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応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第15回研究会研究報告プログラム



論文リスト (口頭発表)


(「◎、○」印は招待講演)


2010年1月21日(木)

20:00-22:00 知京豊裕氏(物質・材料研究機構)によるショートコース(主催:科研費 特定領域研究「ポストスケーリング世代のナノエレクトロニクスと界面制御」)


2010年1月22日(金)

9:00-9:10 開会にあたって
9:10-10:00
題名ブレークスルーのイノベーション理論
著者 山口 栄一 (同志社大学大学院 総合政策科学研究科)
TitleInnovation Theory for Breakthroughs
Author Eiichi Yamaguchi (Doshisha University)
ページpp. 1 - 6
10:00-10:30
題名BiCS Flash Memory for Future Ultra High Density Storage Devices
著者 青地 英明 (東芝 デバイスプロセス開発センター)
TitleBiCS Flash Memory for Future Ultra High Density Storage Devices
Author Hideaki Aochi (Toshiba Device and Process Development Center)
ページpp. 7 - 10
10:30-10:50
題名MONOS型メモリの書き込み/消去の繰り返しに対する理論的検討
著者 山口 慶太, 大竹 朗, 小林 賢司, 白石 賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
TitleTheoretical Studies on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories
Author Keita Yamaguchi, Akira Otake, Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページpp. 11 - 14
10:50-11:10
題名表面・界面ラフネス低減による高信頼性極薄シリコン酸化膜
著者 佐藤 慎九郎, 染谷 満 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 壁 義郎, 北川 淳一, 廣田 良浩 (東京エレクトロンAT(株)), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 学際物質科学研究センター)
TitleReliability Control of Ultra Thin Silicon Dioxide Films with Suppression of Surface and Interface Roughness
Author Shinkuro Sato, Mitsuru Sometani (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Yoshiro Kabe, Junichi Kitagawa, Yoshihiro Hirota (Tokyo Electron AT Ltd), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 15 - 18
11:10-11:30
題名先端MOSFETのSD接合領域の結晶欠陥とリーク電流との相関:電子線ホログラフィーによる直接評価
著者 五十嵐 信行 (NEC デバイスプラットフォーム研究所), 八高 公一, 上嶋 和也, 山本 豊二, 羽根 正巳 (NECエレクトロニクス LSI基礎開発研究所)
TitleCorrelation Among Crystal Defects, Depletion Regions and Junction Leakage in Advanced MOSFETs:Direct Examination by Electron Holography
Author Nobuyuki Ikarashi, K.Yako, K.uejima, T.Yamamoto, M.Hane (NEC)
ページpp. 19 - 22
11:30-11:50
題名ミラー電子顕微鏡を用いたSi酸化膜欠陥による電子捕獲の観察
著者 長谷川 正樹, 島倉 智一 ((株)日立製作所 中央研究所 ナノプロセス研究部)
TitleSiO2 Defect Imaging by Using Mirror Electron Microscope
Author Masaki Hasegawa, Tomokazu Shimakura (Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory)
ページpp. 23 - 26
11:50-12:10
題名角度分解光電子分光法によるPb/Si(110)表面の価電子帯バンド分散測定
著者 山中 佑一郎, 武田 さくら, 森田 誠, 小池 潤一郎, 中野 晃太郎, 大門 寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸 正樹, 今村 健 (半導体理工学研究センター)
TitleMeasurement of Valence Band Dispersions by Photoemission Spectroscopy at Pb/Si(110) Surfaces
Author Yuichiro Yamanaka, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Junichiro Koike, Kotaro Nakano, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページpp. 27 - 30
昼食
13:00-15:00 ポスターセッション
15:10-15:40
題名High-k/Ge MISFETでのSrGeX界面層の効果
著者 鎌田 善己 (MIRAI-東芝), 高島 章 (東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー), 上牟田 雄一, 手塚 勉 (MIRAI-東芝)
TitleInfluence of Strontium Germanide Interlayer on High-k/Ge MISFET
