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「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第20回研究会)
プログラム

プログラム: 非分割版

著者索引: HERE

セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています．

2015年1月29日(木)

S 第20回記念特別講演
19:00 - 22:00

2015年1月30日(金)

開会の挨拶 (メイン会場)
9:00 - 9:10

1 基調講演①、高移動度化技術・新構造ゲートスタック
9:10 - 11:05

コーヒーブレイク① (ロビー)
11:05 - 11:25

2 信頼性・ゆらぎ
11:25 - 12:25

昼休憩 (食堂)
12:25 - 13:25

3 新分野 (新材料，パワーデバイス，その他)
13:25 - 14:35

コーヒーブレイク② (ロビー)
14:35 - 14:55

4 信頼性・ゆらぎ・ゲート絶縁膜
14:55 - 15:55

休憩
15:55 - 16:00

T チュートリアル
16:00 - 17:30

休憩・移動
17:30 - 17:45

懇親会
17:45 - 19:45

休憩・移動
19:45 - 20:00

P ポスターセッション
20:00 - 22:00

ナイトセッション (B棟3F,4F,5Fラウンジ)
22:00 - 24:00

2015年1月31日(土)

5 基調講演②、評価・基礎物性、新分野
8:40 - 10:30

コーヒーブレイク③ (ロビー)
10:30 - 10:50

6 評価・基礎物性
10:50 - 12:00

昼休憩 (食堂)
12:00 - 13:00

7 メモリ技術、ゲート絶縁膜
13:00 - 14:30

コーヒーブレイク④ (ロビー)
14:30 - 15:00

8 招待講演、評価・基礎物性、シミュレーション、新分野
15:00 - 16:30

安田賞・服部賞表彰式 (メイン会場)
16:30 - 16:50

最優秀ポスター講演 (メイン会場)
16:50 - 17:00

閉会 (メイン会場)
17:00 - 17:10

論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2015年1月29日(木)

2015年1月30日(金)

セッション 1 基調講演①、高移動度化技術・新構造ゲートスタック
日時: 2015年1月30日(金) 9:10 - 11:05

1-1 (時間: 9:10 - 10:00)

題名	(基調講演) 三次元集積化技術の現状と今後の展望
著者	*小柳光正 (東北大)
Title	(Keynote Speech) Present Situation and Future Prospect of 3D Integration Technology
Author	*Mitsumasa Koyanagi (Tohoku Univ.)
ページ	pp. 1 - 4

1-2 (時間: 10:00 - 10:45)

Title	(Invited Speech) High-k/Metal Gate Innovations in FinFET Era
Author	*Takashi Ando (IBM)
ページ	pp. 5 - 6

1-3 (時間: 10:45 - 11:05)

題名	FLA法を用いて作製した高性能多結晶Ge tri-gate p-/n-MOSFETの実証
著者	*臼田宏治, 鎌田善己, 上牟田雄一, 森貴洋, 小池正浩, 手塚勉 (産総研)
Title	High Performance Tri-Gate Poly-Ge Junction-Less P- and N-MOSFETs Fabricated by Flash Lamp Annealing Process
Author	*Koji Usuda, Yoshiki Kamata, Yuuichi Kamimuta, Takahiro Mori, Masahiro Koike, Tstutomu Tezuka (AIST)
ページ	pp. 7 - 10

セッション 2 信頼性・ゆらぎ
日時: 2015年1月30日(金) 11:25 - 12:25

2-1 (時間: 11:25 - 11:45)

題名	微細径ナノワイヤトランジスタにおける信頼性測定
著者	*太田健介, 田中千加, 沼田敏典, 松下大介, 齋藤真澄 (東芝)
Title	Reliability of Tri-Gate Nanowire MOSFET
Author	*Kensuke Ota, Chika Tanaka, Toshinori Numata, Daisuke Matsushita, Masumi Saitoh (Toshiba)
ページ	pp. 11 - 14

2-2 (時間: 11:45 - 12:05)

題名	TDDBにおける多結晶HfO₂膜の優位性
著者	*戸村有佑, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大), 右田真司 (産総研)
Title	The Advantage of Polycrystalline HfO₂ Films in Terms of TDDB
Author	*Yusuke Tomura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba), Shinji Migita (AIST)
ページ	pp. 15 - 18

2-3 (時間: 12:05 - 12:25)

