(トップページへ)

「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」 (第20回研究会)
プログラム


プログラム:   非分割版
著者索引:   HERE

セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています.

2015年1月29日(木)

S  第20回記念特別講演
19:00 - 22:00

2015年1月30日(金)

開会の挨拶 (メイン会場)
9:00 - 9:10
1  基調講演 高移動度化技術・新構造ゲートスタック
9:10 - 11:05
コーヒーブレイク (ロビー)
11:05 - 11:25
2  信頼性・ゆらぎ
11:25 - 12:25
昼休憩 (食堂)
12:25 - 13:25
3  新分野 (新材料,パワーデバイス,その他)
13:25 - 14:35
コーヒーブレイク (ロビー)
14:35 - 14:55
4  信頼性・ゆらぎ・ゲート絶縁膜
14:55 - 15:55
休憩
15:55 - 16:00
T  チュートリアル
16:00 - 17:30
休憩・移動
17:30 - 17:45
懇親会
17:45 - 19:45
休憩・移動
19:45 - 20:00
P  ポスターセッション
20:00 - 22:00
ナイトセッション (B棟3F,4F,5Fラウンジ)
22:00 - 24:00

2015年1月31日(土)

5  基調講演◆評価・基礎物性、新分野
8:40 - 10:30
コーヒーブレイク (ロビー)
10:30 - 10:50
6  評価・基礎物性
10:50 - 12:00
昼休憩 (食堂)
12:00 - 13:00
7  メモリ技術、ゲート絶縁膜
13:00 - 14:30
コーヒーブレイク (ロビー)
14:30 - 15:00
8  招待講演、評価・基礎物性、シミュレーション、新分野
15:00 - 16:30
安田賞・服部賞 表彰式 (メイン会場)
16:30 - 16:50
最優秀ポスター講演 (メイン会場)
16:50 - 17:00
閉会 (メイン会場)
17:00 - 17:10


論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2015年1月29日(木)


2015年1月30日(金)

セッション 1  基調講演 高移動度化技術・新構造ゲートスタック
日時: 2015年1月30日(金) 9:10 - 11:05

1-1 (時間: 9:10 - 10:00)
題名(基調講演) 三次元集積化技術の現状と今後の展望
著者*小柳 光正 (東北大)
Title(Keynote Speech) Present Situation and Future Prospect of 3D Integration Technology
Author*Mitsumasa Koyanagi (Tohoku Univ.)
ページpp. 1 - 4

1-2 (時間: 10:00 - 10:45)
Title(Invited Speech) High-k/Metal Gate Innovations in FinFET Era
Author*Takashi Ando (IBM)
ページpp. 5 - 6

1-3 (時間: 10:45 - 11:05)
題名FLA法を用いて作製した高性能多結晶Ge tri-gate p-/n-MOSFETの実証
著者*臼田 宏治, 鎌田 善己, 上牟田 雄一, 森 貴洋, 小池 正浩, 手塚 勉 (産総研)
TitleHigh Performance Tri-Gate Poly-Ge Junction-Less P- and N-MOSFETs Fabricated by Flash Lamp Annealing Process
Author*Koji Usuda, Yoshiki Kamata, Yuuichi Kamimuta, Takahiro Mori, Masahiro Koike, Tstutomu Tezuka (AIST)
ページpp. 7 - 10


セッション 2  信頼性・ゆらぎ
日時: 2015年1月30日(金) 11:25 - 12:25

2-1 (時間: 11:25 - 11:45)
題名微細径ナノワイヤトランジスタにおける信頼性測定
著者*太田 健介, 田中 千加, 沼田 敏典, 松下 大介, 齋藤 真澄 (東芝)
TitleReliability of Tri-Gate Nanowire MOSFET
Author*Kensuke Ota, Chika Tanaka, Toshinori Numata, Daisuke Matsushita, Masumi Saitoh (Toshiba)
ページpp. 11 - 14

2-2 (時間: 11:45 - 12:05)
題名TDDBにおける多結晶HfO2膜の優位性
著者*戸村 有佑, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大), 右田 真司 (産総研)
TitleThe Advantage of Polycrystalline HfO2 Films in Terms of TDDB
Author*Yusuke Tomura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba), Shinji Migita (AIST)
ページpp. 15 - 18

