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応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第14回研究会研究報告プログラム



論文リスト (口頭発表)


(「◎、○」印は招待講演)


2009年1月22日(木)

20:00-22:00 名取研二先生(筑波大) バリスティックMOSから準バリスティックMOSへ


2009年1月23日(金)

9:00-9:10 開会にあたって
9:10-10:00
題名半導体産業、明日へ向けて
著者 有門経敏 (東京エレクトロン)
Title”What should we do towards future ?”
Author Tsunetoshi Arikado (Development Planning Devision, Tokyo Electron LTD.)
ページpp. 1 - 4
10:00-10:30
題名TaCx組成最適化による極微細TaCx/HfSiONデバイス性能および歪み効果の向上
著者 後藤 正和 ((株)東芝 セミコンダクター社)
TitleImprovement in Device Performance of Aggressively Scaled TaCx/HfSiON with SMT and Strained CESL by optimizing TaCx composition
Author Masakazu Goto (Semiconductor Company, Toshiba Corporation)
ページpp. 5 - 8
10:30-10:50
題名真空一貫プロセスによるLa添加HfSiO高誘電率絶縁膜の電気特性向上およびフラットバンド電圧制御
著者 有村 拓晃, 奥 雄大, 佐伯 雅之, 北野 尚武, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleImproved Electrical Properties and Flatband Control of HfLaSiO High-k Gate Dielectrics Fabricated by In-Situ Process
Author Hiroaki Arimura, Yudai Oku, Masayuki Saeki, Naomu Kitano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 9 - 12
10:50-11:10
題名PDA処理による高キャリア移動度を実現する極薄HfON/SiONゲートスタックの形成
著者 石川 大, 神山 聡, 黒澤 悦男, 青山 敬幸, 池田 和人 (半導体先端テクノロジーズ)
TitleFabrication of Aggressively Scaled HfON/SiON Gate Stack Enabling High Carrier Mobility by Post-Deposition Annealing
Author Dai Ishikawa, Satoshi Kamiyama, Etsuo Kurosawa, Takayuki Aoyama, Kazuto Ikeda (Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページpp. 13 - 16
11:10-11:30
題名HfSiON 膜表面で観察される絶縁破壊の痕跡
著者 林 倫弘, 田村 知大 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科), 佐藤 基之 (株式会社 半導体先端テクノロジーズ), 蓮沼 隆 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科,筑波大学学際物質科学研究センター), 山部 紀久夫 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科,)
TitleVestiges of Multiple Progressive Dielectric Breakdown on HfSiON Surfaces
Author Tomohiro Hayashi, Chihiro Tamura (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba), Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Tecnologies, Inc.), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba Research Center for Interdisciplinary Materials Science)
ページpp. 17 - 20
11:30-11:50
題名価電子揺動Ce酸化物を利用したHigh-k膜中の固定電荷の抑制
著者 幸田 みゆき (東工大フロンティア研), 梅澤 直人 (物質材料研究機構), 角嶋 邦之 (東工大院総理工), Parhat Ahmet (東工大フロンティア研), 白石 賢二 (筑波大学), 知京 豊祐 (物質材料研究機構), 山田 啓作 (早稲田大学), 服部 健雄, 岩井 洋 (東工大フロンティア研)
TitleCharged Defects Reduction in High-k Gate Dielectrics with Multivalent Cerium Oxide
Author Miyuki Kouda (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology), Naoto Umezawa (National Institute for Materials Science, Advanced Electronic Materials Center), Kuniyuki Kakushima (Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology), Parhat Ahmet (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology), Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences,University of Tukuba), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science, Advanced Electronic Materials Center), Keisaku Yamada (Nanotechnology Research Laboratories, Waseda Univ.), Takeo Hattori, Hiroshi Iwai (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,Tokyo Institute of Technology)
