「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第13回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第13回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2008年1月13日(日)

20:00-22:00

チュートリアル：ゲートスタック研究者のための第一原理計算の基本、ツボ　（講師：影島博之（NTT）、白石賢二（筑波大））

2008年1月14日(月)

9:00-9:05

開会にあたって

9:05-9:55

◎

Title	Reliability Test Methodology, Analysis and Physical Models: What Changed When High-k/Metal Stacks Were Introduced?
Author	R. Degraeve, M. Aoulaiche, B. Kaczer, Ph. Roussel, T. Kauerauf, S. Sahhaf, M. Zahid, G. Groeseneken(IMEC)
ページ	pp. 1 - 6

9:55-10:45

◎

題名	高移動度チャネルMOSトランジスタ技術の現状と将来
著者	高木信一(半導体MIRAIプロジェクト-AIST、東京大学)
Title	Present Status and Future Prospects of High Mobility Channel MOSFET Technologies
Author	Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST, University of Tokyo)
ページ	pp. 7 - 12

休憩

11:00-11:30

○

題名	Metalゲート/HfSiON p-MOSFETにおける閾値上昇現象とその改善
著者	門島勝, 杉田義博(半導体先端テクノロジーズ), 白石賢二(筑波大学), 渡部平司(大阪大学), 大田晃生, 宮崎誠一(広島大学), 中島清美, 知京豊裕(物質材料機構), 山田啓作(早稲田大学), 網中敏夫, 黒澤悦男, 松木武雄, 青山敬幸, 奈良安雄, 大路譲(半導体先端テクノロジーズ)
Title	Improvement in Threshold Voltage Increase of Metal Gate/ HfSiON p-MOSFET
Author	Masaru Kadoshima, Yoshihiro Sugita, Kenji Shiraishi(Selete), Heiji Watanabe(Osaka University), Akio Ohta, Seiichi Miyazaki(Hiroshima University), Kiyomi Nakajima, Toyohiro Chikyow(National Institute for Material Science), Keisaku Yamada(Waseda University), Toshio Aminaka, Etsuo Kurosawa, Takeo Matsuki, Takayuki Aoyama, Yasuo Nara, Yuzuru Ohji(Selete)
ページ	pp. 13 - 18

11:30-11:50

題名	FLAを用いた低熱負荷プロセスで形成した45nmメタル/HfSiONトランジスタ
著者	大塚文雄, 片上朗, 中田博之, 青山敬幸, 栄森貴尚, 奈良安雄, 大路譲(Selete/第一研究部)
Title	45nm-metal/HfSiON FETs Fabricated by Low-thermal-buget Process Using FLA
Author	Fumio Ootsuka, Akira Katakami, Hiroyuki Nakata, Takayuki Aoyama, Takahisa Eimori, Yasuo Nara, Yuzuru Ohji(Selete/Research Dept.1)
ページ	pp. 19 - 24

11:50-12:10

題名	Niフルシリサイドゲート電極の結晶相制御と電気特性評価
著者	坂下真介(ルネサステクノロジ), 山本和彦(松下電器産業), 井上真雄(ルネサステクノロジ), 佐藤好弘(松下電器産業), 安間正俊(ルネサステクノロジ), 大須賀勤(松下電器産業), 由上二郎(ルネサステクノロジ)
Title	Electrical Properties of Phase Controlled Ni-FUSI Gate Devices Formed by Double Ni-Silicidation (DNS) Process
Author	Shinsuke Sakashita(Renesas Technology Corp.), Kazuhiko Yamamoto(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.), Masao Inoue(Renesas Technology Corp.), Yoshihiro Sato(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.), Masatoshi Anma(Renesas Technology Corp.), Tsutomu Oosuka(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.), Jiro Yugami(Renesas Technology Corp.)
ページ	pp. 25 - 29

昼食

13:10-13:40

○

題名	新しいXPS評価手法を用いた極薄SiO₂/Si界面の研究
著者	廣瀬和之(宇宙機構宇宙科学研究本部)
Title	XPS Techniques for Studying SiO₂/Si Interfaces
Author	Kazuyuki Hirose(Institute of Space and Astronautical Science)
ページ	pp. 31 - 35

13:40-14:00

題名	SiO₂/Si(001)界面における酸化誘起欠陥と酸素分子の反応過程
著者	小川修一(東北大学), 吉越章隆(日本原子力研究開発機構), 石塚眞治(秋田工業高等専門学校), 寺岡有殿(日本原子力研究開発機構), 高桑雄二(東北大学)
Title	Reaction Kinetics between Oxidation-induced Defects and Oxygen Molecules at SiO₂/Si(001) Interface
Author	Shuichi Ogawa(Tohoku Univ.), Akitaka Yoshigoe(JAEA), Shinji Ishidzuka(Akita Nat. Col. Tech.), Yuden Teraoka(JAEA), Yuji Takakuwa(Tohoku Univ.)
ページ	pp. 37 - 42

