(トップページへ)

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」
第18回研究会研究報告プログラム


論文リスト (口頭発表)


(「◎、○」印は招待講演)

2013年1月24日(木)

20:00-22:00 奥村 元博士(（独）産総研) 講演題名: グリーンイノベーションとワイドギャップパワー半導体技術 (Green Innovation and Widegap Power Semiconductor Technology)

2013年1月25日(金)

9:00-9:10 開会あいさつ
9:10-9:40 ○
題名省エネシステムのためのSTT-MRAMと、そのロジック応用
著者 遠藤 哲郎 (東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター/省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター/大学院工学研究科 電気エネルギーシステム専攻), 小池 洋紀, 大澤 隆 (東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター), 羽生 貴弘 (東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター/電気通信研究所), 笠井 直記 (東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター), 大野 英男 (東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター/電気通信研究所)
TitleSTT-MRAM Technology and Spin Based NV-Logic for Low Power System
Author Tetsuo Endoh (Center for Innovative Integrated Electronic Systems/Center for Spintronics Integrated Systems/Graduate School of Engineering, Tohoku University), Hiroki Koike, Takashi Ohsawa (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University), Takahiro Hanyu (Center for Spintronics Integrated Systems/Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University), Naoki Kasai (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku University), Hideo Ohno (Center for Spintronics Integrated Systems/Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University)
ページpp. 1 - 4
9:40-10:00
題名多層構造抵抗変化型メモリにおけるアルミナ酸素空孔層の役割
著者 梁 文榮, 神谷 克政 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科), Blanka Magyari-Köpe (スタンフォード大学), 籾田 博義 (物質材料研究機構、大阪大学), 大野 隆久 (物質材料研究機構), 丹羽 正昭 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科), 西 義雄 (スタンフォード大学), 白石 賢二 (筑波大学大学院 数理物質科学研究科)
TitleRole of Al2O3 O Vacancy Barrier Layer in Advanced ReRAM Stack Structure
Author Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Blanka Magyari-Köpe (Department of Electrical Engineering, Stanford University), Hiroyoshi Momida, Takahisa Ohno (Computational Materials Science Unit, National Institute for Materials Science), Masaaki Niwa (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Yoshio Nishi (Department of Electrical Engineering, Stanford University), Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページpp. 5 - 8
10:00-10:20
題名単層および多層グラフェンナノリボン抵抗変化型メモリの実験的研究： 動作メカニズムの解明へ向けて
著者 新留 彩, 土井岡 優, 別府 伸耕 (東京工業大学, 慶應義塾大学), 小田 俊理 (東京工業大学), 内田 建 (東京工業大学, 慶應義塾大学)
TitleExperimental Investigation of Resistive Random Access Memory (ReRAM) Realized in Mono- and Multi-layer Exfoliated Graphene Nanoribbons: Study on Possible Operation Mechanism
Author Aya Shindome, Yu Doioka, Nobuyasu Beppu (Tokyo Institute of Technology, Keio University), Shunri Oda (Tokyo Institute of Technology), Ken Uchida (Tokyo Institute of Technology, Keio University)
ページpp. 9 - 12
Coffee-Break
10:40-11:30 ◎
題名抵抗変化型不揮発デバイスで低電圧限界に挑む
著者 住広 直孝 (超低電圧デバイス技術研究組合)
TitlePushing the Limit of Voltage Reduction by Resistance-Change Devices
Author Naotaka Sumihiro (Low-power Electronics Association & Project)
ページpp. 13 - 16
11:30-12:00 ○
題名大容量ストレージ向け３次元縦型チェインセル相変化メモリ
著者 小林 孝, 木下 勝治, 笹子 佳孝 (株式会社日立製作所 中央研究所)
Title3-D Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory for Mass-Storage Application
Author Takashi Kobayashi, Masaharu Kinoshita, Yoshitaka Sasago (Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.)
ページpp. 17 - 20
昼食
13:00-13:50 ◎
TitleGeneral Overview of Challenges for Ge/IIIV for CMOS Including Gate Stack as well as the Epitaxial Growth of Ge and IIIV on Si
