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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第21回研究会)
プログラム


プログラム:   非分割版
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セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています.

2016年1月21日(木)

T  チュートリアル
20:00 - 21:35

2016年1月22日(金)

開会の挨拶
9:00 - 9:10
1  Germanium (特別基調講演, 招待講演 
9:10 - 11:05
休憩 (ロビー)
11:05 - 11:25
2  SiSn, GeSn
11:25 - 12:25
昼休憩 (食堂)
12:25 - 13:25
3  新しい集積回路 (基調講演 ⊂径垤岷薛◆
13:25 - 15:05
コーヒーブレーク (ロビー)
15:05 - 15:20
4  企画セッション「新領域開拓に向けた低温化プロセスの推進と新機能の創成」(15:20〜15:30: 「イントロダクトリートーク」松下大介(東芝))
15:20 - 18:00
休憩・移動
18:00 - 18:15
懇親会
18:15 - 20:15
休憩・移動
20:15 - 20:30
P  ポスターセッション
20:30 - 22:30

2016年1月23日(土)

5  信頼性・ゆらぎ (基調講演◆⊂径垤岷薛)
8:30 - 10:30
コーヒーブレーク (ロビー)
10:30 - 10:50
6  光と電子(招待講演)/新機能物質
10:50 - 12:00
昼休憩 (食堂)
12:00 - 13:10
7  パワーデバイス(招待講演ァ
13:10 - 15:00
休憩 (ロビー)
15:00 - 15:30
8  新技術
15:30 - 16:30
休憩 (ロビー)
16:30 - 16:45
安田賞・服部賞 表彰式 (メイン会場)
16:45 - 17:05
最優秀ポスター講演 (メイン会場)
17:05 - 17:15
閉会 (メイン会場)
17:15 - 17:25


論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2016年1月21日(木)

セッション T  チュートリアル
日時: 2016年1月21日(木) 20:00 - 21:35

T-1 (時間: 20:00 - 21:35)
題名熱酸化SiO2膜の信頼性−わかったこと、わからないこと、そして、伝えたいこと
著者*山部 紀久夫 (筑波大)
TitleReliability of Thermally Grown SiO2
Author*Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)



2016年1月22日(金)

セッション 1  Germanium (特別基調講演, 招待講演 
日時: 2016年1月22日(金) 9:10 - 11:05

1-1 (時間: 9:10 - 9:55)
Title(Special Speech) Strained Germanium Quantum Well p-FinFETs Fabricated on 45nm Fin Pitch Using Replacement Metal Gate and Germanide-Free Local Interconnect
Author*Liesbeth Witters (IMEC)
ページpp. 1 - 4

1-2 (時間: 9:55 - 10:15)
題名原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性
著者*兼松 正行, 柴山 茂久, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleFormation of GeO2/Ge Interface Prepared by Using Atomic Layer Deposition and Influence of Deposition Temperature on Defects at the Interface
Author*Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 5 - 8

1-3 (時間: 10:15 - 10:35)
題名水中で酸素還元触媒と接触したGe表面のエッチング特性と平坦化への応用
著者*中出 和希, 森 大地, 川瀬 達也, 川合 健太郎, 佐野 泰久, 山内 和人, 森田 瑞穂, 有馬 健太 (阪大)
TitleEtching Properties of Ge Surfaces in Contact with Oxygen Reduction Catalyst in Water and Its Application to Surface Flattening
Author*Kazuki Nakade, Daichi Mori, Tatsuya Kawase, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi, Mizuho Morita, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページpp. 9 - 12

1-4 (時間: 10:35 - 11:05)
題名(招待講演) 知っておくと得するゲルマニウム制御の三つの基本
著者*鳥海 明 (東大)
Title(Invited Speech) Three Engineering Knobs for Controlling Ge Gate Stack Technology
Author*Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 13 - 16


セッション 2  SiSn, GeSn
日時: 2016年1月22日(金) 11:25 - 12:25

2-1 (時間: 11:25 - 11:45)
題名Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
著者*長江 祐樹, 柴山 茂久, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 中塚 理, 白石 賢二, 財満 鎭明 (名大)
TitleTheoretical and Experimental Analysis of Energy Band Structures of Si1-xSnx Semiconductor
Author*Yuki Nagae, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Osamu Nakatsuka, Kenji Shiraishi, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 17 - 20