14:00-14:20

題名	極薄SiO₂/Si界面欠陥の電気的特性と水素による欠陥生成
著者	松下大介, 村岡浩一, 三谷祐一郎, 加藤弘一(（株）東芝 LSI基盤技術ラボラトリー)
Title	Electrical Characteristics and Generation Mechanism of Interfacial Defects at SiO₂/Si
Author	Daisuke Matsushita, Koichi Muraoka, Yuuichiro Mitani, Koichi Kato(Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corp.)
ページ	pp. 43 - 48

14:20-14:40

題名	SiO₂/Si界面近傍の格子間O₂分子のポテンシャルエネルギーマップの作成
著者	太田洋道(早稲田大学大学院理工学研究科), 渡邉孝信, 大泊巌(早稲田大学理工学術院)
Title	Potential Energy Map for Interstitial O₂ Molecule around the SiO₂/Si Interface
Author	Hiromichi Ohta, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari(Faculty of Science & Engineering, Waseda University)
ページ	pp. 49 - 54

14:40-15:00

題名	Si p型反転層中のサブバンド分散の測定
著者	武田さくら, 森田誠, 吉川雅章, 大杉拓也, 谷川洋平, 桑子敦, 西出昌弘, 東直人, 大門寛(奈良先端大/ 物質創成)
Title	Measurement of Subband Dispersion in Si p-type Inversion Layer
Author	Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Masaaki Yoshikawa, Takuya Ohsugi, Yohhei Tanigawa, Atsushi Kuwako, Masahiro Nishide, Naoto Higashi, Hiroshi Daimon(NAIST/Materials Science)
ページ	pp. 55 - 59

15:00-15:20

題名	アバランシェ注入法を用いたMONOS型メモリのトラップ解析と信頼性評価
著者	石田猛, 三木浩史, 濱村浩孝(日立製作所中央研究所 ULSI研究部), 山田廉一(日立製作所中央研究所)
Title	Trap Analysis and Reliability Evaluation of MONOS-type Nonvolatile Memory Using Avalanche Injection Method
Author	Takeshi Ishida, Hiroshi Miki, Hirotaka Hamamura(Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, ULSI Research Department), Renichi Yamada(Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory)
ページ	pp. 61 - 66

休憩

15:40-16:30

ポスターショートプレゼンテーション

16:30-17:50

若手企画パネルディスカッション：ゲートスタック技術の課題と将来を切り拓く新技術
【パネリスト】喜多浩之(東京大学), 松下大介(東芝), 井上真雄(ルネサステクノロジ), 高橋健介(日本電気), 石田猛(日立), 田井香織(ソニー), 角嶋邦之(東京工業大学)
【新技術紹介(ゲスト)】田中洋毅(東芝), 五十嵐信行(日本電気), 杉山直之(東レリサーチセンター)

移動

18:00-19:30

夕食・懇親会

19:30-22:00

ポスターセッション

2008年1月15日(火)

9:00-9:30

○

Title	Technology Platform of Si- and Ge-nanowires, Devices and Basic Logic Gate Demonstration
Author	G. Q. Lo, N. Singh, S. C. Rustagi, K. D. Buddharaju, C. H. Tung, N. Balasubramanian, D. L. Kwong(Institute of Microelectronics, A*STAR)
ページ	pp. 67 - 72

9:30-10:00

○

題名	起立型ダブルゲートMOSFETの作製および課題
著者	遠藤和彦(産業技術総合研究所)
Title	Fabrication and Issues of Double-gate MOSFET with Upstanding Channels
Author	Kazuhiko Endo(National institute of AIST)
ページ	pp. 73 - 78

10:00-10:20

題名	HfO₂/GaAs界面の結合状態と電気特性の関係についての基礎的検討
著者	安田哲二, 宮田典幸(産業技術総合研究所), 大竹晃浩(物質・材料研究機構)
Title	A Basic Study on the Relation between the Bonding States and the Electrical Properties of HfO₂/GaAs Interfaces
Author	Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata(AIST), Akihiro Ohtake(NIMS)
ページ	pp. 79 - 84

休憩

10:40-11:10

○

Title	High-k/Metal Gate Stacks for Application in CMOS Technologies
Author	P. Sivasubramani, P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, T. S. Boescke, S. A. Krishnan, J. Huang, C. Krug, S. C. Song, C. S. Park, C. Park , C. Young, D. Heh(SEMATECH), P. Majhi(Intel), H. Niimi(Texas Instruments), H. C. Wen(SEMATECH), H. R. Harris(AMD), R. Choi, J. Barnett, G. Bersuker, P. Lysaght, B. H. Lee(SEMATECH), B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace(Univ. of Texas at Dallas), J. S. Jur, D. J. Lichtenwalner, A. I. Kingon(North Carolina State Univ.), H.-H. Tseng(SEMATECH), R. Jammy(IBM)
ページ	pp. 85 - 89

