応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」
第11回研究会研究報告プログラム



論文リスト (口頭発表)


(「◎、○」印は招待講演)


2006年2月2日(木)

20:00-22:00 チュートリアル:ゲート絶縁膜の信頼性技術(講師: 岡田、佐竹(MIRAI))


2006年2月3日(金)

9:00-9:05 開会にあたって
9:05-9:55
題名Gate Stack Scaling for Advanced CMOS: Progress and Challenges
著者 G ウィルク(ASM)
TitleGate Stack Scaling for Advanced CMOS: Progress and Challenges
Author Glen Wilk(ASM)
ページpp. 1 - 6
9:55-10:45
題名Hf系High-kゲートスタックの現状と課題 − Ni-FUSIゲート/High-kを中心として
著者 丹羽 正昭(松下)
TitleChallenges & opportunities for Hf-based High-k Gate Stack -- Ni-FUSI/High-k gate
Author Masaaki Niwa(Matsushita)
ページpp. 7 - 12
休憩
11:05-11:35
題名Si酸化膜中の残留秩序構造と絶縁膜/Si界面反応研究への応用
著者 志村 考功, 三島 永嗣, 渡部 平司, 安武 潔(大阪大学大学院工学研究科), 梅野 正隆(福井工業大学工学部), 辰村 光介, 渡邉 孝信, 大泊 巌(早稲田大学理工学部)
TitleResidual Order in Thermal Oxide Layers and Its application to the Study of Interface Reaction
Author Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engin., Osaka Univ.), Masataka Umeno(Faculty of Engin., Fukui Univ. of Tech.), Kosuke Tatsumura, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari(Faculty of Sci. and Engin., Waseda Univ.)
ページpp. 13 - 18
11:35-11:55
題名湿式洗浄プロセスを経たSi(110)表面の原子構造観察
著者 有馬 健太(大阪大学大学院工学研究科精密科学応用物理学専攻), 加藤 潤, 遠藤 勝義(大阪大学大学院工学研究科超精密科学研究センター), 赤堀 浩史(東北大学未来科学技術共同研究センター), 須川 成利(東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻), 寺本 章伸, 大見 忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
TitleAtomic-scale Observations of Si(110) Surfaces after Wet Cleaning
Author Kenta Arima(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Jun Katoh, Katsuyoshi Endo(Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Hiroshi Akahori(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Shigetoshi Sugawa(Department of Management of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページpp. 19 - 24
昼食
13:00-13:40
題名A Simple View of NBTI Degradation
著者 M. A. アラム(パーデュー大)
TitleA Simple View of NBTI Degradation
Author M. A. Alam(Department of Electrical and Computer Engineering, Purdue University)
ページpp. 25 - 30
13:40-14:00
題名pMOSにおけるVox/Eoxドリブン絶縁破壊
著者 辻川 真平, 志賀 克哉, 梅田 浩司, 由上 二郎, 大野 吉和, 米田 昌弘(ルネサステクノロジ)
TitleVox/Eox-driven Breakdown of Ultra-thin SiON Gate Dielectric in p+gate-pMOSFET under Low Stress Voltage of Inversion Mode
Author Shimpei Tsujikawa, Katsuya Shiga, Hiroshi Umeda, Jiro Yugami, Yoshikazu Ohno, Masahiro Yoneda(Renesas Technology Corp.)
ページpp. 31 - 36
14:00-14:40
題名Study of breakdown in nanoscale high-k gate stack using transmission electron microscopy
著者 K. L. ペイ(ナンヤン工科大), C. H. トゥング(シンガポールマイクロエレクトロニクス研究所), R. ランジャン(ナンヤン工科大, シンガポールマイクロエレクトロニクス研究所), D. S. アング(ナンヤン工科大)
TitleStudy of breakdown in nanoscale high-k gate stack using transmission electron microscopy
Author K. L. Pey(Nanyang Tech. Univ.), C. H. Tung(Institute of Microelectronics, Singapore), R. Ranjan(Nanyang Tech. Univ., Institute of Microelectronics, Singapore), D. S. Ang(Nanyang Tech. Univ.)
ページpp. 37 - 42
14:40-15:00
題名水素に起因したゲート酸化膜の劣化機構の統一的な理解
著者 三谷 祐一郎, 山口 豪((株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー), 鳥海 明(東京大学大学院工学系研究科)
TitleHydrogen-related Degradation Mechanisms in NBTI and SILC
Author Yuichiro Mitani, Takeshi Yamaguchi(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation), Akira Toriumi(Department of Material Science, The University of Tokyo)
ページpp. 43 - 48
休憩
15:20-15:50
題名ひずみSOI/SGOI/GOI CMOS技術
著者 手塚 勉, 沼田 敏典, 入沢 寿史, 中払 周, 臼田 宏治, 平下 紀夫, 守山 佳彦, 杉山 直治(MIRAI-ASET), 豊田 英治(東芝セラミックス), 宮村 佳児(コマツ電子金属), 高木 信一(MIRAI-ASET, 東京大学大学院)
TitleStrained SOI/SGOI/GOI CMOS Technology
Author Tsutomu Tezuka, Toshinori Numata, Toshifumi Irisawa, Syu Nakaharai, Koji Usuda, Norio Hirashita, Yoshihiko Moriyama, Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET), Eiji Toyoda(Toshiba Ceramics), Yoshiji Miyamura(Komatsu Electronics Metals), Shinichi Takagi(MIRAI-ASET, Univ. Tokyo)
ページpp. 49 - 54
15:50-16:10
題名酸化膜形成と欠陥発生の同時観察によるSi(001)表面酸化の統合的解明
著者 小川 修一, 高桑 雄二(東北大学多元物質科学研究所)
TitleOxidation Mechanism on Si(001) Surface Studied by the Simultaneous Observation of Oxide Growth and Defect Generation
Author Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa(IMRAM, Tohoku University)
ページpp. 55 - 60
16:10-16:30
題名Deal-Groveの式に代わる新しいSi熱酸化速度方程式の提案
著者 渡邉 孝信, 辰村 光介, 大泊 巌(早稲田大学)
TitleA new rate equation for thermal oxidation of silicon replacing Deal-Grove’s equation
Author Takanobu Watanabe, Kosuke Tatsumura, Iwao Ohdomari(Waseda University)
ページpp. 61 - 66
16:30-17:40 ポスターショートプレゼン
休憩
18:00-19:30 夕食・懇親会
19:30-22:00 ポスターセッション