ページpp. 21 - 24
昼食
12:50-13:20
題名高移動度チャネルMOSトランジスタの性能予測シミュレーション
著者 土屋英昭 (神戸大学大学院/工学研究科電気電子工学専攻)
TitleA Computational Study on Drive Current of High Mobility n-Channel MOSFETs
Author Hideaki Tsuchiya (Electrical and Electronics Engineering/Graduate School of Engineering, Kobe University)
ページpp. 25 - 28
13:20-13:50
題名III-Vチャネル上への高品質MIS界面の形成
著者 安田哲二 (産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター)
TitleQuality MIS Interface Formation on III-V Channel Materials
Author Tetsuji Yasuda (Nanodevice Innovation Research Center (NIRC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
ページpp. 29 - 32
13:50-14:10
題名Si基板上SiC薄膜を用いたエピタキシャルグラフェン成長
著者 宮本 優, 半田 浩之, 齋藤 英司 (電気通信研究所 東北大学), 末光 真希 (電気通信研究所 東北大学, JST-CREST), 吹留 博一 (電気通信研究所 東北大学), 伊藤 隆 (学際科学高等研究センター 東北大学)
TitleFormation of Epitaxial Graphene from SiC Thin Film on Si Substrate
Author Yuu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ.), Maki Suemitsu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ., JST-CREST), Fukidome Hirokazu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku Univ.), Itoh Takashi (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University)
ページpp. 33 - 35
14:10-14:30
題名Ge酸化物の酸化数がGe MOSデバイスの熱安定性および電気的特性に与える影響
著者 鎌田 善己, 高島 章, 手塚 勉 (東芝/研究開発センター)
TitleInfluence of Oxidation State of Ge Oxide on Thermal Stability and Electrical Characteristics of Ge MOS Devices
Author Yoshiki Kamata, Akira Takashima, Tsutomu Teduka (Toshiba Corporation/Corporate R&D Center)
ページpp. 37 - 40
14:30-14:50
題名Ge-MIS界面特性評価における少数キャリア応答の重要性
著者 田岡 紀之 (半導体MIRAI-ASRC), 山本 豊二, 原田 真臣, 山下 良美, 杉山 直治 (半導体MIRAI-ASET), 高木 信一 (東京大学、半導体MIRAI-ASRC)
TitleImportance of Minority Carrier Response in Accurate Characterization of Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface traps
Author Noriyuki Taoka (MIRAI-ASRC), Toyoji Yamamoto, Masatomi Harada, Yoshimi Yamashita, Naoharu Sugiyama (MIRAI-ASET), Shin-ichi Takagi (The University of Tokyou, MIRAI-ASRC)
ページpp. 41 - 44
14:50-15:10
題名Ge親和性High-kゲート絶縁膜LaLuO3のGe MISゲートスタックにおける有用性の実証
著者 田畑 俊行, 李 忠賢, 喜多 浩之, 鳥海 明 (東京大学)
TitleUtility Demonstrations of LaLuO3 for Ge MIS Gate Stacks as a Ge-friendly High-k Gate Dielectric Film
Author Toshiyuki Tabata, C. H. Lee, Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページpp. 45 - 48
15:10-15:30
題名Siナノワイヤーの伝導特性に関する第一原理解析
著者 池田裕治, 福島啓悟, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻)
TitleFirst Principles Analysis for The Conduction Characteristics of Si Nanowires
Author Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 49 - 52
休憩
15:50-16:30 ポスターショートプレゼンテーション
16:30-17:50 若手企画パネルディスカッション
19:30-22:00 ポスターセッション


