「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第15回研究会)

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応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催
特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第15回研究会研究報告プログラム

論文リスト (口頭発表)

(「◎、○」印は招待講演)

2010年1月21日(木)

20:00-22:00

知京豊裕氏（物質・材料研究機構）によるショートコース（主催：科研費特定領域研究「ポストスケーリング世代のナノエレクトロニクスと界面制御」）

2010年1月22日(金)

9:00-9:10

開会にあたって

9:10-10:00

◎

題名	ブレークスルーのイノベーション理論
著者	山口栄一 (同志社大学大学院総合政策科学研究科)
Title	Innovation Theory for Breakthroughs
Author	Eiichi Yamaguchi (Doshisha University)
ページ	pp. 1 - 6

10:00-10:30

○

題名	BiCS Flash Memory for Future Ultra High Density Storage Devices
著者	青地英明 (東芝デバイスプロセス開発センター)
Title	BiCS Flash Memory for Future Ultra High Density Storage Devices
Author	Hideaki Aochi (Toshiba Device and Process Development Center)
ページ	pp. 7 - 10

10:30-10:50

題名	MONOS型メモリの書き込み／消去の繰り返しに対する理論的検討
著者	山口慶太, 大竹朗, 小林賢司, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	Theoretical Studies on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories
Author	Keita Yamaguchi, Akira Otake, Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 11 - 14

10:50-11:10

題名	表面・界面ラフネス低減による高信頼性極薄シリコン酸化膜
著者	佐藤慎九郎, 染谷満 (筑波大学電子・物理工学専攻), 壁義郎, 北川淳一, 廣田良浩 (東京エレクトロンAT（株）), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学学際物質科学研究センター)
Title	Reliability Control of Ultra Thin Silicon Dioxide Films with Suppression of Surface and Interface Roughness
Author	Shinkuro Sato, Mitsuru Sometani (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Yoshiro Kabe, Junichi Kitagawa, Yoshihiro Hirota (Tokyo Electron AT Ltd), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 15 - 18

11:10-11:30

○

題名	先端MOSFETのSD接合領域の結晶欠陥とリーク電流との相関：電子線ホログラフィーによる直接評価
著者	五十嵐信行 (ＮＥＣデバイスプラットフォーム研究所), 八高公一, 上嶋和也, 山本豊二, 羽根正巳 (ＮＥＣエレクトロニクスＬＳＩ基礎開発研究所)
Title	Correlation Among Crystal Defects, Depletion Regions and Junction Leakage in Advanced MOSFETs:Direct Examination by Electron Holography
Author	Nobuyuki Ikarashi, K.Yako, K.uejima, T.Yamamoto, M.Hane (NEC)
ページ	pp. 19 - 22

11:30-11:50

題名	ミラー電子顕微鏡を用いたＳｉ酸化膜欠陥による電子捕獲の観察
著者	長谷川正樹, 島倉智一 (（株）日立製作所中央研究所ナノプロセス研究部)
Title	SiO₂ Defect Imaging by Using Mirror Electron Microscope
Author	Masaki Hasegawa, Tomokazu Shimakura (Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory)
ページ	pp. 23 - 26

11:50-12:10

題名	角度分解光電子分光法によるPb/Si(110)表面の価電子帯バンド分散測定
著者	山中佑一郎, 武田さくら, 森田誠, 小池潤一郎, 中野晃太郎, 大門寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸正樹, 今村健 (半導体理工学研究センター)
Title	Measurement of Valence Band Dispersions by Photoemission Spectroscopy at Pb/Si(110) Surfaces
Author	Yuichiro Yamanaka, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Junichiro Koike, Kotaro Nakano, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 27 - 30

昼食

13:00-15:00

ポスターセッション

15:10-15:40

○

題名	High-k/Ge MISFETでのSrGeX界面層の効果
著者	鎌田善己 (MIRAI-東芝), 高島章 (東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー), 上牟田雄一, 手塚勉 (MIRAI-東芝)
Title	Influence of Strontium Germanide Interlayer on High-k/Ge MISFET
Author	Yoshiki Kamata (MIRAI-Toshiba), Akira Takashima (Corporate R&D center, Toshiba Corporation), Yuuichi Kamimuta, Tsutomu Teduka (MIRAI-Toshiba)
ページ	pp. 31 - 34