2-2 (時間: 11:45 - 12:05)
題名界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
著者*吉川 勲, 黒澤 昌志, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleInterfacial Energy Controlled Low-Temperature Crystallization of GeSn Thin Films on Insulators
Author*Isao Yoshikawa, Masashi Kurosawa, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 21 - 24

2-3 (時間: 12:05 - 12:25)
題名横方向液相エピタキシャル成長法によって作製したGeSn-on-insulatorの電気特性評価
著者*冨永 幸平, 岡 博史, 天本 隆史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleElectrical Property of GeSn on Insulator Layer Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author*Kohei Tominaga, Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 25 - 28


セッション 3  新しい集積回路 (基調講演 ⊂径垤岷薛◆
日時: 2016年1月22日(金) 13:25 - 15:05

3-1 (時間: 13:25 - 14:15)
題名(基調講演) スピントロニクス最前線 −集積回路応用を中心に−
著者*大野 英男 (東北大)
Title(Keynote Speech) Spintronics Materials and Devices for VLSI Applications
Author*Hideo Ohno (Tohoku Univ.)
ページpp. 29 - 30

3-2 (時間: 14:15 - 14:35)
題名磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析
著者*佐藤 創志, 本庄 弘明, 池田 正二, 大野 英男, 遠藤 哲郎, 丹羽 正昭 (東北大)
TitleCharacterization of Leakage Spot Density in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunneling Junction by Conductive AFM
Author*Soshi Sato, Hiroaki Honjo, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Testuo Endoh, Masaaki Niwa (Tohoku Univ.)
ページpp. 31 - 34

3-3 (時間: 14:35 - 15:05)
題名(招待講演) 薄膜デバイスの新しいアプリケーション −センシングデバイスとエレクトロニクス応用−
著者*木村 睦 (龍谷大)
Title(Invited Speech) Novel Application using Thin-Film Devices
Author*Mutsumi Kimura (Ryukoku Univ.)
ページpp. 35 - 38


セッション 4  企画セッション「新領域開拓に向けた低温化プロセスの推進と新機能の創成」(15:20〜15:30: 「イントロダクトリートーク」松下大介(東芝))
日時: 2016年1月22日(金) 15:20 - 18:00

4-1 (時間: 15:30 - 16:00)
題名(招待講演) バイオナノプロセスを用いた有機-無機複合ナノマテリアルの合成と応用
著者*井之上 一平 (味の素)
Title(Invited Speech) Application of Organic-Inorganic Hybrid Nano-Materials Produced by Bio Nano Process
Author*Ippei Inoue (Ajinomoto)
ページpp. 39 - 42

4-2 (時間: 16:00 - 16:30)
題名(招待講演) 原子拡散接合法によるウエハの室温接合技術とデバイス形成への応用
著者*島津 武仁 (東北大)
Title(Invited Speech) Room Temperature Bonding of Wafers Using Thin Metal Films and Its Application to Devices Fabrication
Author*Takehito Shimatsu (Tohoku Univ.)
ページpp. 43 - 46

4-3 (時間: 16:30 - 17:00)
題名(招待講演) ミストデポジション法と酸化物薄膜・半導体への応用
著者*藤田 静雄 (京大)
Title(Invited Speech) Mist Deposition Technology: Overview and Its Application to Oxide Thin Films and Semiconductors
Author*Shizuo Fujita (Kyoto Univ.)
ページpp. 47 - 50

4-4 (時間: 17:00 - 17:30)
題名(招待講演) TiO2チャネルトランジスタにおける移動度向上と室温イオン注入
著者*矢嶋 赳彬 (東大)
Title(Invited Speech) Mobility Enhancement and Room-Temperature Ion Implantation in TiO2-Channel Thin Film Transistors
Author*Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo)
ページpp. 51 - 54

4-5 (時間: 17:30 - 18:00)
題名(パネルディスカッション) 新領域開拓に向けた低温化プロセス の推進と新機能の創成
著者井之上 一平 (味の素), 島津 武仁 (東北大), 藤田 静雄 (京大), 矢嶋 赳彬 (東大), 松下 大介 (東芝)
Title(Panel Discussion)
AuthorIppei Inoue (Ajinomoto), Takehito Shimatsu (Tohoku Univ.), Shizuo Fujita (Kyoto Univ.), Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo), Daisuke Matsushita (Toshiba)



2016年1月23日(土)

セッション 5  信頼性・ゆらぎ (基調講演◆⊂径垤岷薛)
日時: 2016年1月23日(土) 8:30 - 10:30

5-1 (時間: 8:30 - 9:20)
題名(基調講演) デバイス信頼性からみたフィン型構造の検討
著者*久本 大 (日立)
Title(Keynote Speech) Challenges to Reliability Issues with Fin-channel Structure
Author*Dai Hisamoto (Hitachi)
ページpp. 55 - 58