11:10-11:40

○

題名	HfSiOxによる仕事関数制御を利用した低コスト45nmノードCMOS技術
著者	筒井元, 中村英達, 深瀬匡, 今井清隆(NECエレクトロニクス)
Title	A Cost-effective CMOS Technology Utilizing Gate Work Function Control by HfSiOx
Author	Gen Tsutsui, Hidetatsu Nakamura, Tadashi Fukase, Kiyotaka Imai(NEC Electronics)
ページ	pp. 91 - 96

11:40-12:00

題名	TiO₂/HfSiO/SiO₂積層構造によるSub-1nm EOT 高誘電率ゲート絶縁膜の実現
著者	有村拓晃, 堀江伸哉, 奥雄大(大阪大学大学院工学研究科), 南卓士(キヤノンアネルバ), 北野尚武(キヤノンアネルバ / 大阪大学大学院工学研究科), 小須田求(キヤノンアネルバ), 細井卓治, 志村考功, 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科)
Title	Achievement of Sub-1nm EOT High-k Gate Dielectrics with TiO₂/HfSiO/SiO₂ Layered Structure
Author	Hiroaki Arimura, Shinya Horie, Yudai Oku(Graduate school of engineering, Osaka University), Takashi Minami(Canon ANELVA), Naomu Kitano(Canon ANELVA / Graduate school of engineering, Osaka University), Motomu Kosuda(Canon ANELVA), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe(Graduate school of engineering, Osaka University)
ページ	pp. 97 - 101

12:00-12:20

題名	HfSiON/SiO₂界面へのAl₂O₃薄膜挿入による実効仕事関数制御
著者	犬宮誠治, 金子明生, 齋藤友博, 西田大介, 青山知憲, 江口和弘, 綱島祥隆(東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター)
Title	Effective Work Function Control by Insertion of Al₂O₃ Thin-films into HfSiON/SiO₂ Interface
Author	Seiji Inumiya, Akio Kaneko, Tomohiro Saito, Daisuke Nishida, Tomonori Aoyama, Kazuhiro Eguchi, Yoshitaka Tsunashima(Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation)
ページ	pp. 103 - 106

昼食

13:20-13:50

○

題名	直接接合LaAlO/Si界面への１原子層SrSi2挿入による界面特性改善
著者	高島章, 西川幸江, 清水達雄, 鈴木正道, 松下大介, 吉木昌彦, 富田充裕, 山口豪, 小山正人, 福島伸(株式会社東芝/研究開発センター)
Title	Improvement of Electrical Properties of La Aluminates/Si (100) Interface by Insertion of One Monolayer Epitaxial SrSi2
Author	Akira Takashima, Yukie Nishikawa, Tatsuo Shimizu, Masamichi Suzuki, Daisuke Matsushita, Masahiko Yoshiki, Mitsuhiro Tomita, Takeshi Yamaguchi, Masato Koyama, Noburu Fukushima(Toshiba corporation/Corporate Research & Development Center)
ページ	pp. 107 - 112

13:50-14:10

題名	窒素ラジカル暴露によるGe(001)表面処理
著者	近藤博基, 藤田美里(名古屋大学), 酒井朗(大阪大学), 小川正毅(名大エコトピア), 財満鎭明(名古屋大学)
Title	Surface Treatment of Ge(001) by Exposure of Nitrogen Radicals
Author	Hiroki Kondo, Misato Fujita(Nagoya university), Akira Sakai(Osaka university), Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima(Nagoya university)
ページ	pp. 113 - 118

14:10-14:30

題名	プラズマ窒化により形成したGe₃N₄膜の耐熱性および耐湿性の評価
著者	朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科)
Title	Study on Thermal and Humidity Stability of Ge₃N₄ Thin Layers Fabricated by Plasma Nitridation
Author	Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 119 - 124

14:30-14:50

題名	高誘電率酸化物の化学結合状態と誘電物性に関する理論的研究
著者	杉野真也, 福島啓悟(京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻), 土井謙太郎(大阪大学大学院基礎工学研究科機能創成専攻), 瀬波大土, 立花明知(京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Theoretical Study on Chemical Bonding States and Dielectric Properties of High-k Oxides
Author	Shinya Sugino, Akinori Fukushima(Department of Micro Engineering, Kyoto University), Kentaro Doi(Department of Mechanical Science and Bioengineering, Osaka University), Masato Senami, Akitomo Tachibana(Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 125 - 130

14:50-15:10

題名	HfO₂中へのLa添加が酸素空孔の形成に与える影響
著者	梅沢直人(物質材料研究機構), 白石賢二(筑波大学), 杉野信也, 立花明知(京都大学), 大毛利健治(早稲田大学), 角嶋邦之, 岩井洋 (東京工業大学), 大野隆央(物質材料研究機構), 奈良安雄(半導体先端テクノロジーズ), 山田啓作(早稲田大学), 知京豊裕(物質材料研究機構)
Title	Effects of Lanthanum Incorporation on the Formation of Oxygen Vacancies in HfO₂
Author	Naoto Umezawa(National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Shinya Sugino(Kyoto Universy), Akitomo Tachibana(Kyoto University), Kenji Ohmori(Waseda University), Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai(Tokyo Institute of Technology), Takahisa Ohno(National Institute for Materials Science), Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technology Inc.), Keisaku Yamada(Waseda University), Toyohiro Chikyow(National Institute for Materials Science)
ページ	pp. 131 - 136