Author Matty Caymax, Alireza Alian, Johan Dekoster, Geert Eneman (Imec), Federica Gencarelli (Imec and KULeuven), Weiming Guo, Dennis Lin, Roger Loo, Clement Merckling, Sonja Sioncke, Benjamin Vincent, Niamh Waldron (Imec), Gang Wang (Imec and MEMC Electronic Materials, Inc), Aaron Thean (Imec)
ページpp. 21 - 25
13:50-14:20 ○
題名不純物注入レスプロセスにより形成した高性能ひずみGeナノワイヤトランジスタ
著者 池田 圭司, 小野 瑞城 (独立行政法人産業技術総合研究所 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター), 小瀬村 大亮 (明治大学 理工学部 電気電子生命学科), 臼田宏治, 小田 穣, 上牟田 雄一, 入沢 寿史, 守山 佳彦 (独立行政法人産業技術総合研究所 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター), 小椋 厚志 (明治大学 理工学部 電気電子生命学科), 手塚 勉 (独立行政法人産業技術総合研究所 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
TitleHigh-Performance Strained Ge Nanowire MOSFETs Formed by Doping-free Processes
Author Keiji Ikeda, Mizuki Ono (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Daisuke Kosemura (Meiji University), Koji Usuda, Minoru Oda, Yuuichi Kamimuta, Toshifumi Irisawa, Yoshihiko Moriyama (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Atsushi Ogura (Meiji University), Tsutomu Tezuka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
ページpp. 27 - 30
14:20-14:40
題名高移動度Ge CMOSの実現に向けたGeON/Geゲートスタックのプロセス設計
著者 箕浦 佑也, 糟谷 篤志, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学 大学院工学研究科)
TitleGate Stack Technology for High Performance Ge MOSFETs with Ultrathin GeON Gate Dielectrics
Author Yuya Minoura, Atsushi Kasuya, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 31 - 34
14:40-15:00
題名固相結晶化で形成した多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に下地SiO2の表面状態が及ぼす影響
著者 株柳 翔一, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東京大学、JST-CREST)
TitleImpacts of the Surface Treatment of SiO2 on the Electrical Property of Polycrystalline Ge Thin Film Transistor Fabricated by Solid Phase Crystallization
Author Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (The University of Tokyo, JST-CREST)
ページpp. 35 - 38
Coffee-Break
15:20-15:40
題名Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
著者 柴山 茂久, 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleClarification of Thermal Oxidation Mechanism of Al2O3/Ge Structure
Author Shigehisa Shibayama, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 39 - 42
15:40-16:00
題名ALD-HfO2膜に対するPost-deposition-anneal とTi-cap-annealの併用による超薄EOT higher-k (k=40) ゲートスタックの形成
著者 森田 行則, 右田 真司, 水林 亘, 昌原 明植, 太田 裕之 (産総研)
TitleImpact of Two-Step PDA for Ultrathin EOT Higher-k (k=40) ALD-HfO2 Gate Stacks
Author Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Meishoku Masahara, Hiroyuki Ota (AIST)
ページpp. 43 - 46
16:00-16:20
題名テラヘルツ通信を志向したダイヤモンドライクカーボンゲート絶縁膜を有するグラフェンFET
著者 江藤 隆紀, 鷹林 将, 栗田 裕記 (東北大学 電気通信研究所), 楊 猛, 林 広幸, イェシコ ラディック, 小川 修一, 高桑 雄二 (東北大学 多元物質科学研究所), 末光 哲也, 尾辻 泰一 (東北大学 電気通信研究所)
TitleGraphene FET with Diamondlike Carbon Gate Dielectrics toward Terahertz Communication
Author Takanori Eto, Susumu Takabayashi, Yuki Kurita (RIEC, Tohoku Univ.), Meng Yang, Hiroyuki Hayashi, Radek Ješko, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa (IMRAM, Tohoku Univ.), Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji (RIEC, Tohoku Univ.)
ページpp. 47 - 50
16:20-16:40
題名酸化物保護膜/CVDグラフェンの分光および電気伝導特性
著者 山口 淳一, 林 賢二郎, 佐藤 信太郎, 横山 直樹 (産総研)
TitleSpectroscopic and Electric Transport Properties on Oxide-Passivated CVD Graphene
Author Junichi Yamaguchi, Kenjiro Hayashi, Shintaro Sato, Naoki Yokoyama (AIST)
ページpp. 51 - 54
16:40-17:00
題名NF3添加酸化によるSiO2/SiC(0001)MOSキャパシタの容量-電圧特性改善
著者 深澤 辰哉, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学)
TitleImprovement of C-V Characteristics of SiO2/SiC(0001) MOS Capacitor by NF3 Added Oxidation
Author Tatsuya Fukasawa, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba)
ページpp. 55 - 58
17:00-19:30 懇親会
休憩
19:40-21:40 ポスターセッション