5-2 (時間: 9:20 - 9:40)
題名厚膜ゲート絶縁膜およびSiN MIM膜におけるTDDB統計異常およびその寿命推定への影響
著者*岡田 健治, 栗本 一実, 鈴木 光浩, 伊藤 豊, 鈴木 繁 (パナソニック)
TitleAnomalous TDDB Statistics Observed in Thick Gate Dielectrics and SiN MIM Capacitors
Author*Kenji Okada, Kazumi Kurimoto, Mitsuhiro Suzuki, Yutaka Itoh, Shigeru Suzuki (TowerJazz Panasonic Semiconductor)
ページpp. 59 - 62

5-3 (時間: 9:40 - 10:00)
題名MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察
著者*白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 神谷 克政 (神奈川工科大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on the Atomic Behavior of N, H Atoms and O Vacancy Related Defects in SiO2 Films of MONOS Memories
Author*Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Katsumasa Kamiya (Kanagawa Inst. of Tech.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 63 - 66

5-4 (時間: 10:00 - 10:30)
題名(招待講演) 粒子ベースキャリア輸送シミュレーションによるナノデバイス特性揺らぎの統計的解析
著者*渡邉 孝信 (早大)
Title(Invited Speech) Statistical Analysis of Fluctuation of Device Characteristics of Nano-scale Devices by Particle-based Charier Transport Simulation
Author*Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 67 - 70


セッション 6  光と電子(招待講演)/新機能物質
日時: 2016年1月23日(土) 10:50 - 12:00

6-1 (時間: 10:50 - 11:20)
題名(招待講演) シリコンフォトニクス -LSIプロセスによる電光集積-
著者*和田 一実 (東大)
Title(Invited Speech) Si Photonics -Electronic and Photonic Integration on Si CMOS platform-
Author*Kazumi Wada (Univ. of Tokyo)
ページpp. 71 - 72

6-2 (時間: 11:20 - 11:40)
題名表面不活性化による歪みGe-on-Insulatorの発光強度増大
著者*橋本 秀明, 徐 学俊, 澤野 憲太郎, 丸泉 琢也 (東京都市大)
TitleEnhanced Light Emission from Surface-Passivated Tensile-Strained Ge-on-Insulator
Author*Hideaki Hashimoto, Xuejun Xu, Kentarou Sawano, Takuya Maruizumi (Tokyo City Univ.)
ページpp. 73 - 76

6-3 (時間: 11:40 - 12:00)
題名層状絶縁体h-BNの電気的絶縁破壊特性
著者*服部 吉晃 (東大), 谷口 尚, 渡邊 賢司 (NIMS), 長汐 晃輔 (東大/JST-さきがけ)
TitleElectrical Breakdown Characteristics of h-BN Layered Insulator
Author*Yoshiaki Hattori (Univ. of Tokyo), Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe (NIMS), Kosuke Nagashio (Univ. of Tokyo/PRESTO-JST)
ページpp. 77 - 80


セッション 7  パワーデバイス(招待講演ァ
日時: 2016年1月23日(土) 13:10 - 15:00

7-1 (時間: 13:10 - 13:40)
題名(招待講演) 酸化ガリウムデバイスの現状と今後の展開
著者*東脇 正高 (NICT )
Title(Invited Speech) Current Status and Future Development of Gallium Oxide Devices
Author*Masataka Higashiwaki (NICT )
ページpp. 81 - 84

7-2 (時間: 13:40 - 14:00)
題名SiO2/SiCの界面近傍酸化剤濃度に基づいた界面特性の考察
著者*花里 耕平, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleInvestigation of Interface Properties Based on the Oxidant Concentration near SiO2/SiC Interface
Author*Kohei Hanasato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 85 - 88

7-3 (時間: 14:00 - 14:20)
題名第一原理輸送シミュレーションによる4H-SiC/SiO2界面の電子輸送特性に関する調査
著者*岩瀬 滋 (阪大), Kirkham Christopher, 小野 倫也 (筑波大)
TitleFirst Principle Study of Electron Transport Property at 4H-SiC/SiO2 Interface
Author*Shigeru Iwase (Osaka Univ.), Kirkham Christopher, Tomoya Ono (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 89 - 91