Author Yoshiki Kamata (MIRAI-Toshiba), Akira Takashima (Corporate R&D center, Toshiba Corporation), Yuuichi Kamimuta, Tsutomu Teduka (MIRAI-Toshiba)
ページpp. 31 - 34
15:40-16:00
題名Ge MIS構造における伝導帯端近傍の界面準位密度への界面層の影響
著者 田岡 紀之, 水林 亘, 森田 行則, 右田 真司, 太田 裕之 (半導体MIRAI-NIRC), 高木 信一 (東京大学大学院工学系研究科、半導体MIRAI-NIRC)
TitleEffect of MIS Interfacial Layers on Interface Trap Density near the Conduction Band Edge in Ge MIS Structures
Author Noriyuki Taoka, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota (MIRAI-NIRC), Shinichi Takagi (The University of Tokyo, MIRAI-NIRC)
ページpp. 35 - 38
16:00-16:20
題名III-V MISFETプロセスにおけるアニール条件がデバイス特性に与える影響
著者 石井 裕之, 卜部 友二, 板谷 太郎, 宮田 典幸, 安田 哲二 (産業技術総合研究所), 山田 永, 福原 昇, 秦 雅彦 (住友化学), 横山 正史, 竹中 充, 高木 信一 (東京大学)
TitleEffects of Annealing Conditions in III-V MISFET Fabrication Processes on the Device Characteristics
Author Hiroyuki Ishii, Yuji Urabe, Taro Itatani, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)), Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata (Sumitomo Chemical), Masashi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (The University of Tokyo)
ページpp. 39 - 42
16:20-16:40
題名極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の評価
著者 朽木 克博, 秀島 伊織, 岡本 学, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleCharacterization of GeON Dielectrics Fabricated by High-Density Plasma Nitridation of Ultrathin Thermal GeO2
Author Katsuhiro Kutsuki, Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 43 - 46
16:40-17:00
題名分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の基板面方位依存性に関する調査
著者 恩田 知弥, 山本 英明 (早稲田大学理工学術院), 渡邉 孝信 (早稲田大学理工学術院、早稲田大学ナノ理工学研究機構)
TitleSurface Orientation Dependency of GeO2/Ge Interface Property by Means of Molecular Dynamics
Author Tomoya Onda, Hideaki Yamamoto (Faculty of Science & Engineering, Waseda University), Takanobu Watanabe (Faculty of Science & Engineering, Waseda University, Institute for Nanoscience & Nanotechnology, Waseda University)
ページpp. 47 - 50
休憩 (20 min)
17:20-17:40
題名Siナノワイヤトランジスタの作製プロセスと電気特性の断面形状依存性
著者 佐藤 創志, 新井 英朗 (東工大フロンティア研), 角嶋 邦之 (東工大総理工), パールハット アヘメト (東京工業大学フロンティア研), 大毛利 健治 (早稲田大ナノ理工学研究機構), 岩井 洋 (東工大フロンティア研), 山田 啓作 (早稲田大ナノ理工学研究機構)
TitleFabrication Process and Electrical Characteristics of Si Nanowire FET
Author Soshi Sato, Hideaki Arai (FRC, Tokyo Institute of Technology), Kuniyuki Kakushima (IGSSE, Tokyo Institute of Technology), Parhat Ahmet (FRC, Tokyo Institute of Technology), Kenji Ohmori (NRL, Waseda Univ.), Hiroshi Iwai (FRC, Tokyo Institute of Techonology), Keisaku Yamada (NRL, Waseda Univ.)
ページpp. 51 - 54
17:40-18:00
題名水素アニールと酸素エッチングによるSiナノワイヤの細線化および直線化
著者 森田 行則, 右田 真司, 水林 亘, 太田 裕之 (産総研ナノ電子デバイス研究センター)
TitleFabrication of Minute Si Nanowire with Atomically Smooth Line Edge Roughness Using Hydrogen Annealing and Oxygen Etching
Author Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Hiroyuki Ota (AIST Nanodevice Innovation Research Center)
ページpp. 55 - 58
18:00-20:00 夕食・懇親会