休憩

15:30-16:00

○

題名	デカナノメータ世代MOSFETにおけるランダム・テレグラフ・シグナル
著者	山田廉一, 毛利友紀, 手賀直樹, 石田猛, 三木浩史(日立製作所中央研究所)
Title	Random Telegraph Signal in Deca-nanometer Scale MOSFETs
Author	Renichi Yamada, Yuki Mori, Naoki Tega, Takeshi Ishida, Hiroshi Miki(Hitachi Ltd., Central Research Laboratory)
ページ	pp. 137 - 141

16:00-16:20

題名	アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価
著者	藤澤孝文(東北大学工学部), 阿部健一, 須川成利, 黒田理人, 渡部俊一(東北大学大学院工学研究科), 寺本章伸, 大見忠弘(東北大学未来科学技術共同研究センター)
Title	Statistical Analysis of Random Telegraph Signal Using Array TEG
Author	Takafumi Fujisawa(School of Engineeering,Tohoku University), Kenichi Abe, Shigetoshi Sugawa, Rihito Kuroda, Syunichi Watabe(Graduate School of Engineering,Tohoku University), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi(New Industry Creation Hatchery Center,Tohoku University)
ページ	pp. 143 - 148

16:20-16:40

題名	HfSiON膜中の欠陥と電気特性に見られるその影響
著者	蓮沼隆, 田村知大, 林倫弘(筑波大学数理物質科学研究科), 佐藤基之(（株）半導体先端テクノロジーズ), 山部紀久夫(筑波大学数理物質科学研究科)
Title	The Effects of Defects in HfSiON Films on the Electrical Properties
Author	Ryu Hasunuma, Chihiro Tamura, Tomohiro Hayashi(Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba), Motoyuki Sato(SELETE), Kikuo Yamabe(Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba)
ページ	pp. 149 - 154

16:40-17:00

題名	HfSiON膜中トラップと電流が絶縁破壊に及ぼす影響
著者	平野泉, 山口豪, 中崎靖((株)東芝研究開発センター), 関根克行((株)東芝セミコンダクター社), 三谷祐一郎((株)東芝研究開発センター)
Title	Influence of Traps and Carriers on Dielectric Breakdown of HfSiON
Author	Izumi Hirano, Takeshi Yamaguchi(Toshiba corporation Coporate Reseach & Development Center ), Yasushi Nakasaki(Toshiba corporation Coporate Reseach & Development Center), Katsuyuki Sekine(Toshiba corporation Semiconductor company), Yuichiro Mitani(Toshiba corporation Coporate Reseach & Development Center)
ページ	pp. 155 - 160

17:00-17:05

安田賞・服部賞受賞式

17:05-17:10

閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2008年1月14日(月) 19:30-22:00)

【形成・基礎物性】

題名	シリコン熱酸化速度の酸素分圧依存性の起源
著者	渡邉孝信, 太田洋道, 大泊巌(早稲田大学)
Title	Origin of Oxygen Partial Pressure Dependency of Thermal Oxidation Rate of Silicon
Author	Takanobu Watanabe, Hiromichi Ohta, Iwao Ohdomari(Waseda University)
ページ	pp. 161 - 166

題名	角度分解光電子分光によるPb とGa吸着Si(111)ホールサブバンドの解析
著者	森田誠, 武田さくら, 吉川雅章, 加藤有香子, 大門寛(奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科)
Title	ARPES Measurements on Si(111) Hole Subband Induced by Pb and Ga Adsorption
Author	Makoto Morita, Sakura Nishino Takeda, Masaaki Yoshikawa, Yukako Kato, Hiroshi Daimon(Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology)
ページ	pp. 167 - 172

題名	HAADF-STEM像とEELSによるメタルゲート電極中ドーパント原子の直接観察
著者	川崎直彦, 杉山直之, 大塚祐二(（株）東レリサーチセンター)
Title	Direct Observation of the Pileup Position of Impurities in Metal Gate Electrodes by High Resolution STEM Imaging and EELS
Author	Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, Yuji Otsuka(Toray Research Center Inc. )
ページ	pp. 173 - 178

題名	可変電荷ポテンシャル分子動力学法によるSi/SiO₂界面の酸化反応
著者	高橋憲彦, 山崎隆浩, 金田千穂子(富士通研究所)
Title	Investigation of Oxidation Process in the Si/SiO₂ Interface by Molecular Dynamics Simulation with Variable Charge Interatomic Potentials
Author	Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta(FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページ	pp. 179 - 183