2006年2月4日(土)

9:00-9:40
題名Characterization of Electron States in High-k Insulators and at their Interfaces using Internal Photo-Emission Spectroscopy
著者 V. V. アファナシエフ, A. ステスマン(ルーベン大)
TitleCharacterization of Electron States in High-k Insulators and at their Interfaces using Internal Photo-Emission Spectroscopy
Author V. V. Afanasiev, A. Stesmans(Department of Physics, University of Leuven)
ページpp. 67 - 72
9:40-10:00
題名走査型容量顕微鏡によるHf系ゲート絶縁膜の誘電特性の空間分布
著者 内藤 裕一, 安藤 淳(産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門), 小木曽 久人(産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門), 神山 聡, 奈良 安雄, 中村 邦雄((株)半導体先端テクノロジーズ), 渡部 平司, 安武 潔(大阪大学大学院工学研究科 精密科学専攻)
TitleSpatial Fluctuation of Dielectric Properties in Hf-based High-k Gate Films Studied by Scanning Capacitance Microscopy
Author Yuichi Naitou, Atushi Ando(Nanoelectronics Research Institute, AIST), Hisato Ogiso(Advanced Manufacturing Research Institute, AIST), Satoshi Kamiyama, Yasuo Nara, Kunio Nakamura(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc), Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 73 - 77
10:00-10:20
題名アモルファスHigh-k材料誘電率の第一原理計算
著者 濱田 智之, 籾田 浩義(東京大学生産技術研究所), 大野 隆央((独)物質・材料研究機構)
TitleFirst principles study of dielectric constants of amorphous high-k materials
Author Tomoyuki Hamada, Hiroyoshi Momida(Institute of Industrial Science, University of Tokyo), Takahisa Ohno(National Institute of Materials Research)
ページpp. 79 - 83
休憩
10:40-11:10
題名STEM-EELSを用いたHigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価
著者 五十嵐 信行, 間部 謙三 , 高橋 健介, 西藤 哲史(NEC システムデバイス研究所)
TitleAnalysis of electronic structure and dielectric nature of high-k films by using STEM-EELS
Author Nobuyuki Ikarashi, Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Motofumi Saitoh(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページpp. 85 - 90
11:10-11:30
題名硬X線光電子分光による極薄SiO2膜の誘電率の推定
著者 木原 正道, 岡本 英介, 野平 博司(武蔵工業大学), 高田 泰孝(理化学研究所/SPring-8), 池永 英司(高輝度光科学センター/SPring-8), 小林 大輔(宇宙科学研究本部), 小林 啓介(高輝度光科学センター/SPring-8), 服部 健雄(武蔵工業大学 総合研究所), 廣瀬 和之(宇宙科学研究本部)
TitleStudy on Dielectric Constant of Ultrathin SiO2 Film by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author Masamichi Kihara, Hidesuke Okamoto, Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Yasutaka Takata(RIKEN/SPring-8), Eiji Ikenaga(JASRI/SPring-8), Daisuke Kobayashi(ISAS), Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring-8), Takeo Hattori(Adbanced Research Laboratories), Kazuyuki Hirose(ISAS)
ページpp. 91 - 96
11:30-11:50
題名NH*による直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
著者 樋口 正顕(東北大学工学研究科), 品川 誠治(武蔵工業大学工学部), 寺本 章伸(東北大学未来情報産業共同研究センター), 野平 博司(武蔵工業大学工学部), 池永 英司, 小林 啓介(高輝度光科学研究センター/SPring8), 服部 健雄(東北大学未来情報産業共同研究センター / 武蔵工業大学), 須川 成利(東北大学工学研究科), 大見 忠弘(東北大学未来情報産業共同研究センター )
TitleThe dependence of the intermediate nitridation states density at Si3N4 /Si interface on surface Si atoms density
Author Masaaki Higuchi(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Seiji Shinagawa(Musashi Institute of Technology), Akinobu Teramoto(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Hiroshi Nohira(Musashi Institute of Technology), Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi(JASRI/SPring8), Takeo Hattori(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University / Musashi Institute of Technology ), Shigetoshi Sugawa(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページpp. 97 - 102
昼食
13:00-13:30
題名Hf系High-kゲート絶縁膜のスケーラビリティ
著者 奈良 安雄, 犬宮 誠治, 神山 聡, 中村 邦雄((株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部)
TitleScalability of Hf-based High-k gate dielectrics
Author Yasuo Nara, Seiji Inumiya, Satoshi Kamiyama, Kunio Nakamura(Research Department 1, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete))
ページpp. 103 - 107
13:30-13:50
題名High-kゲート絶縁膜をつかったCMISにおけるVth制御
著者 林 岳, 水谷斉治, 井上 真雄, 由上 二郎, 土本 淳一, 安間 正俊, 小森 重樹, 塚本 和宏(ルネサステクノロジ/ウェハプロセス技術統括部), 塚本 康正, 新居 浩二(ルネサステクノロジ/設計技術統括部), 西田 征男, 佐山 弘和, 山下 朋弘, 尾田 秀一, 栄森 貴尚, 大路 譲(ルネサステクノロジ/ウェハプロセス技術統括部)
TitleVth-tunable CMIS Platform with High-k gate Dielectrics