2010年1月23日(土)

8:30-9:20
TitleHigh-k/Metal Gate Technology: Dipoles, Vacancies and Pathway for EOT Scaling
Author T. Ando (IBM), K. Choi (GLOBALFOUNDRIES), H. Jagannathan, C. Choi, E. Cartier, B. P. Linder, M. M. Frank, Vijay Narayanan (IBM)
ページpp. 59 - 64
9:20-9:40
題名Poly-Si/TiN/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動
著者 松木 武雄 ((株)半導体先端テクノロジーズ), 大毛利 健治 (早稲田大学), 諸岡 哲, 鈴木 隆之, 佐藤 基之 ((株)半導体先端テクノロジーズ), 木本 浩司, 生田目 俊秀 ((独)物質・材料研究機構), 宮崎 誠一 (広島大学), 白石 賢二 (筑波大学), 知京 豊裕 ((独)物質・材料研究機構), 山田 啓作 (早稲田大学), 松井 良夫 ((独)物質・材料研究機構), 由上 二郎, 池田 和人, 大路 譲 ((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleVfb Shift Due to Nitrogen Released from Gate-electrode in Poly-Si/TiN/High-k Gate Stacks
Author Takeo Matsuki (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Kenji Ohmori (Waseda University), Tetsu Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), Koji Kimoto, Toshihide Nabatame (National Institute for Materials Science), Seiichi Miyazaki (Hiroshima University), Kenji Shiraishi (University of Tsukuba), Toyohiro Chikyou (National Institute for Materials Science), Keisaku Yamada (Waseda University), Yoshio Matsui (National Institute for Materials Science), Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)
ページpp. 65 - 68
9:40-10:00
題名High-k膜中へのMgO拡散を目的にしたアニールプロセスがVfbシフト量に及ぼす影響
著者 諸岡 哲, 松木 武雄, 佐藤 基之, 生田目 俊秀, 由上 二郎, 池田 和人, 大路 譲 ((株)半導体先端テクノロジーズ/第一研究部)
TitleInfluence of Post Cap-layer Deposition Annealing Temperature for MgO Diffusion in High-k/IFL Stacks on Vfb shift
Author Tetsu Morooka, Takeo Matsuki, Motoyuki Sato, Toshihide Nabatame, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc./Research Dept.1)
ページpp. 69 - 72
休憩
10:20-10:40
題名炭素不純物に起因したTiN/HfSiONゲートスタックの電気特性劣化現象
著者 佐伯 雅之, 有村 拓晃, 奥 雄大 (大阪大学大学院工学研究科), 北野 尚武, 小須田 求 (キヤノンアネルバ(株)), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleSystematic Investigation of Carbon Impurity Induced Electrical Degradation of TiN/HfSiON Gate Stacks
Author Masayuki Saeki, Hiroaki Arimura, Yudai Oku (Graduate School of Engineering, Osaka University), Naomu Kitano, Motomu Kosuda (Canon ANELVA Corporation), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 73 - 76
10:40-11:00
題名HfO2結晶膜のアニール技術の検討
著者 右田 真司, 森田 行則, 水林 亘, 田岡 紀之, 太田 裕之 (産業技術総合研究所)
TitleExamination of Annealing Techniques for HfO2 Crystalline Thin Films
Author Shinji Migita, Yukinori Morita, Wataru Mizubayashi, Noriyuki Taoka, Hiroyuki Ota (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページpp. 77 - 80
11:00-12:00
題名[フォーカスセッション] High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源
著者 喜多 浩之, 鳥海 明 (東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻)
TitleIntrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface
Author Koji Kita, Akira Toriumi (The University of Tokyo)
ページpp. 81 - 84
昼食
13:00-13:30
題名生体融和型医用マイクロ・ナノシステムの開発 −眼球内完全埋込型人工網膜−
著者 田中 徹 (東北大学大学院医工学研究科), 李 康旭, 福島 誉史, 小柳 光正 (東北大学大学院工学研究科)
TitleDevelopment of Fully Implantable Retinal Prosthesis to Achieve High Quality of Life
Author Tetsu Tanaka, KANGWOOK LEE, Takafumi Fukushima, Mitsumasa Koyanagi (Tohoku University)
ページpp. 85 - 88
13:30-14:00
題名少数離散電荷によるトランジスタ特性ばらつきのモデリング
著者 竹内 潔, 南雲 俊治 (NECエレクトロニクス LSI基礎開発研究所), 横川 慎二, 今井 清隆 (NECエレクトロニクス 先端デバイス開発部), 林 喜宏 (NECエレクトロニクス LSI基礎開発研究所)
TitleModeling of Transistor Characteristics Fluctuations Caused by A Few Discrete Charges
Author Kiyoshi Takeuchi, Toshiharu Nagumo (LSI Fundamental Research Lab. NEC Electronics), Shinji Yokogawa, Kiyotaka Imai (Advanced Device Development Division, NEC Electronics), Yoshihiro Hayashi (LSI Fundamental Research Lab. NEC Electronics)
ページpp. 89 - 91
14:00-14:20
題名(100), (110)基板上 High-k/Metalゲートスタックの1/fノイズ特性
著者 佐藤 基之, 由上 二郎, 池田 和人, 大路 譲 ((株)半導体先端テクノロジーズ)
Title1/f Noise Characteristics of High-k/Metal Gate Stacks on (110) and (100) Substrates
Author Motoyuki Sato, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Selete)
ページpp. 93 - 96
14:20-14:40
題名Si高指数面上に形成した酸化膜における界面準位密度の再検討
著者 尾形 祥一, 大野 真也, 田中 正俊 (横浜国立大学), 森 貴洋, 堀川 剛, 安田 哲二 (産業技術総合研究所)
TitleReevaluation of Interface Trap Densities at SiO2 Interfaces on High-Index Surfaces of Si
Author Shoichi Ogata, Shinya Ohno, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Takahiro Mori, Tsuyoshi Horikawa, Tetsuji Yasuda (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページpp. 97 - 100
14:40-15:00
題名ナノスケールのオーミックコンタクト作成を目指した金属‐半導体界面の再考
著者 眦 幸宏 (筑波大学大学院数物), 村口 正和, 遠藤 哲郎 (東北大学学際セ), 野村 晋太郎, 白石 賢二 (筑波大学大学院数物)
TitleReconsideration about Metal/Semiconductor Interfaces for Nano Scale Ohmic Contact
Author Yukihiro Takada (Grad. School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba), Masakazu Muraguchi, Tetsuo Endoh (Center for Interdisciplinary Research, Tohoku Univ.), Shintaro Nomura, Kenji Shiraishi (Grad. School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 101 - 104
15:00-15:20
題名1.2 nm-SiONゲート絶縁膜における局所劣化現象の電流検出型原子間力顕微鏡を用いたナノスケール観察
著者 加藤 雄三, 平安座 朝誠, 坂下 満男, 近藤 博基, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleNanometer-scale Observation of Local Degradation Phenomena in 1.2 nm-thick SiON Gate Dielectric Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
Author Yuzo Kato, Tomonari Henza, Mitsuo Sakashita, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 105 - 108
休憩
15:40-15:55 安田賞・服部賞 表彰式
15:55-16:15 最優秀ポスター講演

