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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第22回研究会)
プログラム


プログラム:   非分割版
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セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています.

2017年1月19日(木)

T  チュートリアル
20:00 - 21:30

2017年1月20日(金)

Opening
9:00 - 9:10
1-1  界面・ゲートスタック・評価
9:10 - 10:40
Coffee break
10:40 - 11:00
1-2  界面・ゲートスタック・評価
11:00 - 11:40
2-1  パワーデバイス(1)
11:40 - 12:10
Lunch
12:10 - 13:30
2-2  パワーデバイス(1)
13:30 - 14:40
Coffee break
14:40 - 15:00
3  特別招待
15:00 - 15:30
S  企画セッション
15:30 - 17:40
P  ポスターセッション
20:30 - 22:30

2017年1月21日(土)

4  パワーデバイス(2)
9:00 - 10:30
Coffee break
10:30 - 10:50
5  Ge, GeSn
10:50 - 12:30
Lunch
12:30 - 14:00
6-1  信頼性、-后⊃轡妊丱ぅ
14:00 - 15:50
Coffee break
15:50 - 16:10
6-2  信頼性、-后⊃轡妊丱ぅ
16:10 - 17:20
Closing
17:20 - 17:50


論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2017年1月19日(木)

セッション T  チュートリアル
日時: 2017年1月19日(木) 20:00 - 21:30

T-1
題名300mmシリコン量子コンピュータ開発最前線:基礎からの解説
著者伊藤 公平 (慶大)
TitleForefront of Silicon Quantum Computer Development Using 300mm Silicon Technologies
AuthorKohei M. Itoh (Keio Univ.)
ページpp. 251 - 275



2017年1月20日(金)

セッション 1-1  界面・ゲートスタック・評価
日時: 2017年1月20日(金) 9:10 - 10:40

1-1-1 (時間: 9:10 - 10:00)
題名(基調講演) 放射光光電子分光によるデバイス界面の解析
著者尾嶋 正治 (東大)
Title(Keynote Speech) Analysis of Device Interfaces by Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy
AuthorMasaharu Oshima (Univ. of Tokyo)
ページpp. 1 - 4

1-1-2 (時間: 10:00 - 10:20)
題名表面/界面電荷変調XPS法による酸化物ナノシート/SiO2/Si界面のバンドダイアグラム解析
著者*豊田 智史, 福田 勝利, 森田 将史, 中田 明良, 松原 英一郎 (京大)
TitleBand-Diagram Analysis of Oxide Nanosheet/SiO2/Si Interfaces by Surface/Interface Charge Modurated XPS
Author*Satoshi Toyoda, Katsutoshi Fukuda, Masafumi Morita, Akiyoshi Nakata, Eiichiro Matsubara (Kyoto Univ.)
ページpp. 5 - 8

1-1-3 (時間: 10:20 - 10:40)
題名ダイポール層の選択的発現を利用したAl2O3/SiO2の繰り返し構造における大きなフラットバンド電圧シフト
著者*鎌田 啓伸, 喜多 浩之 (東大)
TitleLarge Flatband Voltage Shift Induced by the Selectively Formed Dipole Layers in Al2O3/SiO2 Repeated Stacks
Author*Hironobu Kamata, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
ページpp. 9 - 12


セッション 1-2  界面・ゲートスタック・評価
日時: 2017年1月20日(金) 11:00 - 11:40

1-2-1 (時間: 11:00 - 11:20)
題名HfO2系強誘電体酸化膜の大きな抗電界がデバイス応用に及ぼす課題
著者*右田 真司, 太田 裕之, 山田 浩之, 澤 彰仁 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleProblem of Large Coercive Fields in HfO2-Based Ferroelectric Films
Author*Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Hiroyuki Yamada, Akihito Sawa (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 13 - 16

1-2-2 (時間: 11:20 - 11:40)
題名圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2膜の強誘電性ドメインの観察
著者*柴山 茂久, 徐 倫, 田 璇 (東大), 右田 真司 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleObservation of Ferroelectric Domain for Y-Doped HfO2 Film by Piezo-Response Force Microscopy
Author*Shigehisa Shibayama, Lun Xu, Xuan Tian (Univ. of Tokyo), Shinji Migita (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 17 - 20