2013年1月26日(土)

8:30-9:00 ○
題名SiO2/SiC界面へのリン導入による高品質界面の形成
著者 矢野 裕司 (奈良先端科学技術大学院大学)
TitleFormation of High-Quality SiO2/SiC Interface by Phosphorus Incorporation
Author Hiroshi Yano (Nara Institute of Science and Technology)
ページpp. 59 - 62
9:00-9:20
題名酸化により引き起こされるSiCの本質的欠陥
著者 長川 健太, 加藤 重徳, 真栄 力, 神谷 克政, 白石 賢二 (筑波大学 物理学専攻)
TitleEssential Defects of SiC Induced by Oxidation
Author Kenta Chokawa, Shigenori Kato, Chikara Shinnei, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (Institute of Physics, University of Tsukuba)
ページpp. 63 - 66
9:20-9:40
題名第一原理計算による4H-SiC(0001)面からのC原子放出過程の解明
著者 齊藤 正一朗, 森川 良忠, 小野 倫也 (大阪大学)
TitleFirst-Principles Study on C Emission Process from 4H-SiC(0001)
Author Shoichiro Saito, Yoshitada Morikawa, Tomoya Ono (Osaka University)
ページpp. 67 - 70
9:40-10:00
題名SiC熱酸化膜特有の可動イオン生成とその除去
著者 Atthawut Chanthaphan (大阪大学大学院工学研究科), 箕谷 周平, 中野 佑紀, 中村 孝 (ローム株式会社), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleUnusual Generation and Elimination of Mobile Ions in Thermally Grown SiO2 on 4H-SiC(0001)
Author Atthawut Chanthaphan (Graduate School of Engineering, Osaka University), Shuhei Mitani, Yuki Nakano, Takashi Nakamura (ROHM CO., LTD.), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 71 - 74
Coffee-Break
10:20-10:50 ○
題名独自開発した雑音計測プローブによるナノ秒領域でのMOSFET時間ゆらぎ評価
著者 大毛利 健治 (筑波大学 大学院数理物質科学研究科)
TitleNoise Characterization of Si MOSFETs in Nano-Second Regimes Using a Novel Noise Measurement System
Author Kenji Ohmori (Graduate School of Pure and Applied Physics, University of Tsukuba)
ページpp. 75 - 78
10:50-11:10
題名(110)pタイプトランジスタにおけるSTI一軸圧縮ひずみ制御に伴うNBTI特性改善
著者 陳 杰智, 平野 泉, 齋藤 真澄, 辰村 光介, 三谷 祐一郎 ((株)東芝 研究開発センター)
TitleInvestigations on Improved Negative-bias Temperature Instability in (110) pMOSFETs due to Shallow Trench Isolations Induced Uniaxial Compressive Strain
Author Jiezhi Chen, Izumi Hirano, Masumi Saitoh, Kosuke Tatsumura, Yuichiro Mitani (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation)
ページpp. 79 - 82
11:10-11:30
題名SiナノワイヤMOSFETの「静かな」雑音特性
著者 フェン ウェイ, ランガ ヘッティアーラッチ (筑波大学), 李 映勲, 佐藤 創志, 角嶋 邦之 (東京工業大学), 佐藤 基之 (筑波大学), 福田 浩一 (産業技術総合研究所), 丹羽 正昭, 山部 紀久夫, 白石 賢二 (筑波大学), 岩井 洋 (東京工業大学), 山田 啓作, 大毛利 健治 (筑波大学)
Title"Quiet" Noise Property in Si Nanowire MOSFETs
Author Wei Feng, Ranga Hettiarachchi (University of Tsukuba), Yeonghun Lee, Soshi Sato, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Institute of Technology), Motoyuki Sato (University of Tsukuba), Koichi Fukuda (Advanced Industrial Science and Technology), Masaaki Niwa, Kikuo Yamabe, Kenji Shiraishi (University of Tsukuba), Hiroshi Iwai (Tokyo Institute of Technology), Keisaku Yamada, Kenji Ohmori (University of Tsukuba)
ページpp. 83 - 86
11:30-12:00 ○
題名ナノスケールトランジスタのためのデバイスシミュレーション技術
著者 森 伸也, ミリニコフ ゲナディ, 鎌倉 良成 (大阪大学，JST), 植松 真司, 伊藤 公平 (慶応義塾大学，JST)
TitleDevice Simulation for Nanoscale Transistors
Author Nobuya Mori, Gennady Mil'nikov, Yoshinari Kamakura (Osaka University, JST), Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh (Keio University, JST)
ページpp. 87 - 90
12:00-12:20
題名フォノン凖弾道輸送効果がナノスケールデバイスの熱伝導特性に与える影響
著者 久木田 健太郎, インドラ ヌル アディスシロ (大阪大学大学院工学研究科), 鎌倉 良成 (大阪大学大学院工学研究科/JST CREST)
TitleImpact of Quasi-Ballistic Phonon Transport on Thermal Properties in Nanoscale Devices
Author Kentaro Kukita, Indra Nur Adisusilo (Graduate School of Engineering, Osaka University), Yoshinari Kamakura (Graduate School of Engineering, Osaka University/JST CREST)
ページpp. 91 - 94
昼食
13:40-14:00
題名接合レス型トランジスタに用いるゲートスタック技術の設計指針
著者 右田 真司, 森田 行則, 昌原 明植, 太田 裕之 (産業技術総合研究所／グリーン・ナノエレクトロニクスセンター)
TitleDesign Guideline of Gate Stack Technology for Junctionless Transistor Applications
Author Shinji Migita, Yukinori Morita, Meishoku Masahara, Hiroyuki Ota (AIST/Green Nanoelectronics Center)
ページpp. 95 - 98
14:00-14:20
題名長期保存型アーカイブメモリとしてのMONOS型メモリの指針
著者 白川 裕規 (筑波大学理工学群物理学類), 山口 慶太, 神谷 克政, 白石 賢二 (筑波大学数理物質科学研究科)
TitleGuideline of MONOS Type Memory for Using Long Lifespan Archive Memories
Author Hiroki Shirakawa (Institute of Physics, University of Tsukuba), Keita Yamaguchi, Katsumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページpp. 99 - 102
14:20-14:50 ○
題名IGZO酸化物薄膜トランジスタの電子物性
著者 神谷 利夫 (東京工業大学 応用セラミックス研究所), 野村 研二 (東京工業大学フロンティア研究機構), 細野 秀雄 (東京工業大学 応用セラミックス研究所＆フロンティア研究機構)
TitleElectronic Structure, Electron Transport, Defects and Impurities in Amorphous Oxide Semiconductor and Their Devices
Author Toshio Kamiya (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology), Kenji Nomura (Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology), Hideo Hosono (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology)
ページpp. 103 - 106
14:50-15:10
題名熱酸化における大気中へのシリコン放出
著者 長澤 達彦, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学)
TitleSilicon Emission to Atmosphere during Thermal Oxidation
Author Tatsuhiko Nagasawa, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 107 - 110
Coffee-Break
15:30-15:50
題名湿度制御条件下でのin-situ XPSを用いたGeO2/Ge構造の吸湿性評価
著者 有馬 健太, 村 敦史, 秀島 伊織, 細井 卓治, 渡部 平司 (大阪大学/大学院工学研究科), Zhi Liu (ローレンスバークレー国立研究所)
TitleEffect of Water Adsorption on GeO2/Ge Structures Studied by In-situ XPS under Controlled Relative Humidity
Author Kenta Arima, Atsushi Mura, Iori Hideshima, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University), Zhi Liu (Lawrence Berkeley National Laboratory)
ページpp. 111 - 114
15:50-16:10
題名量子容量測定によるグラフェンの状態密度抽出
著者 長汐 晃輔, 西村 知紀, 鳥海 明 (東大/マテリアル)
TitleExtraction of Density of States in Graphene by Quantum Capacitance Measurement
Author Kosuke Nagashio, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 115 - 118
16:10-16:30
題名不純物イオン注入 SiC 基板の高効率活性化と化学結合状態評価
著者 村上 秀樹, 芦原 龍平, 丸山 佳祐, 花房 宏明 (広島大学大学院 先端物質科学研究科), 宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科), 東 清一郎 (広島大学大学院 先端物質科学研究科)
TitleStudy of Chemical Bonding Features of Impurities Implanted into SiC and Their High-Efficient Activation
Author Hideki Murakami, Ryuhei Ashihara, Keisuke Maruyama, Hiroaki Hanafusa (Grad. School of AdSM, Hiroshima Univ.), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Seiichiro Higashi (Grad. School of AdSM, Hiroshima Univ.)
ページpp. 119 - 122
休憩
16:40-17:00 安田賞・服部賞 表彰式
17:00-17:20 最優秀ポスター講演
17:20-17:30 閉会にあたって

