橋本秀樹((株)東レリサーチセンター／形態科学研究部)
title	Characterization of Electronic Property for HfSiON Film by means of XPS Spectra Excited by Low Energy X-rays
author(s)	Junichi Tsuji(Toray Research Center, Inc. / Materials Science Laboratory), Hiroaki Miyata, Takashi Yamamoto, Hideki Hashimoto(Toray Research Center, Inc.)
ページ	pp. 173 - 178

題名	光電子収率分光法によるpoly-Si/HfO₂ 界面の欠陥密度評価
著者	大田晃生, 中川博, 杉村将士, 柴口拓, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科)
title	Evaluation of Electronic Defect States at Poly-Si/HfO₂
author(s)	Akio Ohta, Hiroshi Nakagawa, Masashi Sugimura, Taku Shibaguchi, Hideki Murakami, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter Hiroshima Univ.)
ページ	pp. 179 - 184

題名	Poly-Si/HfSiON 系における異常なVfbシフトの発生機構に関する実験的考察
著者	犬宮誠治, 金子明生, 関根克行, 佐藤基之, 中嶋一明, 齋藤友博(東芝セミコンダクター社), 小山正人, 土屋義則, 西山彰(東芝研究開発センター), 江口和弘, 須黒恭一, 綱島祥隆(東芝セミコンダクター社)
title	Experimental Consideration to the Mechanism of Abnormal Vfb Shifts in Poly-Si/HfSiON Systems
author(s)	Seiji Inumiya, Akio Kaneko, Katsuyuki Sekine, Motoyuki Sato, Kazuaki Nakajima, Tomohiro Saito(Semiconductor Company, Toshiba), Masato Koyama, Yoshinori Tsuchiya, Akira Nishiyama(Corporate R&D Center, Toshiba), Kazuhiro Eguchi, Kyoichi Suguro, Yoshitaka Tsunashima(Semiconductor Company, Toshiba)
ページ	pp. 185 - 190

題名	High-k膜成長中のHf吸着による下地極薄SiO₂中間層の劣化
著者	邱徳威, 田辺正明(筑波大・学際物質科学研究センター), 上殿明良(筑波大・電子物理工学専攻), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大・学際物質科学研究センター、筑波大・学際物質科学研究センター)
title	Degradation of Ultrathin Interlayer SiO₂ by Hf Adsorption during High-k Dielectric Film Growth
author(s)	Te-Wei Chiu, Masaaki Tanabe(TIMS, Univ. of Tsukuba), Akira Uedono(Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(TIMS, Univ. of Tsukuba, Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 191 - 196

題名	LaAlO/Si構造における界面層生成機構と抑制
著者	鈴木正道, 山口豪(東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー)
title	Formation Mechanism of Interface Layer in LaAlO/Si Structure and its Suppression
author(s)	Masamichi Suzuki, Takeshi Yamaguchi(Advanced LSI Technology Laboratory Corporate Research & Development Center)
ページ	pp. 197 - 202

題名	LaOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性
著者	野平博司, 吉田徹史, 岡本英介, 品川盛治(武蔵工大工), 酒井渉, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京大工), ンジンアン, 小林洋一, 宮内邦治, 吉田丈治(東工大総理工), 大見俊一郎(東工大フロンティア研), 岩井洋(東工大総理工), 池永英司, 高田恭孝, 辛埴(理研／SPring-8), 小林啓介(高輝度光科学研究センター), 服部健雄(武蔵工大工)
title	Annealing-Temperature Dependence of Chemical Structures of LaOx/Si Interfacial Transition Layer
author(s)	Hiroshi Nohira, Tetsushi Yoshida, Hideyuki Okamoto, Seiji Shinagawa(Musashi Inst. of Tech.), Wataru Sakai, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Kyoto Univ.), Ng Jin Aun, Kobayashi Yoichi, Miyauchi Kuniharu, Takeharu Yoshida(Tokyo Inst. of Tech. IGSSE), Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech. FCRC), Hiroshi Iwai(Tokyo Inst. of Tech. IGSSE), Eiji Ikenaga, Yasutaka Takata, Shigi Shin (RIKEN/SPring-8), Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Takeo Hattori(Musashi Inst. of Tech.)
ページ	pp. 203 - 208