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2010年1月22日(金) 13:00-15:00)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名ゾルゲル法によるSrTa2O6薄膜キャパシターの作製と電気特性評価
著者 呂 莉, 越前 正洋, 西田 貴司, 内山 潔, 浦岡 行治 (奈良先端科学技術大学院大学/物質創成科学研究科)
TitleFabrication and Evalution of SrTa2O6 Thin Films Using Sol-Gel Method
Author Li Lu, Masahiro Echizen, Takashi Nishida, Kiyoshi Uchiyama, Yukiharu Uraoka (Nara Institute of Science and Technology/ Graduate School of Materials Science)
ページpp. 109 - 111

TitleX-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Dipole Effects at High-k/SiO2 Interface
Author Li Qiang Zhu, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Sheng Kai Wang, Akira Toriumi (Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo)
ページpp. 113 - 116

題名High-k金属酸化物のバンドギャップ
著者 濱田智之 ((株)日立製作所基礎研究所、東京大学生産技術研究所), 大野隆央 ((独)物質・材料研究機構、東京大学生産技術研究所)
TitleElectronic Band Gaps of High-k Metal Oxides Insulators
Author Tomoyuki Hamada (Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd. and Institute of Industrial Science, University of Tokyo), Takahisa Ohno (National Institite of Materials Science and Insititute of Industrial Science, University of Tokyo)
ページpp. 117 - 120

題名ALD-Pr酸化膜/Ge3N4/Ge構造における界面構造と電気的特性
著者 加藤 公彦, 近藤 博基, 坂下 満男, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleInterfacial Structures and Electrical Properties of ALD-Pr-oxide/Ge3N4/Ge Stacked Structures
Author Kimihiko Kato, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 121 - 124