論文リスト (ポスターセッション)

時間: (2013年1月25日(金) 19:40-21:40)

【高誘電率ゲート絶縁膜】

題名マイクロ波リモートプラズマ-ALD法によるSi基板上のHfO2/HfSixOy薄膜の作製および評価
著者 石崎 博基, 梁池 昂生, 関 渓太, 滝澤 蓮, 花田 毅広, 王谷 洋平 (諏訪東京理科大学), 山本 千綾, 山中 淳二, 佐藤 哲也 (山梨大学), 福田 幸夫 (諏訪東京理科大学)
TitleEvaluation and Preparation of HfSixOy Thin Film by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition
Author Hiroki Ishizaki, Kousei Yanachi, Keita Seki, Ren Takizawa, Takehiro Hanada, Yohei Otani (Tokyo University of Science, Suwa), Chiaya Yamamoto, Junzi Yamanaka, Tetsuya Sato (University of Yamanashi), Yukio Fukuda (Tokyo University of Science, Suwa)
ページpp. 123 - 126

題名Arスパッタによって形成されたHfO2薄膜中のArが結晶化相変態に与える影響
著者 岩井 貴雅, 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東京大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleRole of Ar on Structural Phase Transformation of HfO2 Deposited by Ar Sputtering
Author Takamasa Iwai, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kousuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 127 - 130