題名	HfO₂を堆積したGe基板界面の面方位による違い
著者	遠山仁博, 喜多浩之, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
title	Effects of Germanium Surface Orientation on HfO₂/Ge Interface
author(s)	Masahiro Toyama, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページ	pp. 209 - 214

題名	high-kゲート65nm node LSTPトランジスタの特性改善
著者	林岳, 水谷斉治(（株）ルネサステクノロジ/生産本部), 野村幸司(（株）ルネサスセミコンダクタエンジニアリング), 井上真雄(（株）ルネサステクノロジ/生産本部), 嶋本泰洋(日立製作所/中央研究所), 由上二郎, 土本淳一, 山下朋弘, 林清志, 尾田秀一, 栄森貴尚(（株）ルネサステクノロジ/生産本部)
title	Improvement of electrical characteristics in 65nm node LSTP transistor with high-k gate
author(s)	Takashi Hayashi, Masaharu Mizutani(Renesas Technology Corp./Production and Technology Unit), Koji Nomura(Renesas Semiconductor Engineering Corp.), Masao Inoue(Renesas Technology Corp./Production and Technology Unit), Yasuhiro Shimamoto(Hitachi Ltd./Central Research Laboratory), Jiro Yugami, Junichi Tsuchimoto, Tomohiro Yamashita, Kiyoshi Hayashi, Hidekazu Oda, Takahisa Eimori(Renesas Technology Corp./Production and Technology Unit)
ページ	pp. 215 - 219

【メタルゲート電極】

題名	デュアルメタル電極/HfSiOゲート絶縁膜MOSトランジスタの作製と電気特性の評価
著者	高橋健介, 間部謙三, 森岡あゆ香, 五十嵐多恵子, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹(NEC システムデバイス研究所)
title	Fabrication and Electrical Characteristics of MOS Transistors with Dual-Metal/HfSiO Gate Stack
author(s)	Kensuke Takahashi, Kenzo Manabe, Ayuka Morioka, Taeko Ikarashi, Takuya Yoshihara, Heiji Watanabe, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 221 - 225

題名	窒素添加MoゲートMOSFETにおけるしきい値電圧制御
著者	芝原健太郎, 日野真毅, 佐野孝輔, 大石範弘, 細井卓二(広島大学ナノデバイス・システム研究センター)
title	Threshold Voltage Control of Nitrogen-doped-Mo Gate MOSFETs
author(s)	Kentaro Shibahara, Masaki Hino, Kosuke Sano, Norihiro Ooishi, Takuji Hosoi(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ.)
ページ	pp. 227 - 230

題名	ニッケルフルシリサイド電極のHfSiONゲート絶縁膜への適用
著者	間部謙三, 高橋健介, 五十嵐多恵子, 森岡あゆ香, 渡部平司, 吉原拓也, 辰巳徹(NECシステムデバイス研究所)
title	Fully Silicided NiSi Gate Electrodes on HfSiON Gate Dielectrics for Low Power Devices
author(s)	Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Taeko Ikarashi, Ayuka Morioka, Heiji Watanabe, Takuya Yoshihara, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページ	pp. 231 - 236

題名	次世代MOSデバイスに向けたNiGeゲート電極の電気的特性および結晶性評価
著者	金子幸広, 梅山基樹, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗(名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻), 小川正毅(名古屋大学エコトピア科学研究機構先端技術共同研究センター), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻), 安田幸夫(名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 (現所属：高知工科大学総合研究所）)
title	Electrical Properties and Crystal Structures of NiGe Alloy as Gate Electrodes for Advanced MOS Devices
author(s)	Yukihiro Kaneko, Motoki Umeyama, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science & Technology, EcoTopia Science Institute, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University), Yukio Yasuda(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University (Present affiliation: Research Institute, Kochi University of Technology))
ページ	pp. 237 - 242

【評価】

題名	Si/SiO₂及びpoly-Si/SiO₂の界面遷移層の電気特性への影響
著者	渡辺浩志, 松下大介, 村岡浩一(（株）東芝 LSI基盤技術ラボラトリ)
title	Impact of Interfacial Transition Layers Between Si and SiO₂ and Between poly-Si and SiO₂ on Electrical Characteristids
author(s)	Hiroshi Watanabe, Daisuke Matsushita, Kouichi Muraoka(Adv. LSI Tech. Lab., Toshiba Corpo.)
ページ	pp. 243 - 248