7-4 (時間: 14:20 - 14:40)
題名Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所
著者*佐藤 創志 (東北大), 山部 紀久夫 (筑波大), 遠藤 哲郎, 丹羽 正昭 (東北大)
TitleFailure Analysis of a SiC MOS Capacitor with a Poly-Si Electrode
Author*Soshi Sato (Tohoku Univ.), Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa (Tohoku Univ.)
ページpp. 93 - 96

7-5 (時間: 14:40 - 15:00)
題名ダイヤモンドショットキーバリアダイオードのデバイス動作特性と結晶品質
著者*加藤 有香子, 梅沢 仁 (産総研)
TitleX-Ray Topographic Study of Defect in p- Diamond Layer of Schottky Barrier Diode
Author*Yukako Kato, Hitoshi Umezawa (AIST)
ページpp. 97 - 99


セッション 8  新技術
日時: 2016年1月23日(土) 15:30 - 16:30

8-1 (時間: 15:30 - 15:50)
題名表面電荷反転XPS法によるhigh-k/SiO2界面分極の分光分析
著者*豊田 智史, 福田 勝利, 菅谷 英生, 森田 将史, 中田 明良, 内本 喜晴, 松原 英一郎 (京大)
TitleSpectroscopic Analysis of an Electric Dipole at the High-k/SiO2 Interface via Surface-Charge Switched XPS
Author*Satoshi Toyoda, Katsutoshi Fukuda, Hidetaka Sugaya, Masashi Morita, Akiyoshi Nakata, Yoshiharu Uchimoto, Eiichiro Matsubara (Kyoto Univ.)
ページpp. 101 - 104

8-2 (時間: 15:50 - 16:10)
題名強相関物質の第一原理計算技術
著者*濱田 智之 (日立), 大野 隆央 (NIMS)
TitleFirst Principles Calculation Technology of Strongly Correlated Electron Systems
Author*Tomoyuki Hamada (Hitachi), Takahisa Ohno (NIMS)
ページpp. 105 - 108

8-3 (時間: 16:10 - 16:30)
題名負性容量効果を利用した急峻スイッチング実現に向けた強誘電体HfO2とデバイス構造の設計指針
著者*太田 裕之, 右田 真司, 福田 浩一, 服部 淳一 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleFerroelectric HfO2 and Device Engineering for Realizing Steep Subthreshold Swing Using Negative Gate Capacitance
Author*Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koichi Fukuda, Junichi Hattori (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 109 - 112



2016年1月22日(金)

セッション P  ポスターセッション
日時: 2016年1月22日(金) 20:30 - 22:30

P-1
題名分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面ダイポールのアニール温度依存性の検討
著者*功刀 遼太, 志村 昴亮, 中川 宣拓, 渡邉 孝信 (早大)
TitleAnnealing Temperature Dependency of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces Studied by Molecular Dynamics
Author*Ryota Kunugi, Kosuke Shimura, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 113 - 116

P-2
題名Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上
著者*麻田 修平, 橋本 修一郎, 武井 康平, ソン セイ, 張 旭, 徐 泰宇, 臼田 稔宏, 遠藤 清, 大場 俊輔 (早大), 富田 基裕 (早大/学振特別研究員PD/明大), 今井 亮佑, 小椋 厚志 (明大), 松川 貴, 昌原 明植 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleImproved Control of Nickelidation Process of Si Nanowire by Ar+ Ion Irradiation
Author*Shuhei Asada, Shuichiro Hashimoto, Kohei Takei, Jing Sun, Xu Zhang, Taiyu Xu, Toshihiro Usuda, Kiyoshi Endo, Shunsuke Oba (Waseda Univ.), Motohiro Tomita (Waseda Univ./JSPS Research Fellow PD/Meiji Univ.), Ryosuke Imai, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 117 - 120

P-3
題名ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響
著者*女屋 崇 (明大), 生田目 俊秀, 澤田 朋実 (NIMS), 栗島 一徳 (明大), 大井 暁彦, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleInfluence of Al2O3 and ZrO2 Thicknesses on Leakage Current Properties for DRAM Capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 Stack Structure
Author*Takashi Onaya (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 121 - 124

P-4
題名AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期熱酸化過程の研究
著者*荒井 仁, 野平 博司 (東京都市大)
TitleAngle-resolved Photoelectron Spectroscopy Studies of Initial Stage of Thermal Oxidation on 4H-SiC (0001)
Author*Hitoshi Arai, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 125 - 128