Title	A Study on Random Telegraph Signal Noise Characteristics in Ultra-Thin Gate Dielectrics Based on 1nm EOT (110) MOSFETs
Author	*Jiezhi Chen, Yuichiro Mitani (Toshiba)
ページ	pp. 19 - 22

セッション 3 新分野 (新材料，パワーデバイス，その他)
日時: 2015年1月30日(金) 13:25 - 14:35

3-1 (時間: 13:25 - 13:55)

題名	(招待講演) GaNトランジスタへの期待と展望
著者	*葛原正明, Joel Asubar, 徳田博邦 (福井大)
Title	(Invited Speech) Status and Prospects of GaN-based Power Transistors
Author	*Masaaki Kuzuhara, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda (Univ. of Fukui)
ページ	pp. 23 - 26

3-2 (時間: 13:55 - 14:15)

題名	高温高圧水蒸気を用いた熱処理によるGaN系MIS構造の絶縁膜及び界面特性の向上
著者	*吉嗣晃治, 堀田昌宏, 石河泰明, 浦岡行治 (NAIST)
Title	Improvement of Insulating and Interface Properties of GaN-Based MIS Structures by Annealing in High Temperature and High Pressure Water Vapor
Author	*Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka (NAIST)
ページ	pp. 27 - 30

3-3 (時間: 14:15 - 14:35)

Title	Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
Author	*Atthawut Chanthaphan (Osaka Univ.), Yuki Nakano, Takashi Nakamura (ROHM), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 31 - 34

セッション 4 信頼性・ゆらぎ・ゲート絶縁膜
日時: 2015年1月30日(金) 14:55 - 15:55

4-1 (時間: 14:55 - 15:15)

題名	4H-SiCにおけるステップバンチング上の酸化膜絶縁破壊機構
著者	*毛利友紀, 松村三江子, 濱村浩孝, 峰利之, 島明生, 山田廉一, 嶋本泰洋 (日立)
Title	Mechanism of Dielectric Breakdown in Oxide at the Step-Bunching on 4H-SiC
Author	*Yuki Mori, Mieko Matsumura, Hirotaka Hamamura, Toshiyuki Mine, Akio Shima, Renichi Yamada, Yasuhiro Shimamoto (Hitachi)
ページ	pp. 35 - 38

4-2 (時間: 15:15 - 15:35)

題名	SiC-MOSFETにおけるSiO₂絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討
著者	*白川裕規 (筑波大), 洗平昌晃 (名大), 神谷克政 (神奈川工科大), 渡部平司 (阪大), 白石賢二 (名大)
Title	First Principles Study of Proton Diffusion in SiO₂ Dielectric Layer of SiC-MOSFET
Author	*Hiroki Shirakawa (Univ. of Tsukuba), Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Katsumasa Kamiya (Center for Basic Education and Integrated Learning), Heiji Watanabe (Osaka Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 39 - 42

4-3 (時間: 15:35 - 15:55)

Title	Kinetic Studying of SiO₂-IL Scavenging in HfO₂/SiO₂/Si Stack
Author	*Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 43 - 46

セッション T チュートリアル
日時: 2015年1月30日(金) 16:00 - 17:30

T-1 (時間: 16:00 - 17:30)

題名	役に立つMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)
著者	*江刺正喜 (東北大)
Title	Useful MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)
Author	*Masayoshi Esashi (Tohoku Univ.)

2015年1月31日(土)

セッション 5 基調講演②、評価・基礎物性、新分野
日時: 2015年1月31日(土) 8:40 - 10:30

5-1 (時間: 8:40 - 9:30)

題名	(基調講演) 新しいIV族系半導体材料の開発と界面制御
著者	*財満鎮明 (名大)
Title	(Keynote Speech) Development of New Group-IV Semiconductor Materials and Contorol of Its Interface
Author	*Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 47 - 50

5-2 (時間: 9:30 - 9:50)

題名	電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造
著者	*株柳翔一, 西村知紀, 矢嶋赳彬, 鳥海明 (東大/JST CREST)
Title	Electronic Structure Modulation Caused by Carrier Density and Interface Boundary Condition of Germanium
Author	*Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/JST CREST)
ページ	pp. 51 - 54

5-3 (時間: 9:50 - 10:10)

題名	金属/Ge界面における点欠陥の理論: MIGSの役割に関する第一原理的検討
著者	*佐々木奨悟, 中山隆史 (千葉大)
Title	Theory of Point Defects at Metal/Ge Interfaces: First-Principles-Study on MIGS Effects
Author	*Shogo Sasaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 55 - 58