Author Takashi Hayashi(Renesas Technology Corp./Wafer Process Engineering Development Div.), Masaharu Mizutani, Masao Inoue, Jiro Yugami, Junichi Tsuchimoto, Masatoshi Amma, Shigeki Komori, Kazuhiro Tsukamoto(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.), Yasumasa Tsukamoto, Koji Nii(Renesas Technology Corp./Design Technology Div.), Yukio Nishida, Hirokazu Sayama, Tomohiro Yamashita, Hidekazu Oda, Takahisa Eimori, Yuzuru Ohji(Renesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページpp. 109 - 114
13:50-14:10
題名Hf系High-kゲート酸化膜への窒素添加による酸素空孔形成促進と特性劣化
著者 梅澤 直人(物質・材料研究機構), 白石 賢二(筑波大学), 赤坂 泰志, 犬宮 誠治((株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)), 上殿 明良(筑波大学), 宮崎 誠一(広島大学), 知京 豊裕, 大野 隆央(物質・材料研究機構), 奈良 安雄((株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)), 山田 啓作(早稲田大学)
TitleDegradation of Reliability of Hf-based High-k Gate Oxides Caused by an Unfavorable Effect of N Incorporation on Accelerating Oxygen Vacancy Formation
Author Naoto Umezawa(National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Yasushi Akasaka, Seiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technology Inc.), Akiyoshi Uedono(University of Tsukuba), Seiichi Miyazaki(Hiroshima University), Toyohiro Chikyow, Takahisa Ohno(National Institute for Materials Science), Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technology Inc.), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページpp. 115 - 120
14:10-14:30
題名窒素高濃度極薄SiON膜のVfb改善メカニズム
著者 松下大介, 村岡浩一, 中崎靖, 加藤弘一, 菊地祥子, 佐久間究, 三谷祐一郎((株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー), 高柳万里子, 江口和弘((株)東芝 セミコンダクター社)
TitleImprovement of Vfb shift with high N density SiN-based SiON gate dielectrics
Author D. Matsushita, K. Muraoka, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Kikuchi, K. Sakuma, Y. Mitani(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation), M. Takayanagi, K. Eguchi(Semiconductor Company, Toshiba Corporation)
ページpp. 121 - 126
14:30-15:00
題名金属/絶縁体界面の物理:その構造と電子特性
著者 中山 隆史(千葉大)
TitlePhysics at metal/insulator interfaces: structures and electronic properties
Author Takashi Nakayama(Chiba Univ. )
ページpp. 127 - 132
休憩
15:20-15:50
題名メタルゲート/High-k MOSFETにおけるフルシリサイドゲート技術の現状と課題
著者 生田目 俊秀(MIRAI)
TitlePresent Status and Issues in Full-Silicide Technology of Metal-Gate/High-k MOSFET
Author Toshihide Nabatame(MIRAI)
ページpp. 133 - 138
15:50-16:10
題名NiSiフルシリサイド/SiO2ゲートスタックにおける不純物によるしきい値変化メカニズム
著者 間部 謙三, 長谷 卓, 五十嵐 信行, 忍田 真希子, 辰巳 徹(NECシステムデバイス研究所), 渡部 平司, 安武 潔(大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻), 渡辺 啓仁(NECシステムデバイス研究所)
TitleAnalysis of the Origin of Threshold Voltage Change Induced by Impurity in Fully Silicided NiSi/SiO2 Gate Stacks
Author Kenzo Manabe, Takashi Hase, Nobuyuki Ikarashi, Makiko Oshida, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation), Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University), Hirohito Watanabe(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページpp. 139 - 144
16:10-16:30
題名金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響
著者 大毛利 健治(物質・材料研究機構), P. Ahmet(東京工業大学), 白石 賢二(筑波大学), 渡部 平司(大阪大学), 赤坂 泰志(Selete), 山部 紀久夫(筑波大学), K.-S. Chang, M. L. Green(National Institute for Standards and Technology), 山田 啓作(早稲田大学), 知京 豊裕(物質・材料研究機構)
TitleInfluences of Annealing Conditions on Flatband Voltage Properties Using Continuously Workfunction-Tuned Metal Electrodes
Author K. Ohmori(National Institute for Materials Science), P. Ahmet(Tokyo Institute of Technology), K. Shiraishi(University of Tsukuba), H. Watanabe(Osaka University), Y. Akasaka(Selete), K. Yamabe(University of Tsukuba), K.-S. Chang, M. L. Green(National Institute for Standards and Technology), K. Yamada(Waseda University), T. Chikyow(National Institute for Materials Science)
ページpp. 145 - 149
16:30-17:00
題名high-k/metal gate MISFETにおける電極材料選択
著者 赤坂 泰志((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleMaterial selection for high-k/metal gate MISFETs
Author Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (Selete))
ページpp. 151 - 156
閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2006年2月3日(金) 19:30-22:00)