2-3 (時間: 12:05 - 12:25)
TitleA Study on Random Telegraph Signal Noise Characteristics in Ultra-Thin Gate Dielectrics Based on 1nm EOT (110) MOSFETs
Author*Jiezhi Chen, Yuichiro Mitani (Toshiba)
ページpp. 19 - 22


セッション 3  新分野 (新材料,パワーデバイス,その他)
日時: 2015年1月30日(金) 13:25 - 14:35

3-1 (時間: 13:25 - 13:55)
題名(招待講演) GaNトランジスタへの期待と展望
著者*葛原 正明, Joel Asubar, 徳田 博邦 (福井大)
Title(Invited Speech) Status and Prospects of GaN-based Power Transistors
Author*Masaaki Kuzuhara, Joel Asubar, Hirokuni Tokuda (Univ. of Fukui)
ページpp. 23 - 26

3-2 (時間: 13:55 - 14:15)
題名高温高圧水蒸気を用いた熱処理によるGaN系MIS構造の絶縁膜及び界面特性の向上
著者*吉嗣 晃治, 堀田 昌宏, 石河 泰明, 浦岡 行治 (NAIST)
TitleImprovement of Insulating and Interface Properties of GaN-Based MIS Structures by Annealing in High Temperature and High Pressure Water Vapor
Author*Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka (NAIST)
ページpp. 27 - 30

3-3 (時間: 14:15 - 14:35)
TitleUnderstanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
Author*Atthawut Chanthaphan (Osaka Univ.), Yuki Nakano, Takashi Nakamura (ROHM), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 31 - 34


セッション 4  信頼性・ゆらぎ・ゲート絶縁膜
日時: 2015年1月30日(金) 14:55 - 15:55

4-1 (時間: 14:55 - 15:15)
題名4H-SiCにおけるステップバンチング上の酸化膜絶縁破壊機構
著者*毛利 友紀, 松村 三江子, 濱村 浩孝, 峰 利之, 島 明生, 山田 廉一, 嶋本 泰洋 (日立)
TitleMechanism of Dielectric Breakdown in Oxide at the Step-Bunching on 4H-SiC
Author*Yuki Mori, Mieko Matsumura, Hirotaka Hamamura, Toshiyuki Mine, Akio Shima, Renichi Yamada, Yasuhiro Shimamoto (Hitachi)
ページpp. 35 - 38

4-2 (時間: 15:15 - 15:35)
題名SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討
著者*白川 裕規 (筑波大), 洗平 昌晃 (名大), 神谷 克政 (神奈川工科大), 渡部 平司 (阪大), 白石 賢二 (名大)
TitleFirst Principles Study of Proton Diffusion in SiO2 Dielectric Layer of SiC-MOSFET
Author*Hiroki Shirakawa (Univ. of Tsukuba), Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Katsumasa Kamiya (Center for Basic Education and Integrated Learning), Heiji Watanabe (Osaka Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 39 - 42

4-3 (時間: 15:35 - 15:55)
TitleKinetic Studying of SiO2-IL Scavenging in HfO2/SiO2/Si Stack
Author*Xiuyan Li, Takeaki Yajima, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 43 - 46


セッション T  チュートリアル
日時: 2015年1月30日(金) 16:00 - 17:30

T-1 (時間: 16:00 - 17:30)
題名役に立つMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)
著者*江刺 正喜 (東北大)
TitleUseful MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)
Author*Masayoshi Esashi (Tohoku Univ.)



2015年1月31日(土)

セッション 5  基調講演◆評価・基礎物性、新分野
日時: 2015年1月31日(土) 8:40 - 10:30

5-1 (時間: 8:40 - 9:30)
題名(基調講演) 新しいIV族系半導体材料の開発と界面制御
著者*財満 鎮明 (名大)
Title(Keynote Speech) Development of New Group-IV Semiconductor Materials and Contorol of Its Interface
Author*Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 47 - 50

5-2 (時間: 9:30 - 9:50)
題名電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造
著者*株柳 翔一, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大/JST CREST)
TitleElectronic Structure Modulation Caused by Carrier Density and Interface Boundary Condition of Germanium
Author*Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/JST CREST)
ページpp. 51 - 54