15:40-16:00

題名	Ge MIS構造における伝導帯端近傍の界面準位密度への界面層の影響
著者	田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之 (半導体MIRAI-NIRC), 高木信一 (東京大学大学院工学系研究科、半導体MIRAI-NIRC)
Title	Effect of MIS Interfacial Layers on Interface Trap Density near the Conduction Band Edge in Ge MIS Structures
Author	Noriyuki Taoka, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota (MIRAI-NIRC), Shinichi Takagi (The University of Tokyo, MIRAI-NIRC)
ページ	pp. 35 - 38

16:00-16:20

題名	III-V MISFETプロセスにおけるアニール条件がデバイス特性に与える影響
著者	石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 宮田典幸, 安田哲二 (産業技術総合研究所), 山田永, 福原昇, 秦雅彦 (住友化学), 横山正史, 竹中充, 高木信一 (東京大学)
Title	Effects of Annealing Conditions in III-V MISFET Fabrication Processes on the Device Characteristics
Author	Hiroyuki Ishii, Yuji Urabe, Taro Itatani, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)), Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata (Sumitomo Chemical), Masashi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 39 - 42

16:20-16:40

題名	極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の評価
著者	朽木克博, 秀島伊織, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Characterization of GeON Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation of Ultrathin Thermal GeO₂
Author	Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 43 - 46

16:40-17:00

題名	分子動力学法によるGeO₂/Ge界面構造の基板面方位依存性に関する調査
著者	恩田知弥, 山本英明 (早稲田大学理工学術院), 渡邉孝信 (早稲田大学理工学術院、早稲田大学ナノ理工学研究機構)
Title	Surface Orientation Dependency of GeO₂/Ge Interface Property by Means of Molecular Dynamics
Author	Tomoya Onda, Hideaki Yamamoto (Faculty of Science & Engineering, Waseda University), Takanobu Watanabe (Faculty of Science & Engineering, Waseda University, Institute for Nanoscience & Nanotechnology, Waseda University)
ページ	pp. 47 - 50

休憩 (20 min)

17:20-1７:40

題名	Siナノワイヤトランジスタの作製プロセスと電気特性の断面形状依存性
著者	佐藤創志, 新井英朗 (東工大フロンティア研), 角嶋邦之 (東工大総理工), パールハットアヘメト (東京工業大学フロンティア研), 大毛利健治 (早稲田大ナノ理工学研究機構), 岩井洋 (東工大フロンティア研), 山田啓作 (早稲田大ナノ理工学研究機構)
Title	Fabrication Process and Electrical Characteristics of Si Nanowire FET
Author	Soshi Sato, Hideaki Arai (FRC, Tokyo Institute of Technology), Kuniyuki Kakushima (IGSSE, Tokyo Institute of Technology), Parhat Ahmet (FRC, Tokyo Institute of Technology), Kenji Ohmori (NRL, Waseda Univ.), Hiroshi Iwai (FRC, Tokyo Institute of Techonology), Keisaku Yamada (NRL, Waseda Univ.)
ページ	pp. 51 - 54

17:40-18:00

題名	水素アニールと酸素エッチングによるSiナノワイヤの細線化および直線化
著者	森田行則, 右田真司, 水林亘, 太田裕之 (産総研ナノ電子デバイス研究センター)
Title	Fabrication of Minute Si Nanowire with Atomically Smooth Line Edge Roughness Using Hydrogen Annealing and Oxygen Etching
Author	Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota (AIST Nanodevice Innovation Research Center)
ページ	pp. 55 - 58

18:00-20:00

夕食・懇親会

2010年1月23日(土)

8:30-9:20

◎

Title	High-k/Metal Gate Technology: Dipoles, Vacancies and Pathway for EOT Scaling
Author	T. Ando (IBM), K. Choi (GLOBALFOUNDRIES), H. Jagannathan, C. Choi, E. Cartier, B. P. Linder, M. M. Frank, Vijay Narayanan (IBM)
ページ	pp. 59 - 64