【形成・基礎物性】

題名酸素中性粒子ビームを用いた極薄酸化膜の形成
著者 田口 智啓, 生駒 亨, 福田 誠一(東北大学流体科学研究所), 遠藤 和彦(産業技術総合研究所), 渡部 平司(大阪大学大学院工学研究科), 寒川 誠二(東北大学流体科学研究所)
TitleUltra-thin Silicon Dioxide Film Formed by Oxygen Neutral Beam
Author Chihiro Taguchi, Toru Ikoma, Seiichi Fukuda(Institute of Fluid Science, Tohoku University), Kazuhiko Endo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), Seiji Samukawa(Institute of Fluid Science, Tohoku University)
ページpp. 157 - 160

題名HfO2/SiO2/Siの酸化に伴うSiO2/Si界面からのSiの放出
著者 趙明, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二(京都大学 マイクロエンジニアリング専攻), 植松真司(NTT物性基礎科学研究所), 鳥居和功, , ((株)半導体先端テクノロジーズ), 山田啓作(早稲田大学ナノテクノロジー研究所)
TitleOutdiffusion of Si from the SiO2/Si interface during oxidation of the HfO2/SiO2/Si structure
Author Zhao Ming, Kaoru Nakajima, Motofumi Suzuki, Kenji Kimura(Department of Micro Engineering, Kyoto University), Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories), Kazuyoshi Torii, Satoru Kamiyama, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Keisaku Yamada(Nanotschnology Research Laboratories, Waseda University)
ページpp. 161 - 165

題名Si熱酸化膜/Si(100)界面原子構造の理論検討
著者 影島博之, 植松真司(NTT物性科学基礎研究所), 赤木和人, 常行真司(東京大学大学院理学系研究科), 秋山亨(三重大学工学部), 白石賢二(筑波大学大学院数理科学研究科)
TitleTheoretical study on atomic structures of Si thermal oxide/Si(100) interfaces
Author Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation), Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(Graduate School of Science, University of Tokyo), Toru Akiyama(Faculty of Engineering, Mie University), Kenji Shiraishi(Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba)
ページpp. 167 - 170

題名EELSと第一原理計算によるNiSiの電子状態解析
著者 川崎 直彦, 杉山 直之, 大塚 祐二, 橋本 秀樹((株)東レリサーチセンター)
TitleElectronic structure of NiSi from EELS and ab-initio calculation
Author Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, Yuji Otsuka, Hideki Hashimoto(Toray Reserch Center Inc.)
ページpp. 171 - 176

題名Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
著者 熊谷 寛, 七条 真人(東京大学大学院新領域創成科学研究科), 石川 寛人, 星井 拓也(東京大学工学部), 菅原 聡, 高木 信一(東京大学大学院新領域創成科学研究科)
TitleFabrication of SiO2/Ge MIS capacitors by plasma oxidation of ultrathin Si films on Ge and the electrical characteristics
Author Hiroshi Kumagai, Masato Shichijo, Hiroto Ishikawa, Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi(The University of Tokyo)
ページpp. 177 - 182

題名Hf系のゲート絶縁膜のPoly-Si/TiN電気特性評価
著者 李 明範, 大塚 文雄, 赤坂 泰志, 粕谷 透, 南 甲振, 奈良 安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleMetal gate characteristics of poly-Si/TiN on Hf-based gate oxide
Author Lee Myoung-bum, Fumio Ootsuka, Yasushi Akasaka, Tooru Kasuya, Nam Gap-Jin, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.)
ページpp. 183 - 188