5-4 (時間: 10:10 - 10:30)

題名	Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
著者	*鈴木陽洋, 鄧云生 (名大), 柴山茂久, 黒澤昌志 (名大/日本学術振興会特別研究員), 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	Alleviation of Fermi Level Pinning and Reduction of Schottky Barrier Height at Sn/Ge Contact
Author	*Akihiro Suzuki, Yunsheng Deng (Nagoya Univ.), Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./Research Fellow of Japan Society for the Promotion Science), Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 59 - 62

セッション 6 評価・基礎物性
日時: 2015年1月31日(土) 10:50 - 12:00

6-1 (時間: 10:50 - 11:20)

題名	(招待講演) デバイス動作下硬Ｘ線光電子分光法による半導体素子の界面評価
著者	*山下良之 (NIMS)
Title	(Invited Speech) Bias Voltage Dependent Interface Properties Obtained from Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation
Author	*Yoshiyuki Yamashita (NIMS)
ページ	pp. 63 - 66

6-2 (時間: 11:20 - 11:40)

題名	硬X線光電子分光法によるCu/HfO₂-ReRAM素子動作時の界面構造解析
著者	*長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 井村将隆, 呉承俊, 知京豊裕 (NIMS)
Title	Bias Application Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of Cu/HfO₂ ReRAM Structure
Author	*Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページ	pp. 67 - 70

6-3 (時間: 11:40 - 12:00)

題名	横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術
著者	*天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 松江将博, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司 (阪大)
Title	Photoluminescence Study of Band Gap Modulation of GeSn Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author	*Takashi Amamoto, Kouhei Tominaga, Keiko Kajimura, Masahiro Matsue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページ	pp. 71 - 74

セッション 7 メモリ技術、ゲート絶縁膜
日時: 2015年1月31日(土) 13:00 - 14:30

7-1 (時間: 13:00 - 13:30)

題名	(招待講演) 抵抗変化メモリReRAM: 抵抗スイッチ効果の制御とメモリ技術開発
著者	*島久氏, 秋永広幸 (産総研)
Title	(Invited Speech) Resistive Random Access Memory (ReRAM): Control of Resistive Switching Phenomenon and Development of Memory Technology
Author	*Hisashi SHIMA, Hiroyuki Akinaga (AIST)
ページ	pp. 75 - 78

7-2 (時間: 13:30 - 13:50)

題名	第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討
著者	*高戸真之 (名大), 白川裕規 (筑波大), 洗平昌晃, 白石賢二 (名大)
Title	First Principles Examination of the Switching Mechanism of the Phase Change Memory (TRAM) Using Superlattice GeTe/Sb₂Te₃
Author	*Masayuki Takato (Nagoya Univ.), Hiroki Shirakawa (Tsukuba Univ.), Masaaki Araidai, Kenzi Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 79 - 82

7-3 (時間: 13:50 - 14:10)

題名	ナノ粒子埋込V溝型 Junction-less FETにおけるメモリ効果発現と評価
著者	*番貴彦, 上沼睦典 (NAIST), 右田真司 (産総研), 岡本尚文, 石河泰明, 山下一郎, 浦岡行治 (NAIST)
Title	Memory Effect of Metal Nanoparticle Embedded V-Groove Junctionless-FET
Author	*Takahiko Ban, Mutsunori Uenuma (NAIST), Shinji Migita (AIST), Naohumi Okamoto, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka (NAIST)
ページ	pp. 83 - 86

7-4 (時間: 14:10 - 14:30)

Title	Critical Roles of Doped-Metal Cation in GeO₂ for Gate Stack Formation on Ge
Author	*Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/JST CREST)
ページ	pp. 87 - 90

セッション 8 招待講演、評価・基礎物性、シミュレーション、新分野
日時: 2015年1月31日(土) 15:00 - 16:30

8-1 (時間: 15:00 - 15:30)

題名	(招待講演) 蛍石型構造強誘電体薄膜とその作製
著者	*舟窪浩, 清水荘雄 (東工大)
Title	(Invited Speech) Preparation of Florite-Structure Ferroelectric Thin Films and Their Characterization
Author	*Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu (Tokyo Inst. of Tech.)
ページ	pp. 91 - 92

8-2 (時間: 15:30 - 15:50)