5-3 (時間: 9:50 - 10:10)
題名金属/Ge界面における点欠陥の理論: MIGSの役割に関する第一原理的検討
著者*佐々木 奨悟, 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheory of Point Defects at Metal/Ge Interfaces: First-Principles-Study on MIGS Effects
Author*Shogo Sasaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 55 - 58

5-4 (時間: 10:10 - 10:30)
題名Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
著者*鈴木 陽洋, 云生 (名大), 柴山 茂久, 黒澤 昌志 (名大/日本学術振興会特別研究員), 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleAlleviation of Fermi Level Pinning and Reduction of Schottky Barrier Height at Sn/Ge Contact
Author*Akihiro Suzuki, Yunsheng Deng (Nagoya Univ.), Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./Research Fellow of Japan Society for the Promotion Science), Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 59 - 62


セッション 6  評価・基礎物性
日時: 2015年1月31日(土) 10:50 - 12:00

6-1 (時間: 10:50 - 11:20)
題名(招待講演) デバイス動作下硬X線光電子分光法による半導体素子の界面評価
著者*山下 良之 (NIMS)
Title(Invited Speech) Bias Voltage Dependent Interface Properties Obtained from Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation
Author*Yoshiyuki Yamashita (NIMS)
ページpp. 63 - 66

6-2 (時間: 11:20 - 11:40)
題名硬X線光電子分光法によるCu/HfO2-ReRAM素子動作時の界面構造解析
著者*長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, 呉 承俊, 知京 豊裕 (NIMS)
TitleBias Application Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of Cu/HfO2 ReRAM Structure
Author*Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページpp. 67 - 70

6-3 (時間: 11:40 - 12:00)
題名横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術
著者*天本 隆史, 冨永 幸平, 梶村 恵子, 松江 将博, 細井 卓治, 志村 孝功, 渡部 平司 (阪大)
TitlePhotoluminescence Study of Band Gap Modulation of GeSn Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author*Takashi Amamoto, Kouhei Tominaga, Keiko Kajimura, Masahiro Matsue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 71 - 74


セッション 7  メモリ技術、ゲート絶縁膜
日時: 2015年1月31日(土) 13:00 - 14:30

7-1 (時間: 13:00 - 13:30)
題名(招待講演) 抵抗変化メモリReRAM: 抵抗スイッチ効果の制御とメモリ技術開発
著者*島 久氏, 秋永 広幸 (産総研)
Title(Invited Speech) Resistive Random Access Memory (ReRAM): Control of Resistive Switching Phenomenon and Development of Memory Technology
Author*Hisashi SHIMA, Hiroyuki Akinaga (AIST)
ページpp. 75 - 78

7-2 (時間: 13:30 - 13:50)
題名第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討
著者*高戸 真之 (名大), 白川 裕規 (筑波大), 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大)
TitleFirst Principles Examination of the Switching Mechanism of the Phase Change Memory (TRAM) Using Superlattice GeTe/Sb2Te3
Author*Masayuki Takato (Nagoya Univ.), Hiroki Shirakawa (Tsukuba Univ.), Masaaki Araidai, Kenzi Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 79 - 82

7-3 (時間: 13:50 - 14:10)
題名ナノ粒子埋込V溝型 Junction-less FETにおけるメモリ効果発現と評価
著者*番 貴彦, 上沼 睦典 (NAIST), 右田 真司 (産総研), 岡本 尚文, 石河 泰明, 山下 一郎, 浦岡 行治 (NAIST)
TitleMemory Effect of Metal Nanoparticle Embedded V-Groove Junctionless-FET
Author*Takahiko Ban, Mutsunori Uenuma (NAIST), Shinji Migita (AIST), Naohumi Okamoto, Yasuaki Ishikawa, Ichiro Yamashita, Yukiharu Uraoka (NAIST)
ページpp. 83 - 86

7-4 (時間: 14:10 - 14:30)
TitleCritical Roles of Doped-Metal Cation in GeO2 for Gate Stack Formation on Ge
Author*Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/JST CREST)
ページpp. 87 - 90