題名水蒸気放電によるW/HfO2/Ge構造の界面反応抑制
著者 村岡 浩一((株)東芝 LSI先端技術ラボラトリ)
TitleSuppression of Interfacial Reactions in W/HfO2/Ge Structures by Water Vapor Discharge
Author Kouichi Muraoka(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corp.)
ページpp. 189 - 194

題名シリコン初期酸化の動的パーコレーション
著者 福田 常男, 中山 弘(大阪市立大学大学院工学研究科)
TitleKinetic percolation of initial silicon oxidation
Author Tsuneo Fukuda, hiroshi Nakayama(Grad. School of Eng. Osaka City Univ.)
ページpp. 195 - 198

題名Si/SiO2界面の第一原理電子状態計算 −界面欠陥のリーク/チャネル電流への影響ー
著者 中川大輔, 朽木克博, 小野倫也, 広瀬喜久治(大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻)
TitleFirst-principles study on electronic structure of Si/SiO2 interface -effect of defects on leakage/channel current-
Author Daisuke Nakagawa, Katsuhiro Kutsuki, Tomoya Ono, Kikuji Hirose(Department of Precision Science & Technology, Osaka University)
ページpp. 199 - 202

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名Ge-MIS構造における表面熱処理雰囲気の電気特性への影響
著者 田岡 紀之(半導体MIRAI-AIST), 池田 圭司, 山下 良美, 杉山 直治(半導体MIRAI-ASET), 高木 信一(半導体MIRAI-AIST, 東大院新領域)
TitleEffect of thermal treatment in various ambient conditions for Ge(001) substrates on electrical characteristics of Ge-MIS structure.
Author Noriyuki Taoka(MIRAI-AIST), keiji Ikeda, Yoshimi Yamashita, Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET), Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST, Univ. of Tokyo)
ページpp. 203 - 208

TitleEnhancing memory efficiencies of Si nanocrystals floating gate memories with high-k gate oxides
Author Prakaipetch Punchaipetch, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology), Atsushi Tomyo, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata(Process Research Center R&D Laboratory, Nissin Electric Co. Ltd), Sadayoshi Horii(Semiconductor Equipment System Laboratory, Hitachi Kokusai Electric Inc.)
ページpp. 209 - 214

題名パルスレーザー蒸着法によるPrシリケイト膜の作製とその構造及び電気的特性評価
著者 有吉 恵子, 坂下 満男, 酒井 朗(名大院工), 小川 正毅(名大先端研), 財満 鎭明(名大院工)
TitlePreparation of Pr Silicate by Pulsed Laser Deposition and Evaluation of the Film Structures and Electrical Properties
Author Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.), Masaki Ogawa(CCRAST Nagoya Univ.), Shigeaki Zaima(Graduate School of Eng. Nagoya Univ.)
ページpp. 215 - 220

題名陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長
著者 大西 一功, 高橋 芳浩, 新垣 久, 藤田明良, 南 卓士(日本大学/理工学部電子情報工学科)
TitleGrowth of the SiO2 layer under HfO2 Films on Si Substrate by Anodic Oxidation
Author Kazunori Ohnishi, Yoshihiro Takahashi, Hisashi Shingaki, Akira Fujita, Takashi MInami(Department of Electronics and Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University)
ページpp. 221 - 225

題名3nm厚HfAlOx膜の伝導と劣化
著者 内藤 達也, 樋口 恵一, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫(筑波大学大学院 電子・物理工学専攻)
TitleConduction and degradation of 3nm-thick HfAlOx
Author Tatsuya Naito, Keiichi Higuchi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics, University of Tsukuba)
ページpp. 227 - 232

題名分極率の制御による三元系High-k膜の高誘電率化へのアプローチ
著者 喜多 浩之, 山本 芳樹, 富田 一行, 趙 毅, 鳥海 明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleDesign Methodology of Higher-k Ternary Dielectric Films with Polarizability Engineering
Author Koji Kita, Yoshiki Yamamoto, Kazuyuki Tomida, Yi Zhao(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo), Akira Toriumi(Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 233 - 238

題名希土類酸化物クラスター(La2O3, Ce2O3, Gd2O3)の電子構造についての第一原理計算
著者 土井 謙太郎(京大院工 マイクロエンジニアリング専攻 ), 三日月 豊, 杉野 真也, 立花 明知(京大院工 マイクロエンジニアリング専攻)
TitleFirst-principle Study on Electronic Structures of Rare Earth Oxide clusters
Author Kentaro Doi, Yutaka Mikazuki, Shinya Sugino, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Microengineering)
ページpp. 239 - 244