9:20-9:40

題名	Poly-Si/TiN/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動
著者	松木武雄 (（株）半導体先端テクノロジーズ), 大毛利健治 (早稲田大学), 諸岡哲, 鈴木隆之, 佐藤基之 (（株）半導体先端テクノロジーズ), 木本浩司, 生田目俊秀 (（独）物質・材料研究機構), 宮崎誠一 (広島大学), 白石賢二 (筑波大学), 知京豊裕 (（独）物質・材料研究機構), 山田啓作 (早稲田大学), 松井良夫 (（独）物質・材料研究機構), 由上二郎, 池田和人, 大路譲 (（株）半導体先端テクノロジーズ)
Title	Vfb Shift Due to Nitrogen Released from Gate-electrode in Poly-Si/TiN/High-k Gate Stacks
Author	Takeo Matsuki (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Kenji Ohmori (Waseda University), Tetsu Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Koji Kimoto, Toshihide Nabatame (National Institute for Materials Science), Seiichi Miyazaki (Hiroshima University), Kenji Shiraishi (University of Tsukuba), Toyohiro Chikyou (National Institute for Materials Science), Keisaku Yamada (Waseda University), Yoshio Matsui (National Institute for Materials Science), Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)
ページ	pp. 65 - 68

9:40-10:00

題名	High-k膜中へのMgO拡散を目的にしたアニールプロセスがVfbシフト量に及ぼす影響
著者	諸岡哲, 松木武雄, 佐藤基之, 生田目俊秀, 由上二郎, 池田和人, 大路譲 ((株)半導体先端テクノロジーズ/第一研究部)
Title	Influence of Post Cap-layer Deposition Annealing Temperature for MgO Diffusion in High-k/IFL Stacks on Vfb shift
Author	Tetsu Morooka, Takeo Matsuki, Motoyuki Sato, Toshihide Nabatame, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc./Research Dept.1)
ページ	pp. 69 - 72

休憩

10:20-10:40

題名	炭素不純物に起因したTiN/HfSiONゲートスタックの電気特性劣化現象
著者	佐伯雅之, 有村拓晃, 奥雄大 (大阪大学大学院工学研究科), 北野尚武, 小須田求 (キヤノンアネルバ(株)), 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Systematic Investigation of Carbon Impurity Induced Electrical Degradation of TiN/HfSiON Gate Stacks
Author	Masayuki Saeki, Hiroaki Arimura, Yudai Oku (Graduate School of Engineering, Osaka University), Naomu Kitano, Motomu Kosuda (Canon ANELVA Corporation), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 73 - 76

10:40-11:00

題名	HfO₂結晶膜のアニール技術の検討
著者	右田真司, 森田行則, 水林亘, 田岡紀之, 太田裕之 (産業技術総合研究所)
Title	Examination of Annealing Techniques for HfO₂ Crystalline Thin Films
Author	Shinji Migita, Yukinori Morita, Wataru Mizubayashi, Noriyuki Taoka, Hiroyuki Ota (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 77 - 80

11:00-12:00

○

題名	[フォーカスセッション] High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源
著者	喜多浩之, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Intrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface
Author	Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページ	pp. 81 - 84

昼食

13:00-13:30

○

題名	生体融和型医用マイクロ・ナノシステムの開発－眼球内完全埋込型人工網膜－
著者	田中徹 (東北大学大学院医工学研究科), 李康旭, 福島誉史, 小柳光正 (東北大学大学院工学研究科)
Title	Development of Fully Implantable Retinal Prosthesis to Achieve High Quality of Life
Author	Tetsu Tanaka, KANGWOOK LEE, Takafumi Fukushima, Mitsumasa Koyanagi (Tohoku University)
ページ	pp. 85 - 88