題名酸化・還元アニールによる多結晶HfO2の2次元リーク電流分布変化
著者 下田 恭平, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 数理物質科学研究科), 右田 真司 (産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門)
TitleOxidation and Reduction Annealing Effect on Two Dimensional Leakage Current Distribution of Polycrystalline HfO2
Author Kyohei Shimoda, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (University of Tsukuba), Shinji Migita (AIST NRI)
ページpp. 131 - 134

題名HfO2膜の結晶化による電気的特性変化
著者 門馬 久典, 宮本 雄太, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学)
TitleVariation of Electrical Properties of HfO2 Film due to Crystallization
Author Hisanori Momma, Yuta Miyamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 135 - 138

題名第一原理計算によるHfO2/SiO2/Si界面構造の酸素原子が電子状態に与える影響
著者 小嶋 隆史, 小野 倫也 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleFirst-Principles Study of the Effects of Oxygen Atom on Electronic Structure in HfO2/SiO2/Si Interfaces
Author Takashi Kojima, Tomoya Ono (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 139 - 142

題名ALD法によりSi(100)基板上に成膜したHfO2薄膜のマイクロ波リモート酸素プラズマ照射による特性改善
著者 梁池 昂生, 関 渓太, 滝澤 蓮, 花田 毅広, 石崎 博基, 王谷 洋平 (諏訪東京理科大学), 佐藤 哲也 (山梨大学), 福田 幸夫 (諏訪東京理科大学)
TitleImprovement of the Electrical Property for HfO2 Thin Films by the Irradication of Oxygen Gas Plasma Stream
Author Kousei Yanachi, Keita Seki, Ren Takizawa, Takehiro Hanada, Hiroki Ishizaki, Yohei Otani (Tokyo University of Science, Suwa), Tetsuya Sato (University of Yamanashi), Yukio Fukuda (Tokyo University of Science, Suwa)
ページpp. 143 - 146

題名W/high-k絶縁膜/In0.53Ga0.47Asの熱安定性に及ぼすTiN-capの効果
著者 笠原 大, 岡田 葉月, 沼尻 侑也 (東京都市大学), 角嶋 邦之 (東京工業大学総合理工学研究科), 岩井 洋 (東京工業大学フロンティア研究機構), 野平 博司 (東京都市大学)
TitleThe Effect of TiN-cap on Thermal Stability of W/high-k Dielectrics/In0.53Ga0.47As
Author Masaru Kasahara, Hazuki Okada, Yuya Numajiri (Tokyo City University), Kuniyuki Kakusima (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Iwai (Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology), Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページpp. 147 - 150

題名テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
著者 吉田 鉄兵, 加藤 公彦, 柴山 茂久, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明 (名古屋大学)
TitleFormation of Ultra Thin Ge Oxide Film Using Tetraethoxy-Germanium
Author Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya University)
ページpp. 151 - 154

題名Pr酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響
著者 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明 (名古屋大学大学院工学研究科)
TitleEffect of Gate Metals on Interfacial Reactions of Pr-oxide/Ge Stack Structures
Author Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 155 - 158

題名窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究
著者 三浦 脩, 田中 正俊 (横浜国立大学), 安田 哲二, 前田 辰郎 (産業技術総合研究所)
TitleStudy of Metal HfN/Insulator HfNx/Ge MIS Structure by Controlling Nitrogen Composition
Author Shu Miura, Masatoshi Tanaka (Yokohama National University), Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda (NIRC-AIST)
ページpp. 159 - 162

【信頼性・ゆらぎ】

題名第一原理分子軌道計算を用いたゲート絶縁膜の局所的な誘電応答と絶縁破壊電界の関係性の解明
著者 関 洋 (慶應義塾大学大学院), 澁谷 寧浩 (東京都市大学大学院), 小林 大輔 (宇宙科学研究所), 野平 博司 (東京都市大学), 泰岡 顕治 (慶應義塾大学), 廣瀬 和之 (宇宙科学研究所)
TitleElucidation of the Relationship between Local Dielectric Response and Breakdown Electric-Field Strength of Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique
Author Hiroshi Seki (Keio University), Yasuhiro Shibuya (Tokyo City University), Daisuke Kobashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City University), Kenji Yasuoka (Keio University), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページpp. 163 - 166

【形成・評価・基礎物性】

題名XPSによるGeO2/Ge界面のバンドオフセットの決定
著者 張 文峰, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻; JST-CREST)
TitleDetermination of the Band Offset at GeO2/Ge Interface by XPS: Differential Charging Calibration
Author Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Koji Kita, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo; JST-CREST)
ページpp. 167 - 170

題名X線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析
著者 小野 貴寛, 大田 晃生, 花房 宏明, 村上 秀樹, 東 清一郎 (広島大学 大学院先端物質科学研究科), 宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科)
TitleCharacterization of Chemical Bonding Features of As+-Implanted Ge by X-ray Photoemission Spectroscopy
Author Takahiro Ono, Akio Ohta, Hiroaki Hanafusa, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 171 - 174