題名サブナノメートルEOT HfSiONゲートスタックにおける界面層/HfSiON層膜厚制御の重要性
著者 水谷 斉治((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部), 林 岳((株)ルネサステクノロジ/先端デバイス開発), 井上 真雄, 由上 二郎, 大野 吉和((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
TitleThe Impact of Thickness Control in HfSiON Gate Dielectric on Electron Mobility with sub-nm EOT
Author Masaharu Mizutani(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.), Takashi Hayashi(Resesas Technology Corp./Advanced Device Development Dept.), Masao Inoue, Jiro Yugami, Yoshikazu Ohno(Resesas Technology Corp./Process Development Dept.)
ページpp. 245 - 249

【メタルゲート電極】

題名NiSi薄膜の組成・構造評価
著者 齋藤 正裕, 岡田 一幸, 松田 景子, 杉山 直之(東レリサーチセンター)
TitleAnalysis for NiSi Composition and Structure
Author Masahiro Saito, Kazuyuki Okada, Keiko Matsuda, Naoyuki Sugiyama(Toray Research Center Inc. )
ページpp. 251 - 256

題名メタル電極形成条件がMetal/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響
著者 吉田 慎一, 渡辺 康匡, 喜多 祐起, 志村 考功, 渡部 平司, 安武 潔(大阪大学大学院工学研究科), 赤坂 泰志, 奈良 安雄(衄焼蛎寮菽璽謄ノロジーズ), 白石 賢二(筑波大学), 山田 啓作(早稲田大学)
TitleEffects of Intrinsic and Extrinsic Reaction at Metal/High-k Interfaces on Electrical Properties of Gate Stacks
Author Shinichi Yoshida, Yasumasa Watanabe, Yuki Kita, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake(Graduate School of Engineering, Osaka University), Yasushi Akasaka, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページpp. 257 - 261

題名Ni germanideゲート電極における仕事関数の組成依存性
著者 池野 大輔, 近藤 博基, 坂下 満男, 酒井 朗(名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻), 小川 正毅(名古屋大学・先端技術共同研究センター), 財満 鎭明(名古屋大学大学院・工学研究科・結晶材料工学専攻)
TitleComposition dependence of work function in Nickel-germanide gate electrode
Author Daisuke Ikeno, Hiroki Kondp, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 263 - 268

題名ニッケルシリサイド/SiO2界面の偏析不純物による仕事関数変調
著者 吉木 昌彦, 土屋 義規, 小山 正人, 木下 敦寛, 上牟田 雄一, 竹野 史郎, 古賀 淳二((株)東芝 研究開発センター)
TitleWork Function Modulation Due to Segregated Dopant at Nickel-Silicide / SiO2 Interface
Author Masahiko Yoshiki, Yoshinori Tsuchiya, Masato Koyama, Atsuhiro Kinoshita, Yuuichi Kamimuta, Shiro Takeno, Junji Koga(Corporate R&D Center, Toshiba Corpration)
ページpp. 269 - 274

題名VII、VIIIおよびI B族金属材料のpMOS用メタルゲート適用検討
著者 中村 源志, 赤坂 泰志(半導体先端テクノロジーズ), 渡部 平司(大阪大学 大学院工学研究科), 大塚 文雄, 奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ)
TitleA Study of Metal Materials of Group VII, VIII and I B for pMOS Gate Electrode
Author Genji Nakamura, Yasushi Akasaka(Semiconductor Leading Edge Technologies), Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), Fumio Ootsuka , Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページpp. 275 - 280

題名熱CVD法によるN-MOSFETゲート用TaN及びTaSiN薄膜の形成
著者 杉田 義博, 赤坂 泰志, 大塚 文雄, 奈良 安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleThermal Chemical Vapor Deposition of TaN and TaSiN Thin Film for Future Metal Gate Electrode of N-MOSFET
Author Sugita Yoshihiro, Akasaka Yasushi, Ootsuka Fumio, Nara Yasuo(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. )
ページpp. 281 - 286

題名HfSiON上における相制御Niフルシリサイド(Ni-FUSI)ゲート電極の実効仕事関数決定機構
著者 高橋 健介, 寺井 真之, 長谷 卓, 辰巳 徹(NEC システムデバイス研究所)
TitleDetermination of Effective Workfunction for Fully-silicided Ni-silicide (Ni-FUSI) Gate on HfSiON
Author Kensuke Takahashi, Masayuki Terai, Takashi Hase, Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories, NEC Corporation)
ページpp. 287 - 292

題名不純物添加NiSi/SiO2ゲートスタック構造の界面評価
著者 細井 卓治, 佐野 孝輔, 日野 真毅(広島大学 ナノデバイス・システム研究センター), 大田 晃生, 牧原 克典, 加久 博隆, 宮崎 誠一(広島大学 先端物質科学研究科), 芝原 健太郎(広島大学 ナノデバイス・システム研究センター)
TitleCharacterization of Doped Fully-Silicided NiSi/SiO2 Gate Stacks
Author Takuji Hosoi, Kosuke sano, Masaki Hino(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima University), Akio Ohta, Katsunori Makihara, Hirotaka Kaku, Seiichi Miyazaki(Grad. School of AdSM., Hiroshima University), Kentaro Shibahara(Res. Cnt. for Nanodevices and Systems, Hiroshima University)
ページpp. 293 - 296