13:30-14:00

○

題名	少数離散電荷によるトランジスタ特性ばらつきのモデリング
著者	竹内潔, 南雲俊治 (NECエレクトロニクスＬＳＩ基礎開発研究所), 横川慎二, 今井清隆 (NECエレクトロニクス先端デバイス開発部), 林喜宏 (NECエレクトロニクスＬＳＩ基礎開発研究所)
Title	Modeling of Transistor Characteristics Fluctuations Caused by A Few Discrete Charges
Author	Kiyoshi Takeuchi, Toshiharu Nagumo (LSI Fundamental Research Lab. NEC Electronics), Shinji Yokogawa, Kiyotaka Imai (Advanced Device Development Division, NEC Electronics), Yoshihiro Hayashi (LSI Fundamental Research Lab. NEC Electronics)
ページ	pp. 89 - 91

14:00-14:20

題名	(100), (110)基板上 High-k/Metalゲートスタックの1/fノイズ特性
著者	佐藤基之, 由上二郎, 池田和人, 大路譲 (（株）半導体先端テクノロジーズ)
Title	1/f Noise Characteristics of High-k/Metal Gate Stacks on (110) and (100) Substrates
Author	Motoyuki Sato, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Selete)
ページ	pp. 93 - 96

14:20-14:40

題名	Si高指数面上に形成した酸化膜における界面準位密度の再検討
著者	尾形祥一, 大野真也, 田中正俊 (横浜国立大学), 森貴洋, 堀川剛, 安田哲二 (産業技術総合研究所)
Title	Reevaluation of Interface Trap Densities at SiO₂ Interfaces on High-Index Surfaces of Si
Author	Shoichi Ogata, Shinya Ohno, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Takahiro Mori, Tsuyoshi Horikawa, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページ	pp. 97 - 100

14:40-15:00

題名	ナノスケールのオーミックコンタクト作成を目指した金属‐半導体界面の再考
著者	髙田幸宏 (筑波大学大学院数物), 村口正和, 遠藤哲郎 (東北大学学際セ), 野村晋太郎, 白石賢二 (筑波大学大学院数物)
Title	Reconsideration about Metal/Semiconductor Interfaces for Nano Scale Ohmic Contact
Author	Yukihiro Takada (Grad. School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba), Masakazu Muraguchi, Tetsuo Endoh (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku Univ.), Shintaro Nomura, Kenji Shiraishi (Grad. School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 101 - 104

15:00-15:20

題名	1.2 nm-SiONゲート絶縁膜における局所劣化現象の電流検出型原子間力顕微鏡を用いたナノスケール観察
著者	加藤雄三, 平安座朝誠, 坂下満男, 近藤博基, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Nanometer-scale Observation of Local Degradation Phenomena in 1.2 nm-thick SiON Gate Dielectric Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
Author	Yuzo Kato, Tomonari Henza, Mitsuo Sakashita, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 105 - 108

休憩

15:40-15:55

安田賞・服部賞表彰式

15:55-16:15

最優秀ポスター講演

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2010年1月22日(金) 13:00-15:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名	ゾルゲル法によるSrTa₂O₆薄膜キャパシターの作製と電気特性評価
著者	呂莉, 越前正洋, 西田貴司, 内山潔, 浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学研究科)
Title	Fabrication and Evalution of SrTa₂O₆ Thin Films Using Sol-Gel Method
Author	Li Lu, Masahiro Echizen, Takashi Nishida, Kiyoshi Uchiyama, Yukiharu Uraoka (Nara Institute of Science and Technology/ Graduate School of Materials Science)
ページ	pp. 109 - 111

Title	X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Dipole Effects at High-k/SiO2 Interface
Author	Li Qiang Zhu, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Sheng Kai Wang, Akira Toriumi (Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 113 - 116

題名	High-k金属酸化物のバンドギャップ
著者	濱田智之 (（株）日立製作所基礎研究所、東京大学生産技術研究所), 大野隆央 (（独）物質・材料研究機構、東京大学生産技術研究所)
Title	Electronic Band Gaps of High-k Metal Oxides Insulators
Author	Tomoyuki Hamada (Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. and Institute of Industrial Science, University of Tokyo), Takahisa Ohno (National Institite of Materials Science and Insititute of Industrial Science, University of Tokyo)
ページ	pp. 117 - 120