題名	極薄SiON膜のアニール最適化によるデバイス特性およびNBTI信頼性の改善
著者	南方浩志((株)富士通研究所プロセス開発部), 森崎祐輔((株)富士通研究所先端ＣＭＯＳ開発部), 肖石琴, 迫田恒久, 西ケ谷啓太, 高橋晴彦((株)富士通研究所プロセス開発部), 福田昌俊((株)富士通研究所先端ＣＭＯＳ開発部), 永井秀明(富士通(株) デバイス開発部), 加勢正隆(富士通(株) 第一プロセス開発部), 池田和人((株)富士通研究所シリコンテクノロジ開発研究所)
Title	Improvement of the Performance and NBTI Reliability of MOSFETs with Ultra-thin SiON Gate-dielectric Film by Optimizing the Annealing Process
Author	Hiroshi Minakata(Fujitsu Laboratories Ltd. Advanced Process Development Dept.), Yusuke Morisaki(Fujitsu Laboratories Ltd. Advanced CMOS Development Dept.), Shiqin Xiao, Tsunehisa Sakoda, Keita Nishigaya, Haruhiko Takahashi(Fujitsu Laboratories Ltd. Advanced Process Development Dept.), Masatoshi Fukuda(Fujitsu Laboratories Ltd. Advanced CMOS Development Dept.), Hideaki Nagai(Fujitsu Ltd. Device Development Dept.), Masataka Kase(Fujitsu Ltd. Process Development Dept.), Kazuto Ikeda(Fujitsu Laboratories Ltd. Silicon Technology Development Lab.)
ページ	pp. 185 - 190

題名	電流および電磁場中のSiナノワイヤーに対する第一原理計算
著者	池田裕治(京都大学工学部物理工学科), 福島啓悟(京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻), 土井謙太郎(大阪大学大学院基礎工学研究科機能創成専攻), 瀬波大土, 立花明知(京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	First-principles Calculations for Si Nanowire in Electric Current and Electromagnetic Field
Author	Yuji Ikeda, Akinori Fukushima(Department of Micro Engineering, Kyoto University), Kentaro Doi(Department of Mechanical Science and Bioengineering, Osaka University), Masato Senami, Akitomo Tachibana(Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 191 - 196

題名	ECRプラズマ法により形成したゲート絶縁膜/Ge界面特性に及ぼす熱処理の効果
著者	王谷洋平, 田中拓男, 福田幸夫(諏訪東京理科大学), 豊田宏, 小野俊郎(弘前大学)
Title	Effects of Post-annealing on an Insulator/Germanium Interface Formed by ECR Plasma Irradiation
Author	Yohei Otani, Takuo Tanaka, Yukio Fukuda(Tokyo University of Science, Suwa), Hiroshi Toyota, Toshiro Ono(Hirosaki University)
ページ	pp. 197 - 201

題名	MONOS型メモリの劣化の原子レベルの機構の第一原理計算による考察
著者	小林賢司, 白石賢二(筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	First Principle Calculation of MONOS type Memory Degradation Mechanism in the Atomic Level
Author	Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi(Graduate School of Pure and Applied Physics, University of Tsukuba)
ページ	pp. 203 - 208

題名	オゾン処理によるCVD-SiO₂膜の改質
著者	河瀬和雅, 野田清治, 中井隆文, 上原康(三菱電機先端総研)
Title	Property Improvement of CVD-SiO₂ Film using Ozone Treatment
Author	Kazumasa Kawase, Seiji Noda, Takafumi Nakai, Yasushi Uehara(Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp.)
ページ	pp. 209 - 214

題名	SR-PESとSTMによるSi(110)-16×2表面上準安定酸化状態の観察
著者	山本喜久, 富樫秀晃, 後藤成一, 高橋裕也, 中野卓哉, 加藤篤, 長谷川智, 今野篤史, 末光眞希(東北大学学際科学国際高等研究センター), 吉越章隆, 寺岡有殿, 朝岡秀人(日本原子力研究開発機構)
Title	Observations of Metastable Oxidized State on Si(110)-16×2 Surface Using SR-PES and STM
Author	Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Seiichi Goto, Yuya Takahashi, Takuya Nakano, Atsushi Kato, Satoshi Hasegawa, Atsushi Konno, Maki Suemitsu(Center for Interdisciplinary Research, Tohoku university), Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Hidehito Asaoka(Japan Atomic Energy Agency)
ページ	pp. 215 - 219

題名	Si(110)-16x2面上極薄酸化膜形成過程とその界面構造
著者	山本喜久, 富樫秀晃, 加藤篤, 末光眞希(東北大学学際科学国際高等研究センター), 成田克(九州工業大学), 吉越章隆, 寺岡有殿(日本原子力研究開発機構)
Title	Ultrathin Oxide Formation Process on Si(110)-16x2 Surface and its Interface Structure
Author	Yoshihisa Yamamoto, Hideaki Togashi, Atsushi Kato, Maki Suemitsu(Center for Interdisciplinary Research,Tohoku University), Yuzuru Narita(Kyusyu Institute of Technology), Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka(Japan Atomic Energy Agency)
ページ	pp. 221 - 224