P-5
題名SiC酸化膜表面・界面のラフネス変化と電気的特性の評価
著者*永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleRoughness Growth on Oxide Surface and Interface of SiC and Electrical Characteristics Properties
Author*Ryu Nagai, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 129 - 132

P-6
題名金属/GeOx/Ge界面におけるショットキーバリアと原子拡散:第一原理計算
著者*佐々木 奨悟, 中山 隆史 (千葉大)
TitleSchottky Barrier and Atom Diffusion at Metal/GeOx/Ge Interfaces: First-Principles Study
Author*Shogo Sasaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 133 - 136

P-7
題名トップダウン加工によるGeへの引張歪み印加とバンドギャップ変調
著者*田中 章吾, 岡 博史, 天本 隆史, 冨永 幸平, 小山 真広, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleBand Gap Modulation of Tensile-Strained Ge by Top-Down Approach
Author*Shogo Tanaka, Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Kouhei Tominaga, Masahiro Koyama, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 137 - 140

P-8
題名単層h-BNにおける多原子空孔の理論的検討
著者*浦崎 柊, 影島 博之 (島根大)
TitleTheoretical Study of Multiatomic Vacancies in Single-Layer Hexagonal Boron Nitride
Author*Syu Urasaki, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページpp. 141 - 144

P-9
題名角度分解光電子分光によるIn吸着Ge(110)表面のバンド分散
著者*江波戸 達哉, 武田 さくら (NAIST), 坂田 智裕 (アーヘン工科大), Ang Artoni Kevin, 入江 広一郎, 米田 允俊, 大門 寛 (NAIST)
TitleBand Dispersion of In-Adsorbed Ge(110) by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
Author*Tatsuya Ebato, Sakura Takeda (NAIST), Tomohiro Sakata (RWTH Aachen Univ.), Ang Artoni Kevin, Koichiro Irie, Masatosi Yoneda, Hiroshi Daimon (NAIST)
ページpp. 145 - 148

P-10
題名電子テンション密度を用いた局所電気伝導特性の解析
著者*埜崎 寛雄, 瀬波 大土, 市川 和秀, 立花 明知 (京大)
TitleAnalysis of Local Electric Conductive Properties by Electronic Tension Density
Author*Hiroo Nozaki, Masato Senami, Kazuhide Ichikawa, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページpp. 149 - 152

P-11
題名チャージポンピング法によるSOIデバイスの埋め込み酸化膜裏面界面の評価
著者*瀧 久幸, 井田 次郎 (金沢工大), 新井 康夫 (高エネルギー加速器研究機構)
TitleEvaluation of the Buried Oxide Back Surface of SOI with Charge Pumping Method
Author*Hisayuki Taki, Jiro Ida (Kanazawa Inst. of Tech.), Yasuo Arai (High Energy Accelerator Research Organization)
ページpp. 153 - 156

P-12
題名成膜プロセスを変えたAl2O3/SiO2界面形成と固定電荷密度と界面ダイポールの関係
著者*福井 僚, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之 (東工大)
TitleCorrelation of Fixed Charge Density and Interface Dipoles at Al2O3/SiO2 Interface upon Different Deposition Processes
Author*Ryo Fukui, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 157 - 160

P-13
題名局所急速加熱による自己核形成を利用した石英基板上GeSn単結晶成長
著者*岡 博史, 天本 隆史, 小山 真広, 冨永 幸平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleSelf-Seeded Growth of Single-Crystal GeSn Alloys on Quartz Substrate by Rapid Thermal Annealing
Author*Hiroshi Oka, Takashi Amamoto, Masahiro Koyama, Kohei Tominaga, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 161 - 164

P-14
題名SiC(Si, C, m , a面)上熱酸化SiO2膜のエッチングレート
著者*塲本 恵介, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleIn-depth Profile of Etching Rates for Thermally Grown SiO2 Films on 4H-SiC (Si, C, m, a-face)
Author*Keisuke Bamoto, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 165 - 168

P-15
題名Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果
著者*加藤 まどか (東京都市大), 村上 太陽, 有元 圭介, 山中 淳二, 中川 清和 (山梨大), 澤野 憲太郎 (東京都市大)
TitleEffects of Ion Implantation on Strain Relaxation of SiGe Films on Si(110) Substrates
Author*Madoka Kato (Tokyo City Univ.), Taiyou Murakami, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa (Univ. of Yamanashi), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.)
ページpp. 169 - 172