題名	ALD-Pr酸化膜/Ge₃N₄/Ge構造における界面構造と電気的特性
著者	加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Interfacial Structures and Electrical Properties of ALD-Pr-oxide/Ge₃N₄/Ge Stacked Structures
Author	Kimihiko Kato, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 121 - 124

題名	Pr(EtCp)₃を用いたPr酸化膜の原子層堆積とその結晶構造及び電気的特性
著者	古田和也, 松井裕高, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Atomic Layer Deposition of Praseodymium Oxide Film Using Pr(EtCp)₃ and, Their Crystalline Structures and Electrical Properties.
Author	Kazuya Furuta, Hirotaka Matsui, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 125 - 128

題名	HfSiOx膜へのHole注入による電荷捕獲サイトの生成
著者	田村知大, 菊地裕樹 (筑波大電子・物理工学専攻), 大毛利健治 (早稲田大ナノ理工学研究機構ナノテク研), 佐藤基之 (Selete), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大電子・物理工学専攻)
Title	Trap Generation during Hole Injection into HfSiOx Films
Author	Chihiro Tamura, Yuuki Kikuchi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Lab., Waseda Univ.), Motoyuki Sato (Selete), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 129 - 132

題名	電界印加HfSiON膜の劣化回復における熱処理雰囲気依存性
著者	菊地裕樹, 田村知大, 野村豪 (筑波大学電子・物理工学専攻), 大毛利健治 (早稲田大学ナノテクノロジー研究センター), 佐藤基之 (Selete), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学 TIMS)
Title	Restoration from Stress Induced Degradation in HfSiON and Its Dependence on Annealing Ambient
Author	Yuuki Kikuchi, Chihiro Tamura, Tsuyoshi Nomura (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Reserch Center, Waseda Univ.), Motoyuki Sato (Selete), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 133 - 136

題名	ストレス印加によるHfOx膜の欠陥準位の変化
著者	村上雄一, 野村豪, 田村知大, 菊地裕樹 (筑波大学電子・物理工学専攻), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学 TIMS)
Title	Stress Induced Variation of Defect Levels in HfOx
Author	Yuichi Murakami, Tsuyoshi Nomura, Chihiro Tamura, Yuuki Kikuchi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 137 - 140

題名	HfSiON膜への高電界ストレス印加によるエッチングレート変化
著者	野村豪, 村上雄一, 菊地裕樹, 田村知大 (筑波大学電子・物理工学専攻), 佐藤基之 (Selete), 大毛利健治 (早稲田大学ナノテクノロジー研究所), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学 TIMS)
Title	Variation of Etching Rate of HfSiON Film Due to Electrical Stress Application
Author	Tsuyoshi Nomura, Yuichi Murakami, Yuuki Kikuchi, Chihiro Tamura (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Motoyuki Sato (Selete), Kenji Ohmori (Nanotechnology Reserch Center, Waseda Univ.), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 141 - 144

題名	ZrO2ゲート絶縁膜を用いたGe MOSデバイスの界面設計
著者	細井卓治, 岡本学, 朽木克博, 景井悠介 (大阪大学大学院工学研究科), James Harries, 吉越章隆, 寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構), 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Interface Engineering of Ge MOS Devices with ZrO2 Gate Dielectrics
Author	Takuji Hosoi, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Yusuke Kagei (Graduate School of Eng., Osaka University), James Harries, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Eng., Osaka University)
ページ	pp. 145 - 148

題名	La酸化物及びY酸化物キャッププロセスによるHfO2膜結晶構造の変化
著者	鈴木隆之, 松木武雄, 佐藤基之, 諸岡哲, 由上二郎, 池田和人, 大路譲 (半導体先端テクノロジーズ)
Title	Transformation of Crystalline Structure of HfO2 by La- or Y-oxide Capping and Annealing
Author	Takayuki Suzuki, Takeo Matsuki, Motoyuki Sato, Tetsu Morooka, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc)
ページ	pp. 149 - 152