題名	Si酸化プロセスにおける希ガス添加酸素プラズマ内の活性種の影響
著者	竹田圭吾, 高島成剛, 堀勝(名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻)
Title	Effects of Activated Species in O₂ Plasma with Rare Gas Dilution on Si Oxidation Process
Author	Keigo Takeda, Seigo Takashima, Masaru Hori(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 225 - 230

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	LaOx/ScOx/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理温度依存性
著者	竹永祥則, 松田徹, 野平博司(武蔵工大工), 椎野泰洋, 角嶋邦之(東工大総理工), パールハットアヘメト(東工大フロンティア研), 筒井一生(東工大総理工), 岩井洋(東工大フロンティア研)
Title	Annealing-temperature Dependence of Chemical Structures of LaOx/ScOx/Si Interfacial Transition Layers
Author	Yoshinori Takenaga, Toru Matsuda, Hiroshi Nohira(Musashi Inst. of Tech), Yasuhiro Shiino, Kuniyuki Kakushima(Tokyo Inst. of Tech IGSSE), Perhat Ahmet(Tokyo Inst. of Tech FCRC), Kazuo Tsutsui (Tokyo Inst. of Tech IGSSE), Hiroshi Iwai(Tokyo Inst. of Tech FCRC)
ページ	pp. 231 - 236

題名	Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価
著者	坂下満男, 鬼頭伸幸, 加藤亮祐, 近藤博基, 中塚理(名古屋大学大学院工学研究科), 酒井朗(大阪大学大学院基礎工学研究科), 小川正毅(名古屋大学エコトピア科学研究所), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Characterization of Pr-oxide-based Dielectric Films Deposited on Ge Substrates
Author	Mitsuo SAKASHITA, Nobuyuki KITO, Ryosuke KATO, Hiroki KONDO, Osamu NAKATSUKA(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Akira SAKAI(Graduate School of Engineering Science, Osaka University), Masaki OGAWA(EcoTopia Science Institute, Nagoya University), Shigeaki ZAIMA(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 237 - 242

題名	Pr系高誘電率極薄膜界面化学結合状態に及ぼす低酸素分圧アニールの影響
著者	古川亮介(東工大量ナノエレ研セ、武蔵工大工), 土屋良重(東工大量ナノエレ研セ), 北村幸司, 野平博司(武蔵工大工), 小田俊理(東工大量ナノエレ研セ)
Title	Effects of Post Deposition Annealing under Low Oxygen Partial Pressure on Chemical Structures of MOCVD-grown Pr-based High-k Dielectric Thin Films
Author	Ryousuke Furukawa(QNERC, Tokyo Tech, Dept. of E&E, Mi-Tech), Yoshishige Tsuchiya(QNERC, Tokyo Tech), Koji Kitamura, Hiroshi Nohira(Dept. of E&E, Mi-Tech), Syunri Oda(QNERC, Tokyo Tech)
ページ	pp. 243 - 247

題名	金属/La₂O₃界面の仕事関数についての第一原理計算による検討
著者	西山聡, 中山隆史(千葉大学理学研究科物理学コース)
Title	First-principles Study of Work Functions at Metal/La₂O₃ Interfaces
Author	Satoshi Nishiyama, Takashi Nakayama(Department of Physics, Chiba University)
ページ	pp. 249 - 253

題名	PtおよびSi(100)上に形成したHfLa_xO_y薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定
著者	大田晃生, 要垣内亮, 村上秀樹, 東清一郎(広島大学大学院先端物質科学研究科), 池永英司, 小林啓介(高輝度光科学研究センター/SPring-8), 宮崎誠一(広島大学大学院先端物質科学研究科)
Title	Evaluation of Chemical Bonding Features and Energy Band Profiles for Ultrathin HfLa_xO_y Films Formed on Pt and Si(100)
Author	Akio Ohta, Ryo Yougauchi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Eiji Ikenaga, Keisuke kobayashi(JASRI/SPring-8), Seiichi Miyazaki(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページ	pp. 255 - 260

【メタルゲート電極】

題名	真空一貫PVD成膜を用いて形成したTiN/HfSiON p-MISFETsの特性評価
著者	北野尚武(大阪大学大学院工学研究科、キヤノンアネルバ), 有村拓晃(大阪大学大学院工学研究科), 堀江伸哉(大阪大学大学院工学研究科、ルネサステクノロジ), 川原孝昭, 坂下真介, 西田征男, 由上二郎(ルネサステクノロジ), 南卓士, 小須田求(キヤノンアネルバ), 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科)
Title	Chracteristics of p-MISFETs with TiN/HfSiON Gate Stacks Fabricated by PVD-based In-situ Method
Author	Naomu Kitano(Graduate School of Engineering, Osaka University, Canon ANELVA Corporation), Hiroaki Arimura(Graduate School of Engineering, Osaka University), Shinya Horie(Graduate School of Engineering, Osaka University, Renesas Technology Corporation), Takaaki Kawahara, Shinsuke Sakashita, Yukio Nishida, Jiro Yugami(Renesas Technology Corporation), Takashi Minami, Motomu Kosuda(Canon ANELVA Corporation), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 261 - 265