P-16
題名MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討
著者*岡田 克也, 影島 博之 (島根大)
TitleTheoretical Study of Very Initial Stage MoS2 Crystal Growth
Author*Katsuya Okada, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページpp. 173 - 176

P-17
題名GaN熱酸化における酸化物形成過程
著者*伊藤 丈予, 淺原 亮平, 野崎 幹人, 山田 高寛 (阪大), 中澤 敏志, 石田 昌宏, 上田 哲三 (パナソニック), 吉越 章隆 (原子力機構), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleGaOx Formation Process in Thermal Oxidation of GaN
Author*Joyo Ito, Ryohei Asahara, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada (Osaka Univ.), Satoshi Nakazawa, Masahiro Ishida, Tetsuzo Ueda (Panasonic), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 177 - 180

P-18
題名CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善
著者*栗島 一徳 (明大), 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦 (NIMS), 山本 逸平, 大石 知司 (芝浦工大), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleImprovement of Bias Stress Characteristics in Oxide TFT Using Carbon-Doped In-Si-O Channel
Author*Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Ippei Yamamoto, Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 181 - 184

P-19
題名SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析
著者*渡辺 浩成, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleEvaluation of Energy Band Diagram and Depth Profile of Electronic Defect State Density for SiO2/4H-SiC Structures
Author*Hiromasa Watanabe, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 185 - 188

P-20
題名BaSi2における表面構造と不純物原子拡散の第一原理計算による検討
著者*大須賀 祐喜, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-Principles Study on Surface Structures and Impurity Atom Diffusion in BaSi2
Author*Yuki Osuga, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 189 - 192

P-21
題名局所電気伝導率を用いたコンダクタンス評価方法
著者*中西 真, 埜崎 寛雄, 瀬波 大土, 立花 明知 (京大)
TitleComputational Methods of Conductance by Local Conductivity
Author*Makoto Nakanishi, Hiroo Nozaki, Masato Senami, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページpp. 193 - 196

P-22
題名TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム
著者*山本 逸平 (芝浦工大), 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦 (NIMS), 栗島 一徳 (明大), Thang Duy Dao, 長尾 忠昭, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleMechanism of Vo Formation into Polycrystalline Anatase TiO2 (Anatase-TiO2) by Self-Limiting Reaction with TMA and Oxygen of TiO2
Author*Ippei Yamamoto (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Thang Duy Dao, Tadaaki Nagao, Toyohiro Chikyo (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 197 - 200

P-23
題名第一原理計算による絶縁膜中での金属原子の安定性:形成エネルギーに基づく化学的傾向
著者*恩田 由紀子, 平松 智記, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-Principles Study of Metal-Atom Stability in Insulators: Chemical Trend Based on Formation Energy
Author*Yukiko Onda, Tomoki Hiramatsu, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 201 - 204

P-24
題名SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響
著者*加藤 祐介, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleEffect of Embedding Ti Nanodots into SiOx Film on Its Resistive Switching Properties
Author*Yuusuke Katou, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 205 - 208

P-25
題名Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価
著者*藤村 信幸, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleEvaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of Si, 4H-SiC, and SiO2 Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author*Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 209 - 212

P-26
題名レーザーアブレーション法によるGe上ルチル型TiO2絶縁膜作製の条件最適化
著者*鈴木 良尚 (明大), 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS)
TitleOptimization of Growth Conditions for Rutile Type TiO2 on Ge Depisited by PLD
Author*Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ.), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame (NIMS), Atushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページpp. 213 - 216

P-27
題名リモートH2プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面の改質
著者*グェン スァンチュン, 竹内 大智, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
Title4H-SiC(0001) Surface Modification by Remote Hydrogen Plasma Exposure
Author*Xuan Truyen Nguyen, Daichi Takeuchi, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 217 - 220

P-28
題名Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究
著者*川内 伸悟, 白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 影島 愽之 (島根大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on the Dependence of Strain of Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2(100) Interface
Author*Shingo Kawachi, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 221 - 224

P-29
題名新規金ナノ粒子含有カーボン薄膜電極の開発と、電極表面電子反応を用いた水中 ヒ素イオンセンサーへの応用
著者*加藤 大喜 (筑波大), 鎌田 智之, 加藤 大, 丹羽 修 (産総研)
TitleThe Development of the New Gold Nanoparticles Embedded Carbon Film Electrode and Application of Electrochemical As3+ Detection Sensor
Author*Daiki Kato (Univ. of Tsukuba), Tomoyuki Kamata, Dai Kato, Osamu Niwa (AIST)
ページpp. 225 - 228