題名Pr(EtCp)3を用いたPr酸化膜の原子層堆積とその結晶構造及び電気的特性
著者 古田 和也, 松井 裕高, 近藤 博基, 坂下 満男, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleAtomic Layer Deposition of Praseodymium Oxide Film Using Pr(EtCp)3 and, Their Crystalline Structures and Electrical Properties.
Author Kazuya Furuta, Hirotaka Matsui, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 125 - 128

題名HfSiOx膜へのHole注入による電荷捕獲サイトの生成
著者 田村 知大, 菊地 裕樹 (筑波大 電子・物理工学専攻), 大毛利 健治 (早稲田大 ナノ理工学研究機構ナノテク研), 佐藤 基之 (Selete), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大 電子・物理工学専攻)
TitleTrap Generation during Hole Injection into HfSiOx Films
Author Chihiro Tamura, Yuuki Kikuchi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Lab., Waseda Univ.), Motoyuki Sato (Selete), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 129 - 132

題名電界印加HfSiON膜の劣化回復における熱処理雰囲気依存性
著者 菊地 裕樹, 田村 知大, 野村 豪 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 大毛利 健治 (早稲田大学 ナノテクノロジー研究センター), 佐藤 基之 (Selete), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 TIMS)
TitleRestoration from Stress Induced Degradation in HfSiON and Its Dependence on Annealing Ambient
Author Yuuki Kikuchi, Chihiro Tamura, Tsuyoshi Nomura (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Kenji Ohmori (Nanotechnology Reserch Center, Waseda Univ.), Motoyuki Sato (Selete), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 133 - 136

題名ストレス印加によるHfOx膜の欠陥準位の変化
著者 村上 雄一, 野村 豪, 田村 知大, 菊地 裕樹 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 TIMS)
TitleStress Induced Variation of Defect Levels in HfOx
Author Yuichi Murakami, Tsuyoshi Nomura, Chihiro Tamura, Yuuki Kikuchi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 137 - 140

題名HfSiON膜への高電界ストレス印加によるエッチングレート変化
著者 野村 豪, 村上 雄一, 菊地 裕樹, 田村 知大 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 佐藤 基之 (Selete), 大毛利 健治 (早稲田大学 ナノテクノロジー研究所), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 TIMS)
TitleVariation of Etching Rate of HfSiON Film Due to Electrical Stress Application
Author Tsuyoshi Nomura, Yuichi Murakami, Yuuki Kikuchi, Chihiro Tamura (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Motoyuki Sato (Selete), Kenji Ohmori (Nanotechnology Reserch Center, Waseda Univ.), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 141 - 144

題名ZrO2ゲート絶縁膜を用いたGe MOSデバイスの界面設計
著者 細井 卓治, 岡本 学, 朽木 克博, 景井 悠介 (大阪大学大学院工学研究科), James Harries, 吉越 章隆, 寺岡 有殿 (日本原子力研究開発機構), 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleInterface Engineering of Ge MOS Devices with ZrO2 Gate Dielectrics
Author Takuji Hosoi, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Yusuke Kagei (Graduate School of Eng., Osaka University), James Harries, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Eng., Osaka University)
ページpp. 145 - 148

題名La酸化物及びY酸化物キャッププロセスによるHfO2膜結晶構造の変化
著者 鈴木 隆之, 松木 武雄, 佐藤 基之, 諸岡 哲, 由上 二郎, 池田 和人, 大路 譲 (半導体先端テクノロジーズ)
TitleTransformation of Crystalline Structure of HfO2 by La- or Y-oxide Capping and Annealing
Author Takayuki Suzuki, Takeo Matsuki, Motoyuki Sato, Tetsu Morooka, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc)
ページpp. 149 - 152

題名SrO/ La2O3/ CeO2/Si(100)構造の深さ方向組成分布および化学結合状態に及ぼす熱処理の影響
著者 野平 博司, 今 陽一郎 (東京都市大工), 幸田 みゆき (東工大フロンティア研), 角嶋 邦之 (東工大院総理工), 岩井 洋 (東工大フロンティア研)
TitleInfluence of Post Deposition Annealing on Compositional Depth Profile and Chemical Structures of SrO/La2O3/CeO2/Si(100)
Author Hiroshi Nohira, Youichirou Kon (Tokyo City Univ.), Miyuki Kouda (FRC. Tokyo Inst. of Tech.), Kuniyuki Kakushima (IGSSE. Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Iwai (FRC. Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 153 - 156