題名	超平坦SiC表面上へのプラズマ酸化を援用した低ピット密度グラフェンの形成
著者	*有馬健太, 齋藤直樹, 森大地, 川合健太郎, 佐野泰久, 山内和人, 森田瑞穂 (阪大)
Title	Formation of Pit-Free Graphene Assisted by Plasma Oxidation on Flattened SiC Surface
Author	*Kenta Arima, Naoki Saito, Daichi Mori, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi, Mizuho Morita (Osaka Univ.)
ページ	pp. 93 - 96

8-3 (時間: 15:50 - 16:10)

題名	希土類酸化物の電子状態
著者	*濱田智之 (日立), 大野隆央 (NIMS/東大)
Title	Electronic Structure of Lanthanide Oxide
Author	*Tomoyuki Hamada (Hitachi), Takahisa Ohno (NIMS/Univ. of Tokyo)
ページ	pp. 97 - 100

8-4 (時間: 16:10 - 16:30)

題名	非線形応答する誘電体をトランジスタのゲート絶縁膜に活用するための材料設計指針
著者	*太田裕之, 右田真司 (産総研/JST CREST), 福田浩一 (産総研), 鳥海明 (東大/JST CREST)
Title	A Material Design on Metal-Oxide-Semiconductor Electric-Field Transistors Utilizing Gate Insulator with Nonlinearly Electric-Field-Dependent Permittivity
Author	*Hiroyuki Ota, Shinji Migita (AIST/CREST, JST), Koich Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/CREST, JST)
ページ	pp. 101 - 104

2015年1月30日(金)

セッション P ポスターセッション
日時: 2015年1月30日(金) 20:00 - 22:00

P-1 (評価・基礎物性)

題名	Si中の等価電複合不純物の電子状態に関する第一原理計算
著者	*飯塚将太, 中山隆史 (千葉大)
Title	First-Principles Calculation of Electronic Properties of Isoelectronic Impurity Complex in Si TFET
Author	*Shota Iizuka, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 105 - 108

P-2 (評価・基礎物性)

題名	SiO₂/Si界面の結晶性劣化によるSiナノワイヤのNi化速度の上昇
著者	*武井康平, 小杉山洋希, 橋本修一郎, ソンセイ, 麻田修平, 徐泰宇, 若水昂 (早大), 今井亮佑, 徳武寛紀, 富田基裕, 小椋厚志 (明大), 松川貴, 昌原明植 (産総研), 渡邉孝信 (早大)
Title	Enhancement of Nickelidation Rate of Si Nanowire by Crystal Disorder at SiO₂/Si Interface
Author	*Kohei Takei, Hiroki Kosugiyama, Shuichiro Hashimoto, Jing Sun, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Takashi Wakamizu (Waseda Univ.), Ryosuke Imai, Hiroki Tokutake, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 109 - 112

P-3 (評価・基礎物性)

Title	Empirical Potential Profile Model for Unusual Energy Separation of Hole Subbands in Si (111)
Author	*Nur Idayu Ayob, Sakura N. Takeda, Takeshi J. Inagaki, Hiroshi Daimon (NAIST)
ページ	pp. 113 - 116

P-4 (評価・基礎物性)

題名	金属/Ge界面での偏析によるショットキーバリア変調の第一原理計算
著者	*恩田由紀子, 中山隆史 (千葉大)
Title	First-Principles Calculation of Segregation-Induced Schottky-Barrier Modulation at Metal/Ge Interfaces
Author	*Yukiko Onda, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 117 - 120

P-5 (評価・基礎物性)

題名	角度分解光電子分光(APRES)を用いたBi吸着Ge(001)表面のバンド分散構造
著者	*入江広一郎, 武田さくら, 坂田智裕, Artoni Kevin Roquero Ang, 竹内克行, 中尾敏臣, 桃野浩樹, 前田昂平, 大門寛 (NAIST)
Title	Band Dispersion of Bi-Absorped Ge(001) Surface by Angularly Resolved Photoelectron Spectroscopy
Author	*Kouichirou Irie, Sakura N. Takeda, Tomohiro Sakata, Artoni Kevin Roquero Ang, Katsuyuki Takeuchi, Harushige Nakao, Hiroki Momono, Kouhei Maeda, Hiroshi Daimon (NAIST)
ページ	pp. 121 - 124

P-6 (メモリ技術)