題名	SrO/ La₂O₃/ CeO₂/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響
著者	野平博司, 今陽一郎 (東京都市大工), 幸田みゆき (東工大フロンティア研), 角嶋邦之 (東工大院総理工), 岩井洋 (東工大フロンティア研)
Title	Influence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of SrO/La₂O₃/CeO₂/Si(100)
Author	Hiroshi Nohira, Youichirou Kon (Tokyo City Univ.), Miyuki Kouda (FRC. Tokyo Inst. of Tech.), Kuniyuki Kakushima (IGSSE. Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Iwai (FRC. Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 153 - 156

題名	金属/他元素ドープHfO₂/Si基板における界面構造と電子状態の硬X線光電子分光法による評価
著者	小川慎吾, 山元隆志, 藤田学 (東レリサーチセンター/表面解析研究部), 喜多浩之 (東京大学大学院/マテリアル工学専攻)
Title	Characterization of Interface Structure and Electronic State of Metal / Metal Doped-HfO₂ / Si Stacks by Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Author	Shingo Ogawa, Takashi Yamamoto, Manabu Fujita (Toray Research Center / Surface Analysis Laboratories), Koji Kita (The University of Tokyo / Depertment of Materials Engineering)
ページ	pp. 157 - 160

題名	希フッ酸溶液処理によるHf系高誘電率ゲート絶縁膜にドープした希土類酸化物のフッ化とそのMOS-FETプロセスへの影響
著者	杉田義博, 青山敬幸, 池田和人 (（株）半導体先端テクノロジーズ)
Title	Fluorination of Lanthanide Doped Hafnium-Based High-k Dielectrics and Its Effect on MOS-FET Processing
Author	Yoshihiro Sugita, Takayuki Aoyama, Kazuto Ikeda (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)
ページ	pp. 161 - 164

題名	EOT=0.5 nmに向けたLa₂O₃/CeO_x積層構造の高温短時間プロセスの検討
著者	来山大祐, 小柳友常 (東工大フロンティア研), 角嶋邦之 (東工大総理工), パールハットアヘメト (東工大フロンティア研), 筒井一生, 西山彰, 杉井信之 (東工大総理工), 名取研二, 服部健雄, 岩井洋 (東工大フロンティア研)
Title	High Temperature Annealing of La₂O₃/CeO_x Dielectrics for Highly Scaled Gate Stack
Author	Daisuke Kitayama, Tomotsune Koyanagi (Tokyo Tech. FRC), Kuniyuki Kakushima (IGSSE), Parhat Ahmet (Tokyo Tech. FRC), Kazuo Tsutsui, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii (IGSSE), Kenji Natori, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai (Tokyo Tech. FRC)
ページ	pp. 165 - 168

【形成・評価・基礎物性】

題名	Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析
著者	王盛凱 (東大院工マテリアル), 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東大院工マテリアル/JST-CREST)
Title	Analysis of GeO Desorption from GeO2/Ge by Using TDS
Author	Sheng Kai Wang (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo), Koji Kita, Toshiyuki Tabata, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo/JST-CREST)
ページ	pp. 169 - 172

題名	ミクタミクト高窒素組成Hf-Si-Nの結晶構造および電気的特性
著者	宮本和明, 近藤博基, 財満鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
Title	Crystalline Structures and Electrical Properties of Mictamict High-N-Content Hf-Si-N
Author	Kazuaki Miyamoto, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページ	pp. 173 - 176

題名	Si/SiO₂界面から酸化中に放出されたSiOのSiO₂への組み込み
著者	高橋憲彦, 山崎隆浩, 金田千穂子 (富士通研究所)
Title	Molecular Dynamics Study of Oxidation Process with SiO Emission and Incorporation into the Si/SiO₂ System
Author	Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページ	pp. 177 - 180