2009年1月24日(土)

8:40-9:30
題名NAND型フラッシュメモリ技術の動向と課題
著者 八重樫 利武 (東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター フラッシュメモリデバイス技術開発部)
TitleTrends and Challenges of NAND Flash Memory Technology
Author Toshitake Yaegashi (Flash Memory Device Technology Department, Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation Semiconductor Company)
ページpp. 53 - 56
9:30-10:00
題名NAND型フラッシュメモリの現状と、今後の不揮発性半導体メモリの新展開
著者 遠藤哲郎 (東北大学 学際科学国際高等研究センター)
TitleCurrent Status of NAND Type Flash Memory and Future Prospect of the Next Generation Nonvolatile Semiconductor Memory
Author Tetsuo Endo (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University)
ページpp. 57 - 60
休憩
10:20-10:50
題名RRAM動作特性の電極材料依存性と電極/酸化物界面の化学結合状態
著者 島 久 (独立行政法人産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門)
TitleElectrode Material Dependence of RRAM Operational Performance and Chemical State of Electrode/oxide Interface
Author Hisashi Shima (Nanotechnology Research Institute (NRI))
ページpp. 61 - 64
10:50-11:10
題名混載メモリ用不純物添加NiSi2-FUSI/SiONゲートスタック
著者 間部 謙三, 増崎 幸治, 小倉 卓 (NECエレクトロニクス), 西藤 哲史 (NEC), 砂村 潤, 渡辺 啓仁 (NECエレクトロニクス)
TitleImpurity-segregated NiSi2-FUSI/SiON Gate Stack for Embedded Memory Application
Author Kenzo Manabe, Koji Masuzaki, Takashi Ogura (NEC Electronics), Motofumi Saitoh (NEC), Hiroshi Sunamura, Hirohito Watanabe (NEC Electronics)
ページpp. 65 - 68
11:10-11:30
題名MONOS型メモリの電荷蓄積機構の第一原理計算による考察
著者 大竹 朗 (筑波大学大学院数理物質科学研究科), 山口 慶太 (筑波大学物理学系), 小林 賢司, 白石 賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
TitleFirst-Principles Investigations on the Charge Trap Mechanism of MONOS-type Memory
Author Akira Otake (Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba), Keita Yamaguchi (Institute of Physics, University of Tsukuba), Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Science, University of Tsukuba)
ページpp. 69 - 72
昼食
12:30-13:00
題名アモルファスSiO2中の格子間O2分子の発光測定
著者 梶原浩一 (首都大学東京大学院 都市環境科学研究科 環境調和・材料化学専攻)
TitlePhotoluminescence Measurements of Interstitial O2 Molecules in Amorphous SiO2
Author Koichi Kajiwara (Department of Applied Chemistry,Graduate School of Urban Environmental Sciences, Tokyo Metropolitan University)
ページpp. 73 - 76
13:00-13:20
題名角度分解光電子分光測定によるPb吸着Si(001)表面空間電荷層中のホールサブバンド分散
著者 谷川 洋平, 武田 さくら, 森田 誠, 大杉 拓也, 加藤 有香子, 山中 佑一郎, 小池 潤一郎, 大門 寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸 正樹, 今村 健 (半導体理工学研究センター)
TitleHole Subband Dispersion in Pb/Si(001) Surface Space Charge Layers Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Author Yohei Tanigawa, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Takuya Ohsugi, Yukako Kato, Yuichiro Yamanaka, Junichiro Koike, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページpp. 77 - 80
13:20-13:40
題名Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS評価
著者 尾形 祥一, 大野 真也, 田中 正俊 (横浜国立大学), 安田 哲二 (産業技術総合研究所)
TitleStructures of the High-Index Si/SiO2 Interfaces Evaluated by Reflectance Difference Spectroscopy in VUV
Author Shouichi Ogata, Shinya Ohono, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページpp. 81 - 84
13:40-14:00
題名極薄シリコン酸窒化膜の水素拡散バリア性
著者 劉 紫園 (NEC エレクトロニクス/テスト評価技術部, CREST-JST), 伊藤 周 (NEC エレクトロニクス/テスト評価技術部), Markus Wilde, 福谷 克之 (東京大学/生産技術研究所, CREST-JST)
TitleHydrogen Permeability of Ultra Thin Oxynitride Layer between Oxide and Nitride films
Author Ziyuan Liu (NEC Electronics Corporation/Test and Analysis Engineering Division, and CREST-JST), Shuu Ito (NEC Electronics Corporation/Test and Analysis Engineering Division), Markus Wilde, Katsuyuki Fukutani (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, and CREST-JST)