セッション 8  招待講演、評価・基礎物性、シミュレーション、新分野
日時: 2015年1月31日(土) 15:00 - 16:30

8-1 (時間: 15:00 - 15:30)
題名(招待講演) 蛍石型構造強誘電体薄膜とその作製
著者*舟窪 浩, 清水 荘雄 (東工大)
Title(Invited Speech) Preparation of Florite-Structure Ferroelectric Thin Films and Their Characterization
Author*Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 91 - 92

8-2 (時間: 15:30 - 15:50)
題名超平坦SiC表面上へのプラズマ酸化を援用した低ピット密度グラフェンの形成
著者*有馬 健太, 齋藤 直樹, 森 大地, 川合 健太郎, 佐野 泰久, 山内 和人, 森田 瑞穂 (阪大)
TitleFormation of Pit-Free Graphene Assisted by Plasma Oxidation on Flattened SiC Surface
Author*Kenta Arima, Naoki Saito, Daichi Mori, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi, Mizuho Morita (Osaka Univ.)
ページpp. 93 - 96

8-3 (時間: 15:50 - 16:10)
題名希土類酸化物の電子状態
著者*濱田 智之 (日立), 大野 隆央 (NIMS/東大)
TitleElectronic Structure of Lanthanide Oxide
Author*Tomoyuki Hamada (Hitachi), Takahisa Ohno (NIMS/Univ. of Tokyo)
ページpp. 97 - 100

8-4 (時間: 16:10 - 16:30)
題名非線形応答する誘電体をトランジスタのゲート絶縁膜に活用するための材料設計指針
著者*太田 裕之, 右田 真司 (産総研/JST CREST), 福田 浩一 (産総研), 鳥海 明 (東大/JST CREST)
TitleA Material Design on Metal-Oxide-Semiconductor Electric-Field Transistors Utilizing Gate Insulator with Nonlinearly Electric-Field-Dependent Permittivity
Author*Hiroyuki Ota, Shinji Migita (AIST/CREST, JST), Koich Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo/CREST, JST)
ページpp. 101 - 104



2015年1月30日(金)

セッション P  ポスターセッション
日時: 2015年1月30日(金) 20:00 - 22:00

P-1 (評価・基礎物性)
題名Si中の等価電複合不純物の電子状態に関する第一原理計算
著者*飯塚 将太, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-Principles Calculation of Electronic Properties of Isoelectronic Impurity Complex in Si TFET
Author*Shota Iizuka, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 105 - 108

P-2 (評価・基礎物性)
題名SiO2/Si界面の結晶性劣化によるSiナノワイヤのNi化速度の上昇
著者*武井 康平, 小杉山 洋希, 橋本 修一郎, ソン セイ, 麻田 修平, 徐 泰宇, 若水 昂 (早大), 今井 亮佑, 徳武 寛紀, 富田 基裕, 小椋 厚志 (明大), 松川 貴, 昌原 明植 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEnhancement of Nickelidation Rate of Si Nanowire by Crystal Disorder at SiO2/Si Interface
Author*Kohei Takei, Hiroki Kosugiyama, Shuichiro Hashimoto, Jing Sun, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Takashi Wakamizu (Waseda Univ.), Ryosuke Imai, Hiroki Tokutake, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 109 - 112

P-3 (評価・基礎物性)
TitleEmpirical Potential Profile Model for Unusual Energy Separation of Hole Subbands in Si (111)
Author*Nur Idayu Ayob, Sakura N. Takeda, Takeshi J. Inagaki, Hiroshi Daimon (NAIST)
ページpp. 113 - 116

P-4 (評価・基礎物性)
題名金属/Ge界面での偏析によるショットキーバリア変調の第一原理計算
著者*恩田 由紀子, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-Principles Calculation of Segregation-Induced Schottky-Barrier Modulation at Metal/Ge Interfaces
Author*Yukiko Onda, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 117 - 120

P-5 (評価・基礎物性)
題名角度分解光電子分光(APRES)を用いたBi吸着Ge(001)表面のバンド分散構造
著者*入江 広一郎, 武田 さくら, 坂田 智裕, Artoni Kevin Roquero Ang, 竹内 克行, 中尾 敏臣, 桃野 浩樹, 前田 昂平, 大門 寛 (NAIST)
TitleBand Dispersion of Bi-Absorped Ge(001) Surface by Angularly Resolved Photoelectron Spectroscopy
Author*Kouichirou Irie, Sakura N. Takeda, Tomohiro Sakata, Artoni Kevin Roquero Ang, Katsuyuki Takeuchi, Harushige Nakao, Hiroki Momono, Kouhei Maeda, Hiroshi Daimon (NAIST)
ページpp. 121 - 124