題名	ミクタミクトTiSiNゲートMOSキャパシタの結晶構造及び電気的特性の評価
著者	古米孝平, 近藤博基, 坂下満男(名古屋大学大学院工学研究科), 酒井朗(大阪大学大学院基礎工学研究科), 小川正毅(名古屋大学エコトピア科学研究所), 財満鎭明(名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Evaluation of Crystalline Structures and Electrical Properties of Mictamict TiSiN Gate MOS Capacitors
Author	Kouhei Furumai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita(Graduate School of Engineering, Nagoya University), Akira Sakai(Graduate School of Engineering Science, Osaka University), Msaki Ogawa(Ecotopia Science Institute, Nagoya University), Shigeaki Zaima(Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 267 - 272

題名	Metal/High-k界面状態に依存した実効仕事関数変調機構の理解
著者	景井悠介, 喜多祐起, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司(大阪大学大学院工学研究科), 白石賢二(筑波大学), 門島勝, 奈良安雄(半導体先端テクノロジーズ), 山田啓作(早稲田大学)
Title	Fundamental Aspects of Effective Work Function Instability at Metal/High-k Interfaces
Author	Yusuke Kagei, Yuki Kita, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe(Graduate School of Engineering, Osaka University), Kenji Shiraishi(University of Tsukuba), Masaru Kadoshima, Yasuo Nara(SELETE), Keisaku Yamada(Waseda University)
ページ	pp. 273 - 277

題名	ニッケルシリサイドNi_xSi_yの電子構造と安定性の第一原理計算による検討
著者	進士翔(千葉大学自然科学研究科物理学コース), 中山隆史(千葉大学理学研究科物理学コース)
Title	First-principles Study on Electronic Structures and Stability of Ni_xSi_y
Author	Sho Shinji, Takashi Nakayama(Department of Physics, Chiba Unibersity)
ページ	pp. 279 - 282

題名	ハフニウム系ゲート絶縁膜が引き起こす基板側フェルミレベルピニングの直接的観察
著者	杉田義博, 青山敬幸, 奈良安雄(半導体先端テクノロジーズ)
Title	Direct Observation of the Fermi Level Pinning between Si Substrate and Hf-based High-k Dielectrics
Author	Yoshihiro Sugita, Takayuki Aoyama , Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)
ページ	pp. 283 - 288

【高移動度化技術】

題名	パターン依存酸化による歪シリコンナノワイヤトランジスタの相互コンダクタンス向上評価
著者	清家綾, 丹下智之, 佐野一拓, 杉浦裕樹, 土田育新(早稲田大学/理工学術院), 小瀬村大輔, 小椋厚志(明治大学/電気電子工学科), 大泊巌(早稲田大学/理工学術院)
Title	Strain-induced Transconductance Enhancement by Pattern Dependent Oxidation in Si Nanowire FETs for CMOS Operation
Author	Aya Seike, Tomoyuki Tange, Itsutaku Sano, Yuuki Sugiura, Ikushin Tsuchida(Waseda University/Faculty of Science and Engineering), Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura(Meiji University/School of Science and Technology), Iwao Ohdomari(Waseda University/Faculty of Science and Engineering)
ページ	pp. 289 - 292

Title	Characteristics Improvement of HfO₂/Ge Gate Stack Structure by Fluorine Treatment of Germanium Surface
Author	Hyun Lee, Yuya Mori, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama(Graduate School of Engineering Science, Osaka University)
ページ	pp. 293 - 298

題名	金属/ゲルマニウム接合におけるフェルミレベルピンニングの起源と制御
著者	西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明(東京大学)
Title	Origin and Control of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface
Author	Tomonori Nishimura, Toshitake Takahashi, Koji Kita, Akira Toriumi(The University of Tokyo)
ページ	pp. 299 - 304

題名	GeO₂/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO₂/Ge界面特性の向上
著者	喜多浩之, 鈴木翔, 能村英之, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明(東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Improvement of GeO₂/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO
Author	Koji Kita, Sho Suzuki, Hideyuki Nomura, Toshitake Takahashi, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi(Department of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 305 - 310

【評価】

題名	Hf系酸化物におけるX線照射時間依存性の解析
著者	谷村龍彦, 豊田智史, 組頭広志, 尾嶋正治(東京大学), 池田和人, 劉国林, 劉紫園(半導体理工学センター)
Title	Analysis of X-ray Irradiation Time-dependence in HfO2-based Gate Dielectrics
Author	Tatsuhiko Tanimura, Satoshi Toyoda, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima(The University of Tokyo), Kazuto Ikeda, Guo Lin Liu, Ziyuan Liu(STARC)
ページ	pp. 311 - 315

題名	TEM-EELSによる誘電関数評価の実際
著者	田中洋毅, 小池三夫, 富田充裕, 竹野史郎(東芝/研究開発センター)
Title	Practical Aspects of Determining the Dielectric Functions by TEM-EELS
Author	Hiroki Tanaka, Mitsuo koike, Mitsuhiro Tomita, Shiro Takeno(Toshiba/Corporate R&D center)
ページ	pp. 317 - 322