ページpp. 85 - 88
14:00-14:20
題名アモルファスTi-Si-N MOSゲート電極の熱的安定性およびスケーラビリティ
著者 宮本 和明, 古米 孝平, 近藤 博基, 坂下 満男, 財満 鎭明 (名古屋大学)
TitleThermal Stability and Scalability of Amorphous Ti-Si-N MOS Gate Electrodes
Author Kazuaki Miyamoto, Kouhei Furumai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Nagoya University)
ページpp. 89 - 92
14:20-14:40
題名第一原理計算によるシリサイドの安定性に関する研究
著者 五月女 真一, 進士 翔 (千葉大学理学研究科基盤理学専攻), 中山 隆史 (千葉大学理学研究科)
TitleFirst-principles Study on Stability of Silicides
Author Shinichi Sotome, Sho Shinji, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページpp. 93 - 96
14:40-15:00
題名局所横方向液相エピタキシャル成長による絶縁膜上Geワイヤの作製
著者 橋元 達也, 吉本 千秋, 細井 卓治, 志村考功, 渡部 平司 (大阪大学工学研究科)
TitleFabrication of Ge Wire on Insulator using Lateral Liquid-phase Epitaxial Growth
Author Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 97 - 100
休憩
15:20-15:50
題名Vth低減のためのDual High-k技術がBTI, 1/fノイズ特性に与える影響
著者 佐藤基之 ((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleImpact of Dual High-k Technology for Vth Reduction on BTI and 1/f Noise
Author Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Technologies)
ページpp. 101 - 104
15:50-16:20
題名MOSトランジスタの特性ばらつきの定量とその解析
著者 西田彰男 (MIRAI-Selete)
TitleMeasurement and Analyses of Vth Fluctuation in 65nm-MOSFETs
Author Akio Nishida (MIRAI-Selete)
ページpp. 105 - 108
16:20-16:40
題名終端元素による絶縁破壊寿命ワイブル分布改善の可能性
著者 三谷 祐一郎, 佐竹 秀喜 (蠹貅 研究開発センター), 鳥海 明 (東京大学大学院工学研究科)
TitleImprovement of Weibull Distribution of Time-to-Breakdown
Author Yuichiro Mitani, Hideki Satake (Corprate R&D Center, Toshiba Corporation), Akira Toriumi (Department of Materials Science, The University of Tokyo)
ページpp. 109 - 112
16:40-17:00
題名金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制
著者 大毛利 健治 (早稲田大学 ナノテクノロジー研究所), 松木 武雄, 石川 大, 諸岡 哲, 網中 敏夫, 杉田 義博 (半導体先端テクノロジーズ), 知京 豊裕 (物質・材料研究機構), 白石 賢二 (筑波大学), 奈良 安雄 (半導体先端テクノロジーズ), 山田 啓作 (早稲田大学 ナノテクノロジー研究所)
TitleImpact of Additional Factors in Threshold Voltage Variability of Metal/High-k Gate Stacks and Its Reduction by Controlling Crystalline Structure and Grain Size in the Metal Gates
Author Kenji Ohmori (Nanotechnology Laboratory, Waseda University), Takeo Matsuki, Dai Ishikawa, Tetsu Morooka, Toshio Aminaka, Yoshihiro Sugita (Semiconductor Leading Edge Technologies), Toyohiro Chikyow (National Institute for Materials Science), Kenji Shiraishi (University of Tsukuba), Yasuo Nara (Semiconductor Leading Edge Technologies), Keisaku Yamada (Nanotechnology Laboratory, Waseda University)
ページpp. 113 - 116
17:00-17:05 安田賞・服部賞
17:05-17:10 閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2009年1月23日(金) 19:30-22:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名角度分解光電子分光法によるシリコン窒化膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究
著者 諏訪 智之 (東北大学未来科学技術共同研究センター), 荒谷 崇 (信越半導体), 樋口 正顕 (東芝), 須川 成利 (東北大学大学院工学研究科), 池永 英司 (高輝度光科学研究センター), 牛尾 二郎 (日立製作所), 野平 博司 (武蔵工業大学), 寺本 章伸, 大見 忠弘, 服部 健雄 (東北大学未来科学技術共同研究センター)
TitleStudy on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author Tomoyuki Suwa (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University), Takashi Aratani (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Masaaki Higuchi (Toshiba Corporation), Shigetoshi Sugawa (Graduate School of Engineering, Tohoku University), Eiji Ikenaga (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Jiro Ushio (Hitachi, Ltd.), Hiroshi Nohira (Musashi Institute of Technology), Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University)
ページpp. 117 - 120