P-6 (メモリ技術)
題名Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響
著者*大井 暁彦 (NIMS), 生田目 俊秀 (NIMS/JST CREST), 伊藤 和博, 高橋 誠 (阪大), 知京 豊裕 (NIMS)
TitleInfluence of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3-Blocking Interface on the Flatband Voltage Shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 Charge Trap Capacitors
Author*Akihiko Ohi (NIMS), Toshihide Nabatame (NIMS/JST CREST), Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi (Osaka Univ.), Toyohiro Chikyo (NIMS)
ページpp. 125 - 128

P-7 (メモリ技術)
題名Si-rich 酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響
著者*荒井 崇, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleImpact of Embedded Mn Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides as Measured in Ni-Electrodes MIM Diodes
Author*Takashi Arai, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 129 - 132

P-8 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名赤外分光法によるSiC熱酸化膜界面におけるSiO2構造変化と副生成物形成の観察
著者平井 悠久 (東大), *喜多 浩之 (東大/JST PRESTO)
TitleFTIR Study on Structural Change of SiO2 and Generation of Byproduct at SiC Thermally Oxidized Interface
AuthorHirohisa Hirai (Univ. of Tokyo), *Koji Kita (Univ. of Tokyo/JST PRESTO)
ページpp. 133 - 136

P-9 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響
著者*栗島 一徳 (明大/NIMS), 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦 (NIMS), 山本 逸平 (NIMS/芝浦工大), 大石 知司 (芝浦工大), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleInfluence of Carbon on Physical and Electrical Properties of C-Doped InSiO Channel
Author*Kazunori Kurishima (Meiji Univ./NIMS), Toshihide Nabatame, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Ippei Yamamoto, Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 137 - 140

P-10 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名酸化の進行に伴うSiO2/4H-SiC(000-1)界面構造の変化
著者*笹子 知弥, 山堀 俊太, 野平 博司 (東京都市大)
TitleChanges in the SiO2/4H-SiC(000-1) Interface Structure by the Progress of the Oxidation
Author*Tomoya Sasago, Shunta Yamahori, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 141 - 144

P-11 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名Deal-Groveモデルを用いたSiC熱酸化機構の解析
著者*名越 政仁, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleInvestigation of SiC Thermal Oxidation Organization by Deal-Grove Model
Author*Masahito Nagoshi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 145 - 148

P-12 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名次世代窒化ガリウム系デバイスのためのラジカル励起MOCVDによるGaN-ヘテロエピタキシャル成長に関する研究
著者*盧 翌, 岩本 一希, 小田 修, 石川 健治, 近藤 博基, 関根 誠, 堀 勝 (名大)
TitleStudy on Hetero-Epitaxial Growth of GaN Using Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition for Future Gallium Nitride Devices
Author*Yi Lu, Kazuki Iwamoto, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya Univ.)
ページpp. 149 - 152

P-13 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名ラジカル励起MOCVD法によるGaNホモエピタキシャル成長に関する研究
著者*岩本 一希, 盧 翌, 小田 修, 近藤 博基, 石川 健治, 関根 誠, 堀 勝 (名大)
TitleStudy on Homo-Epitaxial Growth of GaN Using Radical-Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Author*Kazuki Iwamoto, Yi Lu, Osamu Oda, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, Masaru Hori (Nagoya Univ.)
ページpp. 153 - 156

P-14 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名SiC熱酸化膜の深さ方向密度分布
著者*林 真理子, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleDepth Profile of Density of Thermal Oxide Film on SiC
Author*Mariko Hayashi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 157 - 160

P-15 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
著者*岡本 大, 染谷 満, 原田 信介, 小杉 亮治, 米澤 喜幸 (産総研), 矢野 裕司 (筑波大)
TitleFabrication of High Mobility 4H-SiC MOSFETs by B Incorporation and Characterization of Interface Traps
Author*Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Yoshiyuki Yonezawa (AIST), Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 161 - 164