題名角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布の評価
著者 渡邉 将人, 竹内 嘉寛 (東京都市大学), 星 裕介 (東北大学), 澤野 憲太郎, 白木 靖寛, 野平 博司 (東京都市大学)
TitleDepth Profile of δ Doped Sb in Ge Using Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author Masato Watanabe, Yoshihiro Takeuchi (Tokyo City University), Yusuke Hoshi (Tohoku University), Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページpp. 175 - 178

題名Si(100)上でバルクSiO2とバルクSiとの間に形成される遷移層の解明
著者 諏訪 智之, 寺本 章伸 (東北大学), 室 隆桂之, 木下 豊彦 (高輝度光科学研究センター), 須川 成利, 大見 忠弘, 服部 健雄 (東北大学)
TitleChemical Structures of Transition Layers Formed on Si(100) between Bulk SiO2 and Bulk Si
Author Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto (Tohoku University), Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori (Tohoku University)
ページpp. 179 - 182

題名Si(111)表面の自然酸化形態
著者 土井 修平, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大学 数理物質科学研究科)
TitleSurface Morphology Transformation of Si(111) Surface during Native Oxidation
Author Syuhei Doi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Inst. of Appl. Sci., University of Tsukuba)
ページpp. 183 - 186

題名XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の評価
著者 梅田 啓介, 天野 裕士 (東京都市大工), 岡田 啓太郎 (早稲田大学), 小林 大輔 (宇宙研), 野平 博司 (東京都市大工), 廣瀬 和之 (宇宙研)
TitleXPS Time-Dependent Measurement of SiO2/Si Interfaces
Author Keisuke Umeda, Yuji Amano (Tokyo City Univ.), Keitaro Okada (Waseda Univ.), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページpp. 187 - 190

題名Si(111)表面酸化膜形成初期過程における非線形酸素圧力依存：酸化状態の光電子分光観察と分子軌道計算
著者 唐 佳芸, 西本 究, 小川 修一 (東北大学多元物質科学研究所), 吉越 章隆 (日本原子力機構), 石塚 眞治 (長岡技術科学大学), 渡辺 大輝 (東北大学多元物質科学研究所), 寺岡 有殿 (日本原子力機構), 高桑 雄二 (東北大学多元物質科学研究所)
TitleNonlinear O2 Pressure Dependence of the Initial Oxide Growth Kinetics on Si(111) Surfaces: Photoelectron Spectroscopy Observation and Molecular Orbital Calculation of Oxidation States
Author Jiayi Tang, Kiwamu Nishimoto, Shuichi Ogawa (Institute of Multidisciplinary Research for Advaced Materials, Tohoku University), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Shinnji Ishidzuka (Nagaoka University of Technology), Daiiki Watanabe (Institute of Multidisciplinary Research for Advaced Materials, Tohoku University), Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Yuji Takakuwa (Institute of Multidisciplinary Research for Advaced Materials, Tohoku University)
ページpp. 191 - 194

題名HEPESによるFe3 Si/Geヘテロ構造の評価
著者 松本 宏哉 (東京都市大学), 山田 晋也, 笠原 健司, 浜屋 宏平 (九州大学), 澤野 憲太郎 (東京都市大学), 宮尾 正信 (九州大学), 野平 博司 (東京都市大学)
TitleHEPES Study of Fe3 Si/Ge Hetero Structure
Author Hiroya Matsumoto (Tokyo City University), Shinya Yamada, Kenji Kasahara, Kohei Hamaya (Kyushu University), Kentarou Sawano (Tokyo City University), Masanobu Miyao (Kyushu University), Hiroshi Nohira (Tokyo City University)
ページpp. 195 - 198

題名Fe3Si/Geにおける界面構造とショットキーバリア変調の理論的検討
著者 小日向 恭祐, 中山 隆史 (千葉大学 理学研究科)
TitleTheoretical Study of Interface Structures and Schottky Barrier Modulation at Fe3Si/Ge
Author Kyosuke Kobinata, Takashi Nakayama (Graduate School of Science, Chiba University)
ページpp. 199 - 202

題名歪環境下におけるNiシリサイドの相図
著者 飯塚 将太, 中山 隆史 (千葉大学 理学研究科)
TitlePhase Diagram of Nickel Silicide in Strain Field
Author Shota Iizuka, Takashi Nakayama (Department of Physics, Chiba University)
ページpp. 203 - 204

題名ホトルミネセンス法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の分析
著者 田川 修治, 村井 剛太, 奥谷 真士, 吉本 昌広 (京都工芸繊維大学大学院／電子システム工学専攻), Woo Sik Yoo (WaferMasters, Inc.)
TitleCharacterization of Recrystallization Process of Ultra-Shallow Junction by Photoluminescence
Author Syuji Tagawa, Gota Murai, Masashi Okutani, Masahiro Yoshimoto (Electronic Engineering, Kyoto Institute of Technology), Woo Sik Yoo (WaferMasters, Inc.)
ページpp. 205 - 208