題名窒化アルミナ絶縁層を有したHigh-k/Geゲートスタックの作製と特性評価
著者 岡本 学, 朽木 克博, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学工学研究科)
TitleFabrication and Electrical Characterization of High-k/Ge Gate Stacks with Al-oxynitride Dielectrics
Author Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 121 - 124

題名Pr(EtCp)3を用いたMOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性の評価
著者 松井 裕高, 櫻井晋也, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleFabrication of Pr Oxide Films by MOCVD Using Pr(EtCp)3 and Evaluation of Electrical Properties
Author Hirotaka Matsui, Shinya Sakurai, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 125 - 128

題名HfSiOxにおけるしきい値電圧経時劣化の成分分離
著者 田村 知大, 林 倫弘 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 菊地 裕樹 (筑波大学 工学基礎学類), 大毛利 健治 (早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 電子・物理工学専攻)
TitleCharacterization of Threshold Voltage Shift by Negative Bias Temperature Stress in HfSiOx
Author Chihiro Tamura, Tomohiro Hayashi (Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba), Yuuki Kikuchi (College of Engineering Sciences, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Laboratory, Waseda University), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba)
ページpp. 129 - 132

題名Al2O3界面層挿入によるLaAlO3/Ge 界面制御効果
著者 加藤 亮祐, 京極 真也, 坂下 満男, 近藤 博基, 財満 鎭明 (名古屋大学工学院工学研究科)
TitleThe Control Effect of The LaAlO3/Ge Interface by Insertion of The Al2O3 Interfacial Layer
Author Kato Ryosuke, Kyogoku Shinya, Sakaishta Mitsuo, Kondo Hiroki, Zaima Shigeaki (Graduate School of Eng., Nagoya Univ.)
ページpp. 133 - 136

題名DFT+U法によるhigh-k金属酸化物の第一原理計算
著者 濱田智之 (株式会社 日立製作所基礎研究所), 大野隆央 (独立行政法人 物質・材料研究機構)
TitleDFT+U First Principles Study of High-k Metal Oxides
Author Tomoyuki Hamada (Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.), Takahisa Ohno (National Institute for Materials Science)
ページpp. 137 - 140

題名RFスパッタ法により作製されたAl2O3薄膜の結晶性および電気特性
著者 西岡浩, 福田 夏樹, 菊地 真, 木村 勲, 神保 武人, 鄒 弘綱 (アルバック 半導体技術研究所)
TitleCrystalline and Electrical Properties of Al2O3 Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method
Author Yutaka Nishioka, Natsuki Fukuda, Shin Kikuchi, Isao Kimura, Takehito Jimbo, Koukou Suu (Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc.)
ページp. 141

題名CeO2/La2O3/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響
著者 野平 博司, 今 陽一郎, 北村 幸司 (武蔵工大工), 幸田 みゆき (東工大フロンティア研), 角嶋 邦之 (東工大院総理工), 岩井 洋 (東工大フロンティア研)
TitleInfluence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of CeO2/La2O3/Si(100)
Author Hiroshi Nohira, Youichirou Kon, Koji Kitamura (Musashi Inst. of Tech.), Miyuki Kouda (FRC. Tokyo Inst. of Tech.), Kuniyuki Kakushima (IGSSE. Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Iwai (FRC. Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 143 - 146