P-16 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名NF3添加酸化でC面上に作製した4H-SiC MOSの電気特性
著者*花里 耕平, 名越 政仁, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleElectrical Characteristics of 4H-SiC MOS Fabricated on C-Face in NF3-Added O2 Ambient
Author*Kohei Hanasato, Masahito Nagoshi, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 165 - 168

P-17 (新分野 (新材料,パワーデバイス,その他))
題名SiC(0001) Si面熱分解グラフェン形成の制御指針
著者*影島 博之 (島根大), 日比野 浩樹, 山口 浩司 (NTT), 永瀬 雅夫 (徳島大)
TitleGuiding Principle for Controlling Epitaxial Graphene Grown on SiC(0001) Si-Face
Author*Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi (NTT), Masao Nagase (Univ. of Tokushima)
ページpp. 169 - 172

P-18 (ゲート絶縁膜)
題名High-k/SiO2界面のダイポール層がチャネル垂直方向電界に与える影響
著者*志村 昂亮, 橋口 誠広, 功刀 遼太 (早大), 小椋 厚志 (明大/JST CREST), 佐藤 真一 (兵庫県立大), 渡邉 孝信 (早大/JST CREST)
TitleEffect of the Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface on the Vertical Field in MOS Channel
Author*Kosuke Shimura, Masahiro hashiguchi, Ryota Kunugi (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ./JST CREST), Shinichi Satoh (Univ. of Hyogo/JST CREST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 173 - 176

P-19 (ゲート絶縁膜)
題名PLD法を用いた結晶性La2O3 ゲート絶縁膜/Ge構造の作製
著者*金島 岳, 梶原 康裕, 銭高 真人, 山田 晋也, 浜屋 宏平 (阪大)
TitleDirect Growth of Crystalline La2O3 Gate-Insulator Films on Ge by PLD
Author*Takeshi Kanashima, Yasuhiro Kajihara, Masato Zenitaka, Shinya Yamda, Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページpp. 177 - 180

P-20 (ゲート絶縁膜)
題名TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性
著者*山本 逸平 (芝浦工大/NIMS), 生田目 俊秀, 澤田 朋実 (NIMS/JST CREST), 大井 暁彦 (NIMS), 栗島 一徳 (明大), Thang Duy Dao (NIMS/JST CREST/NAIST), 長尾 忠昭, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleElectrical Properties of Oxgen Vacancy in Rutile-TiO2 Films Introduced by TMA/H2O-ALD Process
Author*Ippei Yamamoto (Shibaura Inst. of Tech./NIMS), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada (NIMS/JST CREST), Akihiko Ohi (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Thang Duy Dao (NIMS/JST CREST/NAIST), Tadaaki Nagao, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 181 - 184

P-21 (ゲート絶縁膜)
題名GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
著者*柴山 茂久 (名大/日本学術振興会特別研究員), 吉田 鉄兵, 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleImprovement on Chemical Stability of GeO2 Thin Film by Formation of Tetragonal-Phase
Author*Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ./Research Fellow of Japan Society for the Promotion Science), Teppei Yoshida, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 185 - 188

P-22 (ゲート絶縁膜)
題名Ge上ルチル型TiO2 High-k層へのYドープ濃度の依存性に関する研究
著者*鈴木 良尚 (明大/NIMS), 長田 貴弘, 山下 良之, Chinnamuthu Paulsamy (NIMS), 小橋 和義 (明大), 生田目 俊秀 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS)
TitleInfluence of Y Doping for Rutil Type TiO2 on Ge
Author*Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ./NIMS), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Chinnamuthu Paulsamy (NIMS), Kazuyoshi Kobashi (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページpp. 189 - 192

P-23 (ゲート絶縁膜)
題名RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理と酸素ラジカル照射の効果
著者*梁池 昂生, 横平 知也, 山田 大地, 王谷 洋平 (諏訪東京理科大), 柳 炳學, 関 渓太, 佐藤 哲也 (山梨大), 福田 幸夫 (諏訪東京理科大)
TitleEffects of Thermal Annealing and Oxygen Radical Irradiation on the Electrical Properties of RE-ALD-Grown Al2O3/GeO2/p-Ge Structure
Author*Kosei Yanachi, Tomoya Yokohira, Daichi Yamada, Yohei Otani (Tokyo Univ. of Science, Suwa), Byeonghak Yoo, Keita Seki, Tetsuya Sato (Univ. of Yamanashi), Yukio Fukuda (Tokyo Univ. of Science, Suwa)
ページpp. 193 - 196