題名	Si_1-xC_x合金層／Si(001)表面における酸化誘起炭素拡散：酸化膜成長とエッチング条件での比較
著者	穂積英彬, 小川修一 (東北大学多元物質科学研究所), 吉越章隆 (日本原子力研究開発機構), 石塚眞治 (秋田工業高等専門学校物質工学科), J. R. Harries, 寺岡有殿 (日本原子力研究開発機構), 高桑雄二 (東北大学多元物質科学研究所)
Title	Oxidation-enhanced Diffusion of C Atoms on Si_1-xC_x Alloy Layer / Si(001) Surface under Oxide Growth and Etching Conditions.
Author	Hideaki Hozumi, Shuichi Ogawa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency), Shinji Ishidzuka (Dep. of Applied Chemistry, Akita National College of Technology), J. R. Harries, Yuden Teraoka (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University)
ページ	pp. 181 - 184

題名	角度分解光電子分光測定によるGaSb(001)のホールサブバンド分散
著者	小池潤一郎, 武田さくら, 森田誠, 山中佑一郎, 松岡弘憲, 大井秀夫, 服部賢, 大門寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸正樹, 今村健 (半導体理工学研究センター)
Title	Hole Subband Dispersion in Gallium Antimonide Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Author	Junichiro Koike, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Yuichiro Yamanaka, Hironori Matsuoka, Hideo Ohi, Ken Hattori, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページ	pp. 185 - 188

題名	高誘電率酸化物の誘電特性と化学結合状態に関する理論的研究
著者	瀬波大土, 福島啓悟, 土田康志, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Theoretical Study on Dielectric Property and Chemical Bonding States of High-k Oxides
Author	Masato Senami, Akinori Fukushima, Yasushi Tsuchida, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 189 - 192

題名	第一原理計算を用いたSiO₂/Si界面の誘電率推定
著者	五十嵐智 (東京都市大・工，宇宙研), 小林大輔 (宇宙研), 野平博司 (東京都市大・工), 廣瀬和之 (宇宙研)
Title	Dielectric Constant Estimation for SiO₂/Si Interface Based on the First-principles Calculation
Author	Satoru Igarashi (Tokyo City Univ., ISAS/JAXA), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページ	pp. 193 - 196

題名	相対論的電子状態計算におけるスピントルクについての理論的研究
著者	瀬波大土, 西川潤, 原誉明, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Theoretical Study on Spin Torque by Relativistic ab Initio Electronic Structure Calculation
Author	Masato Senami, Jun Nishikawa, Takaaki Hara, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 197 - 200

題名	局所的な電気伝導を表現する第一原理計算
著者	瀬波大土, 池田裕治, 福島啓悟, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	First-principles Calculations for Local Property of Conductance
Author	Masato Senami, Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 201 - 204

題名	HfO₂/SiO₂スタック構造中に熱拡散したMg原子の化学結合状態とMgが欠陥準位密度に及ぼす影響
著者	貫目大介, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一 (広島大学大学院先端物質科学研究科)
Title	Characterization of Chemical Bonding Features of Mg Atoms Diffused into HfO₂/SiO₂ Stack and Influence of Mg Incorporation on Defect State Density
Author	Daisuke Kanme, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページ	pp. 205 - 208

題名	TiO₂/Pt界面における化学結合状態分析と抵抗変化特性評価
著者	後藤優太, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一 (広島大学大学院先端物質科学研究科)
Title	Chemical Bonding Features at TiO₂/Pt Interface and Their Impact on Resistance Switching Properties
Author	Yuta Goto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページ	pp. 209 - 212

題名	Si(111)熱酸化膜表面・界面のラフネス成長
著者	林優介 (筑波大学電子・物理工学専攻), 清水哲夫 (産総研ナノテクノロジー研究部門), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学学際物質科学研究センター)
Title	Roughness Growth on Si(111) Dioxide Surface Induced by Oxidation at the Interface
Author	Yusuke Hayashi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Tetsuo Shimizu (Nanotechnology RI / AIST), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 213 - 216

題名	XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討
著者	近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Quantitative Reinvestigation of Valence Band Maximum Energy Levels of High-k Dielectrics with XPS
Author	Yugo Chikata, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 217 - 220