【信頼性・ゆらぎ】

題名可変ストレス誘起リーク電流(V-SILC)の機構解析
著者 石田猛, 手賀直樹, 毛利友紀, 三木浩史, 峰利之 (日立中研), 久米均 (日立超LSIシステムズ), 鳥居和功 (日立中研), 村口正和 (東北大), 高田幸宏, 白石賢二 (筑波大), 山田廉一 (日立中研)
TitleDynamic Fluctuation Mechanism of Stress-induced Leakage Current
Author Takeshi Ishida, Naoki Tega, Yuki Mori, Hiroshi Miki, Toshiyuki Mine (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.), Hitoshi Kume (Hitachi ULSI Systems Co., Ltd.), Kazuyoshi Torii (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.), Masakazu Muraguchi (Tohoku Univ.), Takada Yukihiro, Kenji Shiraishi (Univ. of Tsukuba), Renichi Yamada (Hitachi, Ltd. Central Research Lab.)
ページpp. 147 - 150

題名ラジカル酸化と熱酸化によるシリコン酸化膜の膜質制御
著者 呂 , 佐藤 慎九郎, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学数理物質科学研究科)
TitleReliability Control of Silicon Dioxide Films by Radical and Thermal Oxidation
Author Lu Zhao, Sato Shinkuro (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Hasunuma Ryu, Yamabe Kikuo (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba/TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 151 - 154

【形成・評価・基礎物性】

題名古典的分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の大規模モデリング
著者 恩田 知弥 (早稲田大学理工学術院), 渡邉 孝信, 大泊 巌 (早稲田大学理工学術院、早稲田大学ナノ理工学研究機構)
TitleLarge-Scale Modeling of GeO2/Ge Interface Structure by Means of Classsical Molecular Dynamics
Author Tomoya Onda (Faculty of Science & Engineering, Waseda University), Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari (Faculty of Science & Engineering, Waseda University Institute for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda University)
ページpp. 155 - 158

題名SiO2中の窒素と窒素酸化物分子の理論検討
著者 影島博之 (NTT物性科学基礎研究所), 秋山亨 (三重大学), 植松真司 (慶應大学), 伊藤智徳 (三重大学)
TitleTheoretical Study on Nitrogen and Nitrogen Oxide Molecules in SiO2
Author Hiroyuki Kageshima (NTT Basic Research Laboratories), Toru Akiyama (Mie University), Shinji Uematsu (Keio University), Tomonori Ito (Mie University)
ページpp. 159 - 162

題名ラジカル窒化法によるGe3N4/Ge構造の形成過程
著者 加藤 公彦, 小田 繁尚, 近藤 博基, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleFormation Processes of Ge3N4/Ge Structures by Radical Nitridation Technique
Author Kimihiko Kato, Shigehisa Oda, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 163 - 166

題名SiO2/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響
著者 穂積英彬, 小川修一 (東北大学), 吉岡章隆 (日本原子力研究所), 石塚眞治 (秋田工業高等専門学校), 寺岡有殿 (日本原子力研究所), 高桑雄二 (東北大学)
TitleThe Effect of C Atom Impurities on Si02/Si(001) Interface during Si Oxidation Reaction
Author Hideaki Hozumi, Shuichi Ogawa (Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Shinji Ishidzuka (Akita National College of Technology), Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Tohoku University)
ページpp. 167 - 170

題名Si基板上に直接成長させた歪みSiGe層の熱酸化膜中の残留秩序構造
著者 下川 大輔, 岡本 佑樹, 井上 智之, 細井 卓司, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleResidual Order in the Thermally Oxidized Thin Film of Strained SiGe Layers Grown on Si Substrates
Author Daisuke Shimokawa, Yuuki Okamoto, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 171 - 174

題名第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定
著者 五十嵐 智 (武蔵工大工), 小林 大輔 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部), 野平 博司 (武蔵工大工), 廣瀬 和之 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部)
TitleFirst Principles Calculation for Estimating Optical Dielectric Constants of Dielectric Films
Author Satoru Igarashi (Musashi Inst. Technol), Daisuke Kobayashi (ISAS, JAXA), Hiroshi Nohira (Musashi Inst. Technol), Kazuyuki Hirose (ISAS, JAXA)
ページpp. 175 - 178