P-24 (高移動度化技術・新構造ゲートスタック)
題名高空間分解能HXPESによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出
著者*山堀 俊太, 笹子 知弥, 櫻井 拓也, 米倉 瑛介, 澤野 憲太郎 (東京都市大), 池永 英司 (高輝度光科学研究センター), 野平 博司 (東京都市大)
TitleDetection of Effect of Strain and Composition on the Valence Band of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution
Author*Shunta Yamahori, Tomoya Sasago, takuya Sakurai, Eisuke Yonekura, Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Eiji Ikenaga (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 197 - 200

P-25 (高移動度化技術・新構造ゲートスタック)
題名GeおよびGe1-xSnxのMOCVD法によるエピタキシャル成長
著者*須田 耕平, 木嶋 隆浩, 石原 聖也, 澤本 直美 (明大), 町田 英明, 石川 真人, 須藤 弘 (気相成長), 大下 祥雄 (豊田工大), 小椋 厚志 (明大)
TitleEpitaxial Growth of Ge and Ge1-xSnx by MOCVD
Author*Kohei Suda, Takahiro Kijima, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh (Gas-phase Growth), Yoshio Ohshita (Toyota Technological Institute), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 201 - 204

P-26 (ゲートスタック形成技術)
題名原子状水素アニールによるpoly-Ge/SiO2界面特性の改善
著者*部家 彰, 平野 翔大, 草壁 史, 松尾 直人 (兵庫県立大)
TitleImprovement of Interface Property of Poly-Ge/SiO2 by Atomic Hydrogen Annealing
Author*Akira Heya, Shota Hirano, Fumito Kusakabe, Naoto Matsuo (Univ. of Hyogo)
ページpp. 205 - 208

P-27 (シミュレーション)
題名局所電気伝導率を用いたナノ材料の物性解析
著者*田川 啓太郎, 埜崎 寛雄, 瀬波 大土, 立花 明知 (京大)
TitleAnalysis of Nanomaterials with Local Electrical Conductivity
Author*Keitaro Tagawa, Hiroo Nozaki, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページpp. 209 - 212

P-28 (シミュレーション)
題名酸化膜被覆型SiナノワイヤにおけるNi合金化プロセスの分子動力学的解析
著者*橋本 修一郎, 木谷 哲, 図師 知文, 渡邉 孝信 (早大)
TitleMolecular Dynamics Simulation of Nickel Silicidation Process in Si/SiO2 Core-shell Nanowires
Author*Shuichiro Hashimoto, Tetsu Kitani, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 213 - 216

P-29 (シミュレーション)
題名電場下での金属原子の拡散:金属/SiO2界面についての第一原理的論検討
著者*桧山 正晃, 中山 隆史 (千葉大)
TitleDiffusion of Metal Atoms in Electric Field: First-Principles Study of Metal/SiO2 Interfaces
Author*Masaaki Hiyama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 217 - 220

P-30 (シミュレーション)
題名局所スピン物理量によるスピントロニクスデバイスの物性解析方法
著者*福田 将大, 瀬波 大土, 市川 和秀, 立花 明知 (京大)
TitleAn Analysis Method for Physical Properties of Spintronics Devices by Local Spin Physical Quantities
Author*Masahiro Fukuda, Masato Senami, Kazuhide Ichikawa, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページpp. 221 - 224



2015年1月29日(木)

セッション S  第20回記念特別講演
日時: 2015年1月29日(木) 19:00 - 22:00

S-1 (時間: 19:00 - 20:30)
題名(特別講演) 新しい科学技術立国の創生に向けて思う事
著者*安田 幸夫 (東北大)
Title(Special Speech)
Author*Yukio Yasuda (Tohoku Univ.)
ページpp. 225 - 242

S-2 (時間: 20:30 - 22:00)
題名(特別講演) 本研究会発足の背景と経緯
著者*服部 健雄 (東京都市大)
Title(Special Speech)
Author*Takeo Hattori (Tokyo City Univ.)
ページpp. 243 - 267