題名	Al₂O₃/(Ta/Nb)O_x/Al₂O₃チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)O_x/Al₂O₃ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響
著者	*大井暁彦 (NIMS), 生田目俊秀 (NIMS/JST CREST), 伊藤和博, 高橋誠 (阪大), 知京豊裕 (NIMS)
Title	Influence of the (Ta/Nb)O_x/Al₂O₃-Blocking Interface on the Flatband Voltage Shift for Al₂O₃/(Ta/Nb)O_x/Al₂O₃ Charge Trap Capacitors
Author	*Akihiko Ohi (NIMS), Toshihide Nabatame (NIMS/JST CREST), Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi (Osaka Univ.), Toyohiro Chikyo (NIMS)
ページ	pp. 125 - 128

P-7 (メモリ技術)

題名	Si-rich 酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響
著者	*荒井崇, 大田晃生, 牧原克典, 宮崎誠一 (名大)
Title	Impact of Embedded Mn Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides as Measured in Ni-Electrodes MIM Diodes
Author	*Takashi Arai, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 129 - 132

P-8 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	赤外分光法によるSiC熱酸化膜界面におけるSiO₂構造変化と副生成物形成の観察
著者	平井悠久 (東大), *喜多浩之 (東大/JST PRESTO)
Title	FTIR Study on Structural Change of SiO₂ and Generation of Byproduct at SiC Thermally Oxidized Interface
Author	Hirohisa Hirai (Univ. of Tokyo), *Koji Kita (Univ. of Tokyo/JST PRESTO)
ページ	pp. 133 - 136

P-9 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響
著者	*栗島一徳 (明大/NIMS), 生田目俊秀, 三苫伸彦, 木津たきお, 塚越一仁, 澤田朋実, 大井暁彦 (NIMS), 山本逸平 (NIMS/芝浦工大), 大石知司 (芝浦工大), 知京豊裕 (NIMS), 小椋厚志 (明大)
Title	Influence of Carbon on Physical and Electrical Properties of C-Doped InSiO Channel
Author	*Kazunori Kurishima (Meiji Univ./NIMS), Toshihide Nabatame, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Ippei Yamamoto, Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページ	pp. 137 - 140

P-10 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	酸化の進行に伴うSiO₂/4H-SiC(000-1)界面構造の変化
著者	*笹子知弥, 山堀俊太, 野平博司 (東京都市大)
Title	Changes in the SiO₂/4H-SiC(000-1) Interface Structure by the Progress of the Oxidation
Author	*Tomoya Sasago, Shunta Yamahori, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 141 - 144

P-11 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	Deal-Groveモデルを用いたSiC熱酸化機構の解析
著者	*名越政仁, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Investigation of SiC Thermal Oxidation Organization by Deal-Grove Model
Author	*Masahito Nagoshi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 145 - 148

P-12 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	次世代窒化ガリウム系デバイスのためのラジカル励起MOCVDによるGaN-ヘテロエピタキシャル成長に関する研究
著者	*盧翌, 岩本一希, 小田修, 石川健治, 近藤博基, 関根誠, 堀勝 (名大)
Title	Study on Hetero-Epitaxial Growth of GaN Using Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition for Future Gallium Nitride Devices
Author	*Yi Lu, Kazuki Iwamoto, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 149 - 152

P-13 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	ラジカル励起MOCVD法によるGaNホモエピタキシャル成長に関する研究
著者	*岩本一希, 盧翌, 小田修, 近藤博基, 石川健治, 関根誠, 堀勝 (名大)
Title	Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN Using Radical-Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Author	*Kazuki Iwamoto, Yi Lu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 153 - 156

P-14 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	SiC熱酸化膜の深さ方向密度分布
著者	*林真理子, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Depth Profile of Density of Thermal Oxide Film on SiC
Author	*Mariko Hayashi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 157 - 160

P-15 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
著者	*岡本大, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 米澤喜幸 (産総研), 矢野裕司 (筑波大)
Title	Fabrication of High Mobility 4H-SiC MOSFETs by B Incorporation and Characterization of Interface Traps
Author	*Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Yoshiyuki Yonezawa (AIST), Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 161 - 164

P-16 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	NF₃添加酸化でC面上に作製した4H-SiC MOSの電気特性
著者	*花里耕平, 名越政仁, 蓮沼隆, 山部紀久夫 (筑波大)
Title	Electrical Characteristics of 4H-SiC MOS Fabricated on C-Face in NF₃-Added O₂ Ambient
Author	*Kohei Hanasato, Masahito Nagoshi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページ	pp. 165 - 168