題名原子的平坦Si (111)表面に形成した熱酸化膜のラフネス
著者 大沢 敬一朗, 林 優介 (筑波大学), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学, 学際物質科学研究センター)
TitleMicro Roughness of Silicon Dioxide Thermally Grown on Atomically Flat Silicon (111) Terrace
Author Keichiro Ohsawa, Yusuke Hayashi (University of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba, Tsukuba Research Center for Interdisciplinary Materials Science (TIMS))
ページpp. 179 - 182

題名応力緩和によるTEOS-SiO2のリーク電流の抑制
著者 染谷 満, 蓮沼 隆 (筑波大学 電子・物理工学), 荻野 正明, 栗林 均, 須ヶ原 紀之 (富士電機デバイス研), 山部 紀久夫 (筑波大学 電子・物理工学)
TitleSuppression of Leakage Current of TEOS-SiO2 by Stress Relaxation
Author Sometani Mitsuru, Ryu Hasunuma (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba,), Ogino Masaaki, Kuribayashi Hitoshi, Sugahara Yoshiyuki (Electron Device Laboratory, Fuji Electric Device Technology), Kikuo Yamabe (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba,)
ページpp. 183 - 186

題名界面層によるショットキーバリア変調の化学的傾向に関する理論研究
著者 湯野 裕高, 中山 隆史 (千葉大学理学研究科物理学コース)
TitleTheoretical Study on Chemical Trend of Schottky Barrier Modulation by Interface Layers
Author Hirotaka Yuno, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページpp. 187 - 190

題名アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性
著者 近藤 博基, 宮本 和明, 古米 孝平, 坂下 満男, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleNitrogen-content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Amorphous Ti-Si-N and Hf-Si-N MOS Gate Electrodes
Author Hiroki Kondo, Kazuaki Miyamoto, Kouhei Furumai, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 191 - 194

題名Pt上に形成したHf-Ti系酸化薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定
著者 大田 晃生, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科), 谷奥 正巳, 堀川 貢弘, 荻島 淳史 (エルピーダメモリ(株))
TitleEvaluation of Chemical Bonding Features and Energy Band Profiles for Ultrathin Hf-Ti Oxide Films Formed on Pt
Author Akio Ohta, Hideki Murakam, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Masami Tanioku, Mitsuhiro Horikawa, Atsushi Ogishima (Elpida Memory, Inc.)
ページpp. 195 - 198

題名La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成
著者 要垣内 亮, 大田 晃生, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科)
TitleFormation of La-Oxide Thin Films by MOCVD Using La(TMOD)3
Author Ryo Yougauch, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of AdSM, Hiroshima University)
ページpp. 199 - 202

題名DPM錯体を用いたMOCVDにより形成したHf-Gd系酸化膜の化学結合状態評価
著者 貫目 大介, 大田 晃生, 要垣内 亮, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一 (広島大学 先端物質科学研究科)
TitleCharacterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy Film Formed by MOCVD Using DPM Precursors
Author Daisuke Kanme, Akio Ohta, Ryo Yougauchi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sceiences of Matter, Hiroshima University)
ページpp. 203 - 206

題名光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価
著者 山本 喜久, 鈴木 康, 宮本 優, ローランド・バンタクロー, 末光 眞希 (東北大学電気通信研究所), 遠田 義晴 (弘前大学), 寺岡 有殿, 吉越 章隆, 朝岡 秀人 (日本原子力研究機構), 山崎 竜也 (エイコーエンジニアリング)
TitleInitial Oxidation of Si(110) Surface Evaluated by Photoemission Spectroscopy and Substrate-curvature Measurements
Author Yoshihisa Yamamoto, Yasushi Suzuki, Yuu Miyamoto, Rolando Bantaculo, Maki Suemitsu (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University), Yoshiharu Enta (Faculty of Science and Technology, Hirosaki University), Yuden Teraoka, Akitaka Yoshigoe, Hidehito Asaoka (Japan Atomic Energy Agency), Tatsuya Yamazaki (Eiko Engineering)
ページpp. 207 - 210