題名a-IZO, a-IGZO薄膜の組成・構造変化と電気特性との関係
著者 織田 志保, 井上 敬子, 竹田 正明 (�蠹譽譽螢機璽船札鵐拭�), 吉川 透, 岡 伸人, 重里 有三 (青山学院大学理工学部)
TitleRelationship between Composition, Internal Structures and Electrical Properties of a-IZO and a-IGZO Films
Author Shiho Oda, Keiko Inoue, Masaaki Takeda (Toray Research Center), Toru Yoshikawa, Nobuto Oka, Yuzo Shigesato (Graduate School of Science & Engineering, Aoyama Gakuin University)
ページpp. 209 - 212

題名第一原理計算を用いた結晶多形の異なる薄膜SiCにおける歪みによる電子構造変化の考察とMOSFETの最適面方位の提言
著者 真栄 力, 長川 健太, 神谷 克政 (筑波大学 数理物質科学研究科 白石研究室), 白石 賢二 (筑波大学物理)
TitleFirst Principal Analysis of the Effect of Strain to the Electronics Structures of SiC Thin Film with Various Poly Types and Suggestion of Suitable MOSFET Direction
Author Chikara Shinei, Kenta Chokawa, Katumasa Kamiya, Kenji Shiraishi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
ページpp. 213 - 216

【高移動度化技術・新構造ゲートスタック】

題名低温中性粒子ビーム酸化を用いたAl2O3/GeO2/Geゲートスタックの形成
著者 和田 章良, 中山 大樹 (東北大学流体科学研究所), 張 睿, 高木 信一 (東京大学大学院工学系研究科), 寒川 誠二 (東北大学流体科学研究所)
TitleFormation of Al2O3/GeO2/Ge Gate Stack Using Low Temperature Neutral Beam Oxidation Process
Author Akira Wada, Daiki Nakayama (Institute of Fluid Science, Tohoku University), Rui Zhang, Sinichi Takagi (School of Engineering, The University of Tokyo), Seiji Samukawa (Institute of Fluid Science, Tohoku University)
ページpp. 217 - 220

題名横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価
著者 松江 将博, 鈴木 雄一朗, 西川 弘晃, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (大阪大学大学院工学研究科)
TitleEvaluation of the Carrier Mobility of Ge-on-Insulator MOSFET Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author Masahiro Matsue, Yuichiro Suzuki, Hiroaki Nishikawa, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University)
ページpp. 221 - 224

TitleInterface Engineering between Metal Electrode and GeO2 Dielectric for Future Ge-Based Metal-Oxide-Semiconductor Technologies
Author Shingo Ogawa (Toray Research Center Inc.), Iori Hideshima, Yuya Minoura (Osaka University), Takashi Yamamoto, Asami Yasui, Hiroaki Miyata, Kosuke Kimura (Toray Research Center Inc.), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka University)
ページpp. 225 - 228

【メモリ・その他】

題名スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析
著者 大田 晃生 (広島大学 大学院先端物質科学研究科), 牧原 克典 (名古屋大学 大学院工学研究科), 池田 弥央, 村上 秀樹, 東 清一郎 (広島大学 大学院先端物質科学研究科), 宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科)
TitlePhotoemission Study of Rt/SiOx/Pt Structures
Author Akio Ohta (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Katsunori Makihara (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Mitsuhisa Ikeda, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 229 - 232

題名スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価
著者 福嶋 太紀 (名古屋大学 大学院工学研究科), 大田 晃生 (広島大学 大学院先端物質科学研究科), 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科)
TitleCharacterization of Resistive Switching of Ultrathin Si-rich Oxide Contacted with TiN Electrodes
Author Motoki Fukusima (Graduate School of Engineering, Nagoya University), Akio Ohta (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University), Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University)
ページpp. 233 - 236

題名バイオテンプレートを用いたメモリスティブナノドットの形成
著者 上沼 睦典, 番 貴彦, 山下 一郎, 浦岡 行治 (奈良先端大)
TitleMemoristive Nanodot Utilizing by Bio-template
Author Mutsunori Uenuma, Takahiko Ban, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka (NAIST)
ページpp. 237 - 240