題名	極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法
著者	小村政則(東北大学大学院工学研究科), 黒田理人(東北大学工学部), 渡辺一史(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸(東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川成利(東北大学大学院工学研究科), 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
title	Study of EOT Measurement for Ultra-Thin Gate Dielectrics
author(s)	Masanori Komura(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Rihito Kuroda(Faculty of Engineering, Tohoku University), Kazufumi Watanabe(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 249 - 254

題名	リーク電流を伴う極薄SiO₂膜を持つMOS(FET)の容量特性評価
著者	富田一行, 小林達也, 喜多浩之, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院工学研究科マテリアル工学専攻)
title	C-V Characteristics of MOS(FET) with Leaky Ultra-thin SiO₂ Films
author(s)	Kazuyuki Tomida, Tatsuya Kobayashi, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials science, School of Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 255 - 260

題名	高分解能RBSによるゲート絶縁膜の深さ方向分析精度の向上
著者	笹川薫(コベルコ科研)
title	Improvement of the Accuracy of the Depth Distribution Analysis of Gate Dielectric Films by High-resolution RBS
author(s)	Kaoru Sasakawa(Kobelco Research Institute, Inc.)
ページ	pp. 261 - 264

題名	CVD-SiO₂膜のアニール効果のOCP法による評価
著者	喜多浩之, 弓野健太郎, 鳥海明(東京大学大学院マテリアル工学専攻)
title	Annealing Effects on CVD-SiO₂ Films Characterized by OCP Measurement
author(s)	Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Dept. of Materials Science, The Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 265 - 270

題名	コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング
著者	吉田慎一(大阪大学工学部精密科学専攻), 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), Ahmet Parhat, 知京豊裕(物質・材料研究機構), 山田啓作(早稲田大学)
title	Work Function Mapping for Composition Spread Pt-W Combinatorial Metal Gate Electrodes
author(s)	Shiniti Yoshida(Department of Precision Science and Technology, School of Engineering, Osaka University), Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Ahmet Parhat, Toyohiro Chikyou(National Institute for Material Science), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページ	pp. 271 - 274

題名	放射光光電子分光によるpoly-Si/HfO₂/ Siの化学結合状態：UHV中アニール効果
著者	高橋晴彦, 豊田智史, 岡林潤, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学工学部応用化学科), 杉田義博, 劉国林, 劉紫園, 臼田宏治(半導体理工学研究センター)
title	Annealing effect of poly-Si/HfO₂/Si in UHV studied by photoemission spectroscopy
author(s)	Haruhiko Takahashi, Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo), Yoshihiro Sugita, G. L. Liu, Z. Liu, Koji Usuda(Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 275 - 279

題名	ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ
著者	岡本英介(武蔵工業大学), 東和文(液晶先端技術開発センター), 品川盛治, 吉田徹史, 野平博司(武蔵工業大学), 池永英司(高輝度光科学研究センター), 高田恭孝(理化学研究所), 小林啓介(高輝度光科学研究センター), 辛埴(理化学研究所), 服部健雄(武蔵工業大学)
title	Electron Escape Depths in Ultrathin Silicon Oxide Fillms Formed on Si(100) by Radical and Thermal Oxidation
author(s)	Hideyuki Okamoto(Musashi Instrument of Technology), Kazuhumi Azuma(Advanced LCD Technolgies Development Center Co. Ltd), Seiji Shinagawa, Tetsushi Yosida, Hiroshi Nohira(Musashi Instrument of Technology), Eiji Ikenaga(RIKEN/Spring-8), Yasutaka Takata(JASRI/Spring-8), Keisuke Kobayashi(RIKEN/Spring-8), Shigi Shin(JASRI/Spring-8), Takeo Hattori(Musashi Instrument of Technology)
ページ	pp. 281 - 284

題名	窒素添加したHfO₂/Si(100)構造における化学結合状態評価
著者	中川博, 竹野文人, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻量子半導体工学研究室)
title	Characterization of Chemical Bonding Features of NH₃-Annealed Hafnium Oxides Formed on Si(100)
author(s)	Hiroshi Nakagawa, Fumito Takeno, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter)
ページ	pp. 285 - 290