題名	UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO₂薄膜の欠陥評価
著者	吉田まほろ (東京大学大学院マテリアル工学専攻), 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻/JST-CREST)
Title	UV-Spectroscopic Ellipsometry Measurement for Defect Evaluation in GeO₂ film
Author	Mahoro Yoshida, Kouji Kita, Tomonori Nishimura, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページ	pp. 221 - 224

題名	ヘテロ界面に於けるバンドオフセットの決定に向けたInternal Photo Emission法の詳細検討
著者	鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
Title	Intensive Investigation of IPE Method for Band-offset Characterization at Hetero-interface
Author	Yasuyoshi Takamoto, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering The University of Tokyo)
ページ	pp. 225 - 228

題名	熱処理によるCVD-SiO₂の緻密化と圧縮応力緩和
著者	染谷満, 佐藤慎九郎 (筑波大学電子・物理工学), 荻野正明, 栗林均, 須ヶ原紀之 (富士電機デバイステクノロジー), 上殿明良 (筑波大学電子・物理工学), 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大学電子・物理工学/学際物質科学研究センター)
Title	Compressive Stress Relaxation and Densification of CVD-SiO₂ by Thermal Annealing
Author	Mitsuru Sometani, Shinkuro Sato (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba), Masaaki Ogino, Hitoshi Kuribayashi, Yoshiyuki Sugahara (Fuji Electric Device Technology), Akira Uedono (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Applied Physics/TIMS. Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 229 - 232

題名	局所的な電気伝導率を利用したシリコンナノワイヤーの電子輸送特性に関する解析
著者	池田裕治, 福島啓悟, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
Title	Analysis for Electron Transport Properties of Silicon Nanowires Using Local Electrical Conductivity
Author	Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページ	pp. 233 - 236

題名	Ge/GeO₂界面の欠陥と電子状態の第一原理計算
著者	小野倫也, 齋藤正一朗, 細井卓治, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	First-principles Study on Defect Formation at Ge/GeO₂ Interface
Author	Tomoya Ono, Shoichiro Saito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Grad. Schl. Eng., Osaka Univ.)
ページ	pp. 237 - 240

題名	金属／Si界面の原子挿入層の安定性とショットキーバリアに関する第一原理計算
著者	丸田勇亮, 中山隆史 (千葉大学理学研究科基盤理学専攻)
Title	First-principles Calculations of Stability and Shottky Barrier Heights of Inserted Layers at Metal/Si Interfaces.
Author	Yusuke Maruta, Takashi Nakayama (Chiba University)
ページ	pp. 241 - 244

題名	シリサイドの安定性と電子物性に関する理論的検討
著者	五月女真一, 中山隆史 (千葉大学理学研究科)
Title	Theoretical Study on Stability and Electronic Properties of Silicides
Author	Shinichi Sotome, Takashi Nakayama (Department of Physics , Chiba University)
ページ	pp. 245 - 248

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名	大気曝露に起因したGe-MOSキャパシタの電気特性劣化とその改善手法の提案
著者	秀島伊織, 岡本学, 朽木克博, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司 (大阪大学大学院工学研究科)
Title	Improvement of the Electrical Properties of Ge-MOS Capacitors Degraded by Air Exposure
Author	Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページ	pp. 249 - 252

題名	歪SiナノワイヤFETにおけるチャネル方向とウエハ面方位が相互コンダクタンスに与える影響の評価
著者	高井一, 清家綾, 土田育新 (早大理工), 増田純一, 小瀬村大輔, 小椋厚志 (明大理工), 大泊巌, 渡邉孝信 (早大理工)
Title	Evaluation of the Impact of Channel Direction and Wafer Orientation on Transconductance for Strained Nanowire Transistors
Author	Hajime Takai, Aya Seike, Ikushin Tsuchida (Waseda University), Junichi Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Iwao Ohdomari, Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページ	pp. 253 - 256

【メモリ技術】

題名	MONOS型メモリの電荷蓄積機構における水素混入効果の理論的検討
著者	大竹朗, 山口慶太, 小林賢司, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
Title	Theoretical Studies on the Charge Trapping System of Hydrogen Mixed MONOS-type Memories.
Author	Akira Otake, Keita Yamaguchi, Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページ	pp. 257 - 260