P-17 (新分野 (新材料，パワーデバイス，その他))

題名	SiC(0001) Si面熱分解グラフェン形成の制御指針
著者	*影島博之 (島根大), 日比野浩樹, 山口浩司 (NTT), 永瀬雅夫 (徳島大)
Title	Guiding Principle for Controlling Epitaxial Graphene Grown on SiC(0001) Si-Face
Author	*Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi (NTT), Masao Nagase (Univ. of Tokushima)
ページ	pp. 169 - 172

P-18 (ゲート絶縁膜)

題名	High-k/SiO₂界面のダイポール層がチャネル垂直方向電界に与える影響
著者	*志村昂亮, 橋口誠広, 功刀遼太 (早大), 小椋厚志 (明大/JST CREST), 佐藤真一 (兵庫県立大), 渡邉孝信 (早大/JST CREST)
Title	Effect of the Dipole Layer at High-k/SiO₂ Interface on the Vertical Field in MOS Channel
Author	*Kosuke Shimura, Masahiro hashiguchi, Ryota Kunugi (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ./JST CREST), Shinichi Satoh (Univ. of Hyogo/JST CREST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 173 - 176

P-19 (ゲート絶縁膜)

題名	PLD法を用いた結晶性La₂O₃ ゲート絶縁膜/Ge構造の作製
著者	*金島岳, 梶原康裕, 銭高真人, 山田晋也, 浜屋宏平 (阪大)
Title	Direct Growth of Crystalline La₂O₃ Gate-Insulator Films on Ge by PLD
Author	*Takeshi Kanashima, Yasuhiro Kajihara, Masato Zenitaka, Shinya Yamda, Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページ	pp. 177 - 180

P-20 (ゲート絶縁膜)

題名	TMA/H₂O-ALD法によるRutile-TiO₂膜へ酸素欠損の形成による電気特性
著者	*山本逸平 (芝浦工大/NIMS), 生田目俊秀, 澤田朋実 (NIMS/JST CREST), 大井暁彦 (NIMS), 栗島一徳 (明大), Thang Duy Dao (NIMS/JST CREST/NAIST), 長尾忠昭, 知京豊裕 (NIMS), 小椋厚志 (明大), 大石知司 (芝浦工大)
Title	Electrical Properties of Oxgen Vacancy in Rutile-TiO₂ Films Introduced by TMA/H₂O-ALD Process
Author	*Ippei Yamamoto (Shibaura Inst. of Tech./NIMS), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada (NIMS/JST CREST), Akihiko Ohi (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Thang Duy Dao (NIMS/JST CREST/NAIST), Tadaaki Nagao, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページ	pp. 181 - 184

P-21 (ゲート絶縁膜)

題名	GeO₂薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
著者	*柴山茂久 (名大/日本学術振興会特別研究員), 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明 (名大)
Title	Improvement on Chemical Stability of GeO₂ Thin Film by Formation of Tetragonal-Phase
Author	*Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ./Research Fellow of Japan Society for the Promotion Science), Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページ	pp. 185 - 188

P-22 (ゲート絶縁膜)

題名	Ge上ルチル型TiO₂ High-k層へのYドープ濃度の依存性に関する研究
著者	*鈴木良尚 (明大/NIMS), 長田貴弘, 山下良之, Chinnamuthu Paulsamy (NIMS), 小橋和義 (明大), 生田目俊秀 (NIMS), 小椋厚志 (明大), 知京豊裕 (NIMS)
Title	Influence of Y Doping for Rutil Type TiO₂ on Ge
Author	*Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ./NIMS), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Chinnamuthu Paulsamy (NIMS), Kazuyoshi Kobashi (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページ	pp. 189 - 192

P-23 (ゲート絶縁膜)

題名	RE-ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理と酸素ラジカル照射の効果
著者	*梁池昂生, 横平知也, 山田大地, 王谷洋平 (諏訪東京理科大), 柳炳學, 関渓太, 佐藤哲也 (山梨大), 福田幸夫 (諏訪東京理科大)
Title	Effects of Thermal Annealing and Oxygen Radical Irradiation on the Electrical Properties of RE-ALD-Grown Al₂O₃/GeO₂/p-Ge Structure
Author	*Kosei Yanachi, Tomoya Yokohira, Daichi Yamada, Yohei Otani (Tokyo Univ. of Science, Suwa), Byeonghak Yoo, Keita Seki, Tetsuya Sato (Univ. of Yamanashi), Yukio Fukuda (Tokyo Univ. of Science, Suwa)
ページ	pp. 193 - 196