題名低温分割CVD成膜方法によるP-MISFET向けTiNメタルゲート電極
著者 坂下 真介, 森 健壹, 水谷 斉治, 井上 真雄, 山成 真一, 由上 二郎, 浅井 孝祐, 大野 吉和((株)ルネサステクノロジ/プロセス開発部)
TitleLow temperature divided CVD technique of TiN metal gate electrodes for P-MISFETs
Author Shinsuke Sakashita, Kenichi Mori, Masaharu Mizutani, Masao Inoue, Shinichi Yamanari, Jiro Yugami, Koyu Asai, Yoshikazu Ohno(Renesas Technology Corp. / Process Development Dept.)
ページpp. 297 - 302

【評価】

題名超薄膜化したエピタキシャルZrO2/SiOx/Si(001)薄膜のナノ構造評価
著者 木口 賢紀(東京工業大学/総合分析支援センター), 脇谷 尚樹(東京工業大学大学院/理工学研究科材料工学専攻), 水谷 惟恭(東京工業大学/ものつくり教育研究支援センター), 篠崎 和夫(東京工業大学大学院/理工学研究科材料工学専攻)
TitleNano-structure investigation of epitaxial ultra-thin ZrO2/SiOx/Si(001) stacked layer
Author Takanori Kiguchi (Center for Advanced Materials Analysis, Tokyo Institute of Technology), Naoki Wakiya(Dept. of Metallurgy & Ceramics Science, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology), Nobuyasu Mizutani(Art and Crafts Education and Research Support Center, Tokyo Institute of Technology), Kazuo Shinozaki(Dept. of Metallurgy & Ceramics Science, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology)
ページpp. 303 - 308

題名ラマン分光法を用いた局所歪み計測の現状と課題
著者 杉江 隆一, 井上 敬子, 松田 景子, 迫 秀樹, 大塚 祐二 , 味岡 恒夫, 吉川 正信(東レリサーチセンター)
TitleMeasurements of Local Strain in LSI by Raman Spectroscopy
Author Ryuichi Sugie, Keiko Inoue, Keiko Matsuda, Hideki Sako, Yuji Otsuka, Tsuneo Ajioka, Masanobu Yoshikawa(Toray Research Center)
ページpp. 309 - 314

題名放射光光電子分光とX線吸収分光によるSiN薄膜の化学結合状態とバンドオフセットの評価
著者 豊田智史, 岡林潤, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学), 劉国林, 劉紫園, 池田和人, 臼田宏治(半導体理工学センター)
TitleEvaluation of chemical states and band offsets in SiN/Si studied by photoemission and x-ray absorption spectroscopy
Author Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Guo Lin Liu, Ziyuan Liu, Kazuto Ikeda, Koji Usuda(STARC)
ページpp. 315 - 318

題名放射光光電子分光によるpoly-Si/HfO2/Siゲートスタック構造の解析: 光電子スペクトルの加熱時間依存性
著者 高橋 晴彦, 豊田 智史, 岡林 潤, 組頭 広志, 尾嶋 正治(東京大学院工学系研究科), 池田 和人, 劉 国林, 劉 紫園, 臼田 宏治(半導体理工学センター)
TitleAnnealing Time Dependence of Photoemission Spectra during UHV Annealing of Poly-Si/HfO2/Si Gate Stack Structure
Author Haruhiko Takahashi, Satoshi Toyoda, Jun Okabayashi, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Kazuto Ikeda, Guo Lin Liu, Zhiyuan Liu, Koji Usuda(STARC)
ページpp. 319 - 322

題名Ge(100)表面の真空紫外光励起NH3窒化
著者 中川 博, 大田 晃生, 多比良 昌弘, 安部 浩透, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一(広島大学先端研)
TitleNitridation of Ge(100) Surfaces by Vacuum-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 Ambience
Author Hiroshi Nakagawa, Akio Ohta, Masahiro Taira, Hiroyuki Abe, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki(Grad. School of AdSM)
ページpp. 323 - 327

題名極薄シリコン酸化膜における膜厚揺らぎがもたらす電気的特性ばらつき
著者 岡本 純一, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫(筑波大院 電子・物理工)
TitleFluctuation of electric properties originated from thickness nonuniformity in ultra-thin SiO2 films
Author Junichi Okamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Institute of Applied Physics,University of Tsukuba)
ページpp. 329 - 334

題名Zerbst解析の拡張による新しい界面特性評価手法の提案
著者 能村 英幸, 遠山 仁博, 喜多 浩之(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 ), 弓野 健太郎, 鳥海 明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleProposal of a new analysing method of interface properties by advancement of Zerbst analysis
Author Hideyuki Nomura, Masahiro Toyama, Koji Kita, Kentaro Kyuno, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 335 - 340