題名金属/他元素ドープHfO2/Si基板における界面構造と電子状態の硬X線光電子分光法による評価
著者 小川慎吾, 山元隆志, 藤田学 (東レリサーチセンター/表面解析研究部), 喜多浩之 (東京大学大学院/マテリアル工学専攻)
TitleCharacterization of Interface Structure and Electronic State of Metal / Metal Doped-HfO2 / Si Stacks by Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy
Author Shingo Ogawa, Takashi Yamamoto, Manabu Fujita (Toray Research Center / Surface Analysis Laboratories), Koji Kita (The University of Tokyo / Depertment of Materials Engineering)
ページpp. 157 - 160

題名希フッ酸溶液処理によるHf系高誘電率ゲート絶縁膜にドープした希土類酸化物のフッ化とそのMOS-FETプロセスへの影響
著者 杉田 義博, 青山 敬幸, 池田 和人 ((株)半導体先端テクノロジーズ)
TitleFluorination of Lanthanide Doped Hafnium-Based High-k Dielectrics and Its Effect on MOS-FET Processing
Author Yoshihiro Sugita, Takayuki Aoyama, Kazuto Ikeda (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.)
ページpp. 161 - 164

題名EOT=0.5 nmに向けたLa2O3/CeOx積層構造の高温短時間プロセスの検討
著者 来山 大祐, 小柳 友常 (東工大フロンティア研), 角嶋 邦之 (東工大総理工), パールハット アヘメト (東工大フロンティア研), 筒井 一生, 西山 彰, 杉井 信之 (東工大総理工), 名取 研二, 服部 健雄, 岩井 洋 (東工大フロンティア研)
TitleHigh Temperature Annealing of La2O3/CeOx Dielectrics for Highly Scaled Gate Stack
Author Daisuke Kitayama, Tomotsune Koyanagi (Tokyo Tech. FRC), Kuniyuki Kakushima (IGSSE), Parhat Ahmet (Tokyo Tech. FRC), Kazuo Tsutsui, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii (IGSSE), Kenji Natori, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai (Tokyo Tech. FRC)
ページpp. 165 - 168

【形成・評価・基礎物性】

題名Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析
著者 王 盛凱 (東大院工マテリアル), 喜多 浩之, 田畑 俊行, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東大院工マテリアル/JST-CREST)
TitleAnalysis of GeO Desorption from GeO2/Ge by Using TDS
Author Sheng Kai Wang (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo), Koji Kita, Toshiyuki Tabata, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo/JST-CREST)
ページpp. 169 - 172

題名ミクタミクト高窒素組成Hf-Si-Nの結晶構造および電気的特性
著者 宮本 和明, 近藤 博基, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleCrystalline Structures and Electrical Properties of Mictamict High-N-Content Hf-Si-N
Author Kazuaki Miyamoto, Hiroki Kondo, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 173 - 176

題名Si/SiO2界面から酸化中に放出されたSiOのSiO2への組み込み
著者 高橋 憲彦, 山崎 隆浩, 金田 千穂子 (富士通研究所)
TitleMolecular Dynamics Study of Oxidation Process with SiO Emission and Incorporation into the Si/SiO2 System
Author Norihiko Takahashi, Takahiro Yamasaki, Chioko Kaneta (FUJITSU LABORATORIES LTD.)
ページpp. 177 - 180

題名Si1-xCx合金層/Si(001)表面における酸化誘起炭素拡散:酸化膜成長とエッチング条件での比較
著者 穂積 英彬, 小川 修一 (東北大学多元物質科学研究所), 吉越 章隆 (日本原子力研究開発機構), 石塚 眞治 (秋田工業高等専門学校物質工学科), J. R. Harries, 寺岡 有殿 (日本原子力研究開発機構), 高桑 雄二 (東北大学多元物質科学研究所)
TitleOxidation-enhanced Diffusion of C Atoms on Si1-xCx Alloy Layer / Si(001) Surface under Oxide Growth and Etching Conditions.
Author Hideaki Hozumi, Shuichi Ogawa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency), Shinji Ishidzuka (Dep. of Applied Chemistry, Akita National College of Technology), J. R. Harries, Yuden Teraoka (Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University)
ページpp. 181 - 184