P-24 (高移動度化技術・新構造ゲートスタック)

題名	高空間分解能HXPESによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出
著者	*山堀俊太, 笹子知弥, 櫻井拓也, 米倉瑛介, 澤野憲太郎 (東京都市大), 池永英司 (高輝度光科学研究センター), 野平博司 (東京都市大)
Title	Detection of Effect of Strain and Composition on the Valence Band of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution
Author	*Shunta Yamahori, Tomoya Sasago, takuya Sakurai, Eisuke Yonekura, Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Eiji Ikenaga (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 197 - 200

P-25 (高移動度化技術・新構造ゲートスタック)

題名	GeおよびGe_1-xSn_xのMOCVD法によるエピタキシャル成長
著者	*須田耕平, 木嶋隆浩, 石原聖也, 澤本直美 (明大), 町田英明, 石川真人, 須藤弘 (気相成長), 大下祥雄 (豊田工大), 小椋厚志 (明大)
Title	Epitaxial Growth of Ge and Ge_1-xSn_x by MOCVD
Author	*Kohei Suda, Takahiro Kijima, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh (Gas-phase Growth), Yoshio Ohshita (Toyota Technological Institute), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページ	pp. 201 - 204

P-26 (ゲートスタック形成技術)

題名	原子状水素アニールによるpoly-Ge/SiO₂界面特性の改善
著者	*部家彰, 平野翔大, 草壁史, 松尾直人 (兵庫県立大)
Title	Improvement of Interface Property of Poly-Ge/SiO₂ by Atomic Hydrogen Annealing
Author	*Akira Heya, Shota Hirano, Fumito Kusakabe, Naoto Matsuo (Univ. of Hyogo)
ページ	pp. 205 - 208

P-27 (シミュレーション)

題名	局所電気伝導率を用いたナノ材料の物性解析
著者	*田川啓太郎, 埜崎寛雄, 瀬波大土, 立花明知 (京大)
Title	Analysis of Nanomaterials with Local Electrical Conductivity
Author	*Keitaro Tagawa, Hiroo Nozaki, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 209 - 212

P-28 (シミュレーション)

題名	酸化膜被覆型SiナノワイヤにおけるNi合金化プロセスの分子動力学的解析
著者	*橋本修一郎, 木谷哲, 図師知文, 渡邉孝信 (早大)
Title	Molecular Dynamics Simulation of Nickel Silicidation Process in Si/SiO₂ Core-shell Nanowires
Author	*Shuichiro Hashimoto, Tetsu Kitani, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページ	pp. 213 - 216

P-29 (シミュレーション)

題名	電場下での金属原子の拡散：金属/SiO₂界面についての第一原理的論検討
著者	*桧山正晃, 中山隆史 (千葉大)
Title	Diffusion of Metal Atoms in Electric Field: First-Principles Study of Metal/SiO₂ Interfaces
Author	*Masaaki Hiyama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページ	pp. 217 - 220

P-30 (シミュレーション)

題名	局所スピン物理量によるスピントロニクスデバイスの物性解析方法
著者	*福田将大, 瀬波大土, 市川和秀, 立花明知 (京大)
Title	An Analysis Method for Physical Properties of Spintronics Devices by Local Spin Physical Quantities
Author	*Masahiro Fukuda, Masato Senami, Kazuhide Ichikawa, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページ	pp. 221 - 224

2015年1月29日(木)

セッション S 第20回記念特別講演
日時: 2015年1月29日(木) 19:00 - 22:00

S-1 (時間: 19:00 - 20:30)

題名	(特別講演) 新しい科学技術立国の創生に向けて思う事
著者	*安田幸夫 (東北大)
Title	(Special Speech)
Author	*Yukio Yasuda (Tohoku Univ.)
ページ	pp. 225 - 242

S-2 (時間: 20:30 - 22:00)

題名	(特別講演) 本研究会発足の背景と経緯
著者	*服部健雄 (東京都市大)
Title	(Special Speech)
Author	*Takeo Hattori (Tokyo City Univ.)
ページ	pp. 243 - 267

「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第20回研究会) プログラム

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