題名極薄SiO2 MOSの容量換算膜厚(CET)の決定法
著者 富田 一行, 喜多 浩之, 鳥海 明(東京大学・院・工 マテリアル工学)
TitleMeasurement Methodology for Capacitance Equivalent Thickness (CET) of Ultra Thin SiO2 MOS Capacitors
Author Kazuyuki Tomida, Koji Kita, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo )
ページpp. 341 - 346

題名軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
著者 山下 良之, 山本 達, 向井 孝三, 吉信 淳(東京大学物性研究所), 原田 慈久, 高田 恭孝, 徳島 高 , 辛 埴 (理研/Spring-8), 赤木 和人, 常行 真司(東京大学大学院理学系研究科)
TitleDirect observation of site-specific valence electronic structure at the SiO2/Si interface
Author Yoshiyuki Yamashita, Susumu Yamamoto, Kozo Mukai, Jun Yoshinobu(ISSP, Univ. of Tokyo), Yoshihisa Harada, Yasutaka Takata, Takashi Tokushima, Shik Shin(Riken/Spring-8), Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki(Dep. of Phys. Univ. of Tokyo)
ページpp. 347 - 350

題名極薄GeO 2/Ge(100)ヘテロ構造のX線光電子分光分析
著者 大田 晃生, 中川 博, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一(広島大学大学院 先端物質科学研究科)
TitleXPS study of ultrathin GeO 2/Ge(100) heterostructures
Author Akio Ohta, Hiroshi Nakagawa, Murakami Hideki, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページpp. 351 - 356

題名N添加Hfシリケート薄膜の光電子分光分析
著者 大田 晃生 , 中川 博, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一(広島大学大学院 先端物質科学研究科), 犬宮 誠治, 奈良 安雄((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitlePhotoemission study of ultrathin HfSiOxN/Si(100) system
Author Akio Ohta, Hiroshi Nakagawa, Murakami Hideki, Seiichirou Higashi, Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiji Inumiya, Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge technologies, Inc.)
ページpp. 357 - 362

題名高分解能RBSによるHfAlON/SiON/Siの深さ方向分析精度の向上
著者 笹川 薫, 藤川 和久(コベルコ科研)
TitleAccuracy of the Depth Profile of HfAlON/SiON/Si Measured by High-resolution RBS
Author Kaoru Sasakawa, Kazuhisa Fujikawa(Kobelco Research Institute, Inc.)
ページpp. 363 - 366

【信頼性】

題名Hole注入法によるNBTI寿命予測
著者 渡辺一史(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸(東北大学未来情報研究館), 黒田理人(東北大学大学院工学研究科)
TitleAn Accurate Lifetime Prediction Method Using Hole Injection Method
Author Kazufumi Watanabe(Graduate School of Engineering, Tohoku University), Akinobu Teramoto(New Industry Hatchery Center, Tohoku University), Rihito Kuroda(Graduate School of Engineering, Tohoku University)
ページpp. 367 - 372

題名水素によって誘起されるシリコン酸化膜中の欠陥生成
著者 宮田 正靖(セイコーエプソン テクノロジープラットフォーム研究所), アドリ C. T. ヴァン ドゥーイン, ウィリアム A. ゴッダード III(カリフォルニア工科大学 マテリアル・プロセスシミュレーションセンター)
TitleHydrogen-induced Defect Generation in SiO2
Author Masayasu Miyata(Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation), Adri C. T. van Duin, William A. Goddard III(Materials and Process Simulation Center, California Institute of Technology)
ページpp. 373 - 376

題名極薄スパッタSiO2膜を用いた低温poly-Si TFTにおける信頼性
著者 上野 仁, 菅原 祐太, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆(奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学), 芹川 正(東京大学)
TitleReliability of Thin Gate Oxide Deposited by Sputtering for Low-Temperature Poly-Si TFT
Author Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki(Nara Institute of Science and Technology/Material Science), Tadashi Serikawa(The University of Tokyo)
ページpp. 377 - 382

題名分子動力学計算によるシリコン酸窒化膜の安定構造とその電子状態
著者 土井 謙太郎(京大院工 マイクロエンジニアリング専攻 ), 阪本 俊夫, 上原 寛貴, 立花 明知(京大院工 マイクロエンジニアリング専攻)
TitleMolecular Dynamics calculation of stable structures and electronic properties of SiON film
Author Kentaro Doi, Toshio Sakamoto, Hiroki Uehara, Akitomo Tachibana(Kyoto Univ. Dept. of Microengineering)
ページpp. 383 - 387

題名La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果
著者 世古 明義, 佐合 寿文, 坂下 満男, 酒井 朗(名古屋大学大学院工学研究科), 小川 正毅(名古屋大学先端技術共同研究センター), 財満 鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
TitleOrigins of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films and Effect of Thermal Oxidation on the Leakage Property
Author Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita(Graduate School of Engineering, Nagoya University ), Akira Sakai(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Masaki Ogawa(CCRAST, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 389 - 394