題名角度分解光電子分光測定によるGaSb(001)のホールサブバンド分散
著者 小池 潤一郎, 武田 さくら, 森田 誠, 山中 佑一郎, 松岡 弘憲, 大井 秀夫, 服部 賢, 大門 寛 (奈良先端大/物質創成), 吉丸 正樹, 今村 健 (半導体理工学研究センター)
TitleHole Subband Dispersion in Gallium Antimonide Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Author Junichiro Koike, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Yuichiro Yamanaka, Hironori Matsuoka, Hideo Ohi, Ken Hattori, Hiroshi Daimon (Nara Institute of Science and Technology / Materials Science), Masaki Yoshimaru, Takeshi Imamura (Semiconductor Technology Academic Research Center)
ページpp. 185 - 188

題名高誘電率酸化物の誘電特性と化学結合状態に関する理論的研究
著者 瀬波 大土, 福島 啓悟, 土田 康志, 立花 明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
TitleTheoretical Study on Dielectric Property and Chemical Bonding States of High-k Oxides
Author Masato Senami, Akinori Fukushima, Yasushi Tsuchida, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 189 - 192

題名第一原理計算を用いたSiO2/Si界面の誘電率推定
著者 五十嵐 智 (東京都市大・工,宇宙研), 小林 大輔 (宇宙研), 野平 博司 (東京都市大・工), 廣瀬 和之 (宇宙研)
TitleDielectric Constant Estimation for SiO2/Si Interface Based on the First-principles Calculation
Author Satoru Igarashi (Tokyo City Univ., ISAS/JAXA), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページpp. 193 - 196

題名相対論的電子状態計算におけるスピントルクについての理論的研究
著者 瀬波 大土, 西川 潤, 原 誉明, 立花 明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
TitleTheoretical Study on Spin Torque by Relativistic ab Initio Electronic Structure Calculation
Author Masato Senami, Jun Nishikawa, Takaaki Hara, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 197 - 200

題名局所的な電気伝導を表現する第一原理計算
著者 瀬波 大土, 池田 裕治, 福島 啓悟, 立花 明知 (京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻)
TitleFirst-principles Calculations for Local Property of Conductance
Author Masato Senami, Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 201 - 204

題名HfO2/SiO2スタック構造中に熱拡散したMg原子の化学結合状態とMgが欠陥準位密度に及ぼす影響
著者 貫目 大介, 大田 晃生, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科)
TitleCharacterization of Chemical Bonding Features of Mg Atoms Diffused into HfO2/SiO2 Stack and Influence of Mg Incorporation on Defect State Density
Author Daisuke Kanme, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページpp. 205 - 208

題名TiO2/Pt界面における化学結合状態分析と抵抗変化特性評価
著者 後藤 優太, 大田 晃生, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一 (広島大学大学院 先端物質科学研究科)
TitleChemical Bonding Features at TiO2/Pt Interface and Their Impact on Resistance Switching Properties
Author Yuta Goto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University)
ページpp. 209 - 212

題名Si(111)熱酸化膜表面・界面のラフネス成長
著者 林 優介 (筑波大学 電子・物理工学専攻), 清水 哲夫 (産総研 ナノテクノロジー研究部門), 蓮沼 , 山部 紀久夫 (筑波大学 学際物質科学研究センター)
TitleRoughness Growth on Si(111) Dioxide Surface Induced by Oxidation at the Interface
Author Yusuke Hayashi (Inst. of Appl. Phys, Univ. of Tsukuba), Tetsuo Shimizu (Nanotechnology RI / AIST), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (TIMS, Univ. of Tsukuba)
ページpp. 213 - 216

題名XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討
著者 近田 侑吾, 喜多 浩之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleQuantitative Reinvestigation of Valence Band Maximum Energy Levels of High-k Dielectrics with XPS
Author Yugo Chikata, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 217 - 220

題名UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価
著者 吉田 まほろ (東京大学大学院マテリアル工学専攻), 喜多 浩之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻/JST-CREST)
TitleUV-Spectroscopic Ellipsometry Measurement for Defect Evaluation in GeO2 film
Author Mahoro Yoshida, Kouji Kita, Tomonori Nishimura, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 221 - 224