題名酸素分子によるlayer-by-layer Si表面エッチングのAFM測定
著者 森田行則, 右田真司, 田岡紀之, 水林亘, 太田裕之 (産総研)
TitleAFM Measurement of Layer-by-layer Si Surface Etching by O2 Molecule
Author Yukinori Morita, Shinji Migita, Noriyuki Taoka, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota (AIST)
ページpp. 211 - 214

題名角度分解光電子分光によるGaAs(001)表面の価電子帯バンド分散測定
著者 大杉 拓也, 武田 さくら, 谷川 洋平, 森田 誠, 加藤 有香子, 小池 潤一郎, 山中 佑一郎, 大門 寛, 黄 晋二, 河口 仁司 (奈良先端大/物質創成), 吉丸 正樹, 今村 健 (半導体理工学研究センター)
TitleValence Band Dispersion in GaAs(001) Surface Measured by Angle-resolved Photoemission Spectroscopy
Author Takuya Ohsugi, Sakura Nishino Takeda, Yohei Tanigawa, Makoto Morita, Yukako Kato, Junichiro Koike, Yuichiro Yamanaka, Hiroshi Daimon, Shinji Koh, Hitoshi Kawaguchi (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページpp. 215 - 218

題名SiO2/Si界面の酸化窒化ガスの反応
著者 山崎隆浩, 金田千穂子 (富士通研究所/ナノテクノロジー研究センター)
TitleReactions of Oxinitridation Species around Si/SiO2 Interface
Author Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (Fujitsu Laboratories Ltd./Nanotechnology Research Center)
ページpp. 219 - 222

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名高密度プラズマ窒化により形成したGe3N4膜の電気特性評価
著者 朽木 克博, 岡本 学, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleStudy on Electrical Properties of Ge3N4 Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation
Author Katsuhiro Kutsuki, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 223 - 226

題名(100)面もしくは(110)面上に作成された歪ナノワイヤトランジスタにおける相互コンダクタンスの向上評価
著者 清家 綾, 杉浦 裕樹, 土田 育新, 高井 一 (早稲田大学), 小瀬村 大亮, 小椋 厚志 (明治大学), 大泊 巌 (早稲田大学)
TitleEvaluation of Transconductance Enhancement of Strained <110> and <100> Channel Si Nanowire Field-effect Transistors Fabricated on (100) or (110) SOI Wafer
Author Aya Seike, Yuuki Sugiura, Ikushin Tsuchida, Hajime Takai (Waseda University), Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Iwao Ohdomari (Waseda University)
ページpp. 227 - 229

題名歪SiナノワイヤFETsの低温測定による電気伝導特性の評価
著者 杉浦 裕樹, 清家 綾, 土田 育新, 高井 一 (早稲田大学), 小瀬村 大亮, 小椋 厚志 (明治大学), 渡邉 孝信, 大泊 巌 (早稲田大学)
TitleEvaluation of Electrical Characterization of Strained Si Nanowire FETs under The Low Temperature
Author Yuki Sugiura, Aya Seike, Ikushin Tsuchida, Hajime Takai (Waseda University), Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari (Waseda University)
ページpp. 231 - 234

題名高圧酸化によるGe/GeO2界面の制御
著者 李 忠賢, 田畑 俊之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明 (東京大学 マテリアル工学)
TitleGe/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for High Performance Ge CMOS
Author Choong Hyun Lee, Toshiyuki Tabata, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 235 - 238

題名最適表面処理のためのGe表面酸化挙動の研究
著者 小川 慎吾, 辻 淳一, 山元 隆志, 関 洋文, 棚橋 優策, 川崎 直彦 ((株)東レリサーチセンター)
TitleInvestigation of Ge Surface Oxidation Behavior for Optimized Surface Treatment
Author Shingo Ogawa, Junichi Tsuji, Takashi Yamamoto, Hirofumi Seki, Yusaku Tanahashi, Naohiko Kawasaki (Toray Research Center Inc.)
ページpp. 239 - 242