【シミュレーション】

題名SiO2ゲート絶縁膜における静的誘電率の変化：その推定法の精度とMOSFETの出力電流への影響
著者 渋谷 寧浩 (東京都市大工 宇宙研), 岡田 啓太郎 (早大理工 宇宙研), 小林 大輔 (宇宙研), 野平 博司 (東京都市大工), 廣瀬 和之 (宇宙研)
TitleVariations in Static Dielectric Constants of SiO2 Gate Insulator Films : Accuracy of an Estimation Technique and Influence on Output Currents of MOSFETs
Author Yasuhiro Shibuya (Tokyo City Univ., ISAS/JAXA), Keitaro Okada (Waseda Univ., ISAS/JAXA), Daisuke Kobayashi (ISAS/JAXA), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.), Kazuyuki Hirose (ISAS/JAXA)
ページpp. 241 - 244

題名電気伝導状態における電子構造の摂動論的計算手法を利用した局所的な伝導特性の解析
著者 池田 裕治, 瀬波 大土, 立花 明知 (京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻)
TitleAnalysis of Local Electric Conductive Properties by Using the Method for Electronic Structures with Electric Currents Based on Perturbation Theory
Author Yuji Ikeda, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Department of Micro Engineering, Kyoto University)
ページpp. 245 - 248

題名非対称ホーン形状チャネルによるキャリア輸送の制御：EMC/MDシミュレーションによる検討
著者 神岡 武文 (早稲田大学ナノ機構、JST-CREST), 今井 裕也 (早稲田大学理工学術院、JST-CREST), 鎌倉 良成 (大阪大学大学院工学研究科、JST-CREST), 大毛利 健治, 白石 賢二, 丹羽 正昭, 山田 啓作 (筑波大学大学院数理物質学研究科、JST-CREST), 渡邉 孝信 (早稲田大学理工学術院、JST-CREST)
TitleControl of Carrier Transport in Asymmetric Horn-Shaped Channel Studied with Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation
Author Takefumi Kamioka (Waseda University Institude of Nanoscience & Nanotechnology, JST-CREST), Hiroya Imai (Waseda University, JST-CREST), Yoshinari Kamakura (Osaka University, JST-CREST), Kenji Ohmori, Kenji Shiraishi, Masaaki Niwa, Keisaku Yamada (University of Tsukuba, JST-CREST), Takanobu Watanabe (Waseda University, JST-CREST)
ページpp. 249 - 252

題名全周ゲート型ショットキー障壁トンネルFET特性に鏡像効果が及ぼす影響
著者 川村 祐士, 鹿浜 康寛, 神岡 武文, 渡邉 孝信 (早稲田大学)
TitleImpact of Image Force Effects on Device Characteristics of Gate-All-Around Schottky Barrier Tunneling FET
Author Yuji Kawamura, Yasuhiro Shikahama, Takefumi Kamioka, Takanobu Watanabe (Waseda University)
ページpp. 253 - 256

題名Si量子細線におけるフォノン熱輸送に与える同位体不純物の影響
著者 服部 淳一 (立命館大学 総合科学技術研究機構), 宇野 重康 (立命館大学 理工学部 電気電子工学科)
TitleImpact of Isotope Impurities on Phonon Thermal Transport in Silicon Nanowires
Author Junichi Hattori (The Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University), Shigeyasu Uno (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University)
ページpp. 257 - 260

題名第一原理DFT+U法による強相関物質の電子状態解析
著者 濱田 智之 (株式会社日立製作所 中央研究所), 大野 隆央 (独立行政法人 物質・材料研究機構), 前川 禎通 (独立行政法人 日本原子力研究開発機構)
TitleA New First Principles DFT+U Method for Theoretical Study of Strongly Correlating Electronic Strucure Systems
Author Tomoyuki Hamada (Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.), Takahisa Ohno (National Institute of Materials Science), Sadamichi Maekawa (Japan Atomic Energy Agency)
ページpp. 261 - 264

【新分野 (新材料，パワーデバイス，その他)】

題名TiO2チャネルTFT特性に及ぼす酸素雰囲気熱処理の特異な効果
著者 小池 豪, 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明 (東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻)
TitleAnomalous Effect of Oxygen Thermal Treatment on TiO2-Channel Thin Film Transistor Performance
Author Go Oike, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi (Department of Materials Engineering, School of Engineering, The University of Tokyo)
ページpp. 265 - 268

題名4H-SiC中の螺旋転位の第一原理計算
著者 山崎 隆浩 (（株）富士通研究所/次世代ものづくり技術研究センター), 奈良 純 (物材機構), 甲賀 淳一朗, 宇田 毅 (（株）ASMS), 黒田 明義, 南 一生 (理研/計算科学研究機構), 大野 隆央 (物材機構)
TitleFirst-Principles Calculations of Screw Dislocations in 4H-SiC
Author Takahiro Yamasaki (FUJITSU Lab Ltd./Next-Generation Manufacturing Technologies), Jun Nara (National Institute for Materials Science), Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda (ASMS Co. Ltd), Akiyoshi Kuroda, Kazuo Minami (RIKEN AICS), Takahisa Ohno (National Institute for Materials Science)
ページpp. 269 - 272