題名ヘテロ界面に於けるバンドオフセットの決定に向けたInternal Photo Emission法の 詳細検討
著者 鷹本 靖欣, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleIntensive Investigation of IPE Method for Band-offset Characterization at Hetero-interface
Author Yasuyoshi Takamoto, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering The University of Tokyo)
ページpp. 225 - 228

題名熱処理によるCVD-SiO2の緻密化と圧縮応力緩和
著者 染谷 満, 佐藤 慎九郎 (筑波大学 電子・物理工学), 荻野 正明, 栗林 均, 須ヶ原 紀之 (富士電機デバイステクノロジー), 上殿 明良 (筑波大学 電子・物理工学), 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 電子・物理工学/学際物質科学研究センター)
TitleCompressive Stress Relaxation and Densification of CVD-SiO2 by Thermal Annealing
Author Mitsuru Sometani, Shinkuro Sato (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba), Masaaki Ogino, Hitoshi Kuribayashi, Yoshiyuki Sugahara (Fuji Electric Device Technology), Akira Uedono (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba), Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Applied Physics/TIMS. Univ. of Tsukuba)
ページpp. 229 - 232

題名局所的な電気伝導率を利用したシリコンナノワイヤーの電子輸送特性に関する解析
著者 池田裕治, 福島啓悟, 瀬波大土, 立花明知 (京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻)
TitleAnalysis for Electron Transport Properties of Silicon Nanowires Using Local Electrical Conductivity
Author Yuji Ikeda, Akinori Fukushima, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 233 - 236

題名Ge/GeO2界面の欠陥と電子状態の第一原理計算
著者 小野 倫也, 齋藤 正一朗, 細井 卓治, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleFirst-principles Study on Defect Formation at Ge/GeO2 Interface
Author Tomoya Ono, Shoichiro Saito, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Grad. Schl. Eng., Osaka Univ.)
ページpp. 237 - 240

題名金属/Si界面の原子挿入層の安定性とショットキーバリアに関する第一原理計算
著者 丸田 勇亮, 中山 隆史 (千葉大学理学研究科基盤理学専攻)
TitleFirst-principles Calculations of Stability and Shottky Barrier Heights of Inserted Layers at Metal/Si Interfaces.
Author Yusuke Maruta, Takashi Nakayama (Chiba University)
ページpp. 241 - 244

題名シリサイドの安定性と電子物性に関する理論的検討
著者 五月女 真一, 中山 隆史 (千葉大学理学研究科)
TitleTheoretical Study on Stability and Electronic Properties of Silicides
Author Shinichi Sotome, Takashi Nakayama (Department of Physics , Chiba University)
ページpp. 245 - 248

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名大気曝露に起因したGe-MOSキャパシタの電気特性劣化とその改善手法の提案
著者 秀島 伊織, 岡本 学, 朽木 克博, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleImprovement of the Electrical Properties of Ge-MOS Capacitors Degraded by Air Exposure
Author Iori Hideshima, Gaku Okamoto, Katsuhiro Kutsuki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 249 - 252

題名歪SiナノワイヤFETにおけるチャネル方向とウエハ面方位が 相互コンダクタンスに与える影響の評価
著者 高井 一, 清家 綾, 土田 育新 (早大理工), 増田 純一, 小瀬村 大輔, 小椋 厚志 (明大理工), 大泊 巌, 渡邉 孝信 (早大理工)
TitleEvaluation of the Impact of Channel Direction and Wafer Orientation on Transconductance for Strained Nanowire Transistors
Author Hajime Takai, Aya Seike, Ikushin Tsuchida (Waseda University), Junichi Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura (Meiji University), Iwao Ohdomari, Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページpp. 253 - 256

【メモリ技術】

題名MONOS型メモリの電荷蓄積機構における水素混入効果の理論的検討
著者 大竹朗, 山口慶太, 小林賢司, 白石賢二 (筑波大学大学院数理物質科学研究科)
TitleTheoretical Studies on the Charge Trapping System of Hydrogen Mixed MONOS-type Memories.
Author Akira Otake, Keita Yamaguchi, Kenji Kobayashi, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページpp. 257 - 260