題名	HfxLayOz膜の構造及び界面反応の組成比依存性
著者	山元隆志, 関洋文, 宮本隆志, 国須正洋, 辻淳一, 杉山直之((株)東レリサーチセンター), 喜多浩之(東大院工マテリアル工学専攻)
Title	La Concentration Dependence of Structure and Interface Reaction in HfxLayOz/SiO2/Si Substrate Stacks
Author	Takashi Yamamoto, Hirofumi Seki, Takashi Miyamoto, Masahiro Kunisu, Jun-ichi Tsuji, Naoyuki Sugiyama(Toray Research center, Inc.), Koji Kita(University of Tokyo)
ページ	pp. 323 - 328

題名	放射光X線回折法を用いた歪みSiウェーハの評価
著者	井上智之, 岡本祐樹(大阪大学工学研究科), 小椋厚志(明治大学), 江戸太樹, 飯田敏(富山大学), 福田一徳, 坂田修身, 木村滋(JASRI), 梅野正隆(福井工業大学), 志村考巧, 安武潔, 渡部平司(大阪大学工学研究科)
Title	Characterization of Strained Si Wafers by Using Synchrotron X-ray Diffraction Methods
Author	Tomoyuki Inoue, Yuki Okamoto(Osaka University), Atushi Ogura(Meiji University), Hiroki Edo, Stoshi Iida(University of Toyama), Kazunori Fukuda, Osami Sakata, Shigeru Kimura(JASRI), Masataka Umeno(Fukui University of Technorogy), Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Heiji Watanabe(Osaka University)
ページ	pp. 329 - 332

題名	ラジカル酸化膜の絶縁破壊特性
著者	岡本真一, 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学)
Title	Dielectric Characteristics of SiO₂ Film Formed by Using Radical Oxygen
Author	Shinichi Okamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(University of Tsukuba)
ページ	pp. 333 - 336

【信頼性】

題名	窒素添加がHfSiOxのNBTIに与える影響
著者	田村知大, 林倫弘(筑波大学電子・物理工学専攻), 村田晃一(筑波大学工学基礎学類), 犬宮誠治, 佐藤基之(（株）半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	The Effect of Nitrogen Incorporation on NBTI of HfSiOx
Author	Chihiro Tamura, Tomohiro Hayashi(Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba), Koichi Murata(College of Engineering Sciences, Univ. of Tsukuba), Seiji Inumiya, Motoyuki Sato(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 337 - 342

題名	HfSiON/TaSiゲートスタック nMOS反転側ゲートリーク電流機構と破壊特性に関する考察
著者	佐藤基之, 鬼沢岳, 青山敬幸, 奈良安雄, 大路譲((株)半導体先端テクノロジーズ), 山部紀久夫(筑波大学 )
Title	Study of the Gate Leakage Current Mechanism and TDDB Characteristics of HfSiON/TaSi Gate Stack nMOSFET in Inversion State
Author	Motoyuki Sato, Takashi Onizawa, Takayuki Aoyama, Yasuo Nara, Yuzuru Ohji(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.), Kikuo Yamabe(University of Tsukuba )
ページ	pp. 343 - 348

題名	極薄SiONゲート絶縁膜のACストレス下でのNBTI-回復パルス幅の影響-
著者	深津茂人, 三谷祐一郎, 萩島大輔, 松澤一也(東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー), 井上耕一郎(東芝セミコンダクター社)
Title	Influence of Recovery Time on AC-NBTI in Ultra-thin SiON Gate Dielectrics
Author	Shigeto Fukatsu, Yuichiro Mitani, Daisuke Hagishima, Kazuya Matsuzawa(Advanced LSI technology Lab., Corporate R&D Center, Toshiba Corp.), Koichiro Inoue(Semiconductor Company, Toshiba Corp.)
ページ	pp. 349 - 354

題名	HfSiON膜の電気的特性へ与える高温PNA処理の影響
著者	林倫弘, 田村知大(筑波大学電子・物理工学専攻), 中村源志, 赤坂泰志(東京エレクトロン(株)), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学学際物質科学研究センター)
Title	The Effect of Post Nitridation Annealing on the Electrical Properties of HfSiON Films
Author	Tomohiro Hayashi, Chihiro Tamura(Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Genji Nakamura, Yasushi Akasaka(Tokyo Electron Ltd), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 355 - 359

題名	ゲート電極形成後の熱処理によるHfSiON膜への影響
著者	村田晃一(筑波大学工学基礎学類), 田村知大, 林倫弘(筑波大学電子・物理工学専攻), 佐藤基之((株) 半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼隆, 山部紀久夫(筑波大学電子・物理工学専攻)
Title	The Effects of Annealing on HfSiON Films in Gate-last MOSFETs
Author	Koichi Murata(College of Engineering Sciences, University of Tsukuba), Chihiro Tamura, Tomohiro Hayashi(Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba), Motoyuki Sato(Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe(Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 361 - 366

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 第13回研究会研究報告プログラム