題名	高温熱処理がALCVD-Al₂O₃/Si₃N₄/Si(100)スタック構造に与える影響-光電子分光分析
著者	竹野文人, 大田晃生, 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科), 米田賢司, 堀川貢弘, 小山邦明(エルピーダメモリ株式会社 T&D Office, APD Gr.)
title	Impact of Rapid Thermal Annealing on ALCVD Al₂O₃/Si₃N₄/Si(100) Stack Structures -Photoelectron Spectroscopy
author(s)	Fumito Takeno, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki(Grad. School of AdSM.,Hiroshima Univ.), Kenji Komeda, Mitsuhiro Horikawa, Kuniaki Koyama(T&D Office, APD Gr., Elpida Memory Inc.)
ページ	pp. 291 - 296

題名	リアルタイムRHEED-AESによるSi(001)表面層状酸化の律速反応の解明
著者	小川修一, 高桑雄二(東北大学多元物質科学研究所)
title	Rate-limiting Reaction of Layer-by-layer Oxidation on Si(001) Surface Studied by Real-time RHEED Combined with AES
author(s)	Syuichi Ogawa(IMRAM, Tohoku Univ. ), Yuji Takakuwa(IMRAM, Tohoku Univ.)
ページ	pp. 297 - 302

題名	熱処理によるHf_xAl_yO_z膜の化学構造と界面状態の変化
著者	関洋文, 宮本隆志, 山元隆志, 泉由貴子, 永井直人(東レリサーチセンター)
title	Change in the Chemical Structure and the Interface State of Hf_xAl_yO_z Films by Heat Treatment
author(s)	Hirofumi Seki, Takashi Miyamoto, Takashi Yamamoto, Yukiko Izumi, Naoto Nagai(Toray Reseach Center Inc.)
ページ	pp. 303 - 308

題名	HfO₂/SiO₂スタック構造におけるリーク電流の極性依存性：UHV-C-AFMによる観察
著者	弓野健太郎, 喜多浩之, 鳥海明(東京大学)
title	Polarity Dependence of Leakage Current in HfO₂/SiO₂ Stacked Structures : An Observation by UHV-C-AFM
author(s)	Kentaro Kyuno, Koji Kita, Akira Toriumi(The University of Tokyo)
ページ	pp. 309 - 314

題名	AFMを用いた初期酸化におけるSi(111)幅広テラス内の形状変化とその影響評価
著者	岡本純一, 徳田規夫(筑波大学大学院電子・物理工学 ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学大学院電子・物理工学筑波大学・学際物質科学研究センター)
title	Morphology Change and Its Effect in Initial Oxidation Characterized by AFM on Wide Terrace on Si(111)
author(s)	Junichi Okamoto, Norio Tokuda(Inst. of App. Physics, Univ. of Tsukuba ), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Inst. of App. Physics, Univ. of Tsukuba TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 315 - 320

【信頼性】

題名	ホール注入を用いたNBTI寿命予測方法
著者	渡辺一史(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸(東北大学未来科学技術共同研究センター), 黒田理人, 須川成利(東北大学大学院工学研究科), 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
title	A NBTI Lifitime Prediction Method using Quantity of Hole Injection
author(s)	Kazufumi Watanabe(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページ	pp. 321 - 326

題名	HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測―窒化による信頼性向上メカニズムの検討―
著者	渡辺康匡(大阪大学工学部精密科学専攻), 志村孝功, 渡部平司, 安武潔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 神山聡, 有門経敏(半導体先端テクノロジーズ), 白石賢二(筑波大学), 梅澤直人(物質・材料研究機構), 山田啓作(早稲田大学)
title	Conductive Atomic Force Microscopy Study on Local Dielectric Degradation of HfSiON Films
author(s)	Yasumasa Watanabe(Department of Precision Science and Technology, School of Engineering, Osaka University), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Satoshi Kamiyama, Tsunetoshi Arikado(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete)), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Naoto Umezawa(National Institute of Material Science), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページ	pp. 327 - 331

題名	シリコン酸化膜と酸窒化膜のアモルファス構造の伝導性に関する第一原理計算
著者	土井謙太郎, 上原寛貴, 立花明知(京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻)
title	First-Principle Study on Conductivity of Amorphous Silicon-Dioxide and Silicon-Oxynitride
author(s)	Kentaro Doi, Hiroki Uehara, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Engineering Physics and Mechanics)
ページ	pp. 333 - 338

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」 第10回研究会研究報告プログラム