セッション 2-1  パワーデバイス(1)
日時: 2017年1月20日(金) 11:40 - 12:10

2-1-1 (時間: 11:40 - 12:10)
題名(招待講演) 縦型GaNパワーデバイス開発の最近の進展
著者岡 徹 (豊田合成)
Title(Invited Speech) Recent Progress of Vertical GaN Power Devices
AuthorToru Oka (TOYODA GOSEI)
ページpp. 21 - 22


セッション 2-2  パワーデバイス(1)
日時: 2017年1月20日(金) 13:30 - 14:40

2-2-1 (時間: 13:30 - 14:00)
題名(招待講演) パワーデバイス応用に向けたGaNの基礎物性評価とプロセス技術
著者須田 淳 (京大)
Title(Invited Speech) Fundamental Characterization and Process Technologies for GaN Power Devices
AuthorJun Suda (Kyoto Univ.)
ページpp. 23 - 24

2-2-2 (時間: 14:00 - 14:20)
題名Al2O3/GaN MOS界面における表面ポテンシャル揺らぎのAl2O3形成温度依存性
著者*田岡 紀之 (産総研), 久保 俊晴 (名工大), 山田 寿一 (産総研), 江川 孝志 (名工大), 清水 三聡 (産総研)
TitleALD Temperature Dependence of Surface Potential Fluctuation at ALD-Al2O3/GaN MOS Interfaces
Author*Noriyuki Taoka (AIST), Toshiharu Kubo (Nagoya Inst. of Tech.), Toshikazu Yamada (AIST), Takashi Egawa (Nagoya Inst. of Tech.), Mitsuaki Shimizu (AIST)
ページpp. 25 - 28

2-2-3 (時間: 14:20 - 14:40)
題名SiCとAlN/GaN短周期超格子を用いた新原理パワーデバイスの理論的提案
著者*小嶋 英嗣, 長川 健太, 白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 海老原 康裕, 金村 高司, 恩田 正一 (デンソー), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoritical Proposal of New Type of Power Devices Based on SiC and AlN/GaN Short Period Super Lattices
Author*Eiji Kojima, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Yasuhiro Ebihara, Takashi Kanemura, Shoichi Onda (Denso), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 29 - 32


セッション 3  特別招待
日時: 2017年1月20日(金) 15:00 - 15:30

3-1 (時間: 15:00 - 15:30)
Title(Invited Speech) Space Radiation: Effects on Electronics and Process/Design Mitigation Strategies
AuthorRobert Baumann (Texas Instruments)
ページpp. 33 - 36


セッション S  企画セッション
日時: 2017年1月20日(金) 15:30 - 17:40

S-1 (時間: 15:30 - 15:40)
題名(パネルディスカッション) はじめに
著者井上 真雄 (ルネサスエレクトロニクス), 喜多 浩之 (東大)
Title(Panel Discussion) Introduction
AuthorMasao Inoue (Renesas Electronics), Koji Kita (Univ. of Tokyo)

S-2 (時間: 15:40 - 16:10)
題名(招待講演) 宇宙用半導体デバイス〜日本に残すべき耐環境性技術〜
著者廣瀬 和之 (東大/JAXA)
Title(Invited Speech) Semiconductor Devices for Space Applications ~Environmentally Resitant Technology~
AuthorKazuyuki Hirose (Univ. of Tokyo/JAXA)
ページpp. 37 - 40

S-3 (時間: 16:10 - 16:40)
題名(招待講演) 化合物半導体電子デバイス 〜日本が復活すべきデバイス製造技術〜
著者宮本 恭幸 (東工大)
Title(Invited Speech) Direction of Compound Semiconductor Industry in Japan
AuthorYasuyuki Miyamoto (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 41 - 44

S-4 (時間: 16:40 - 17:10)
題名(招待講演) パワー半導体デバイス〜日本に残すべき体系的パワエレ技術〜
著者岩室 憲幸 (筑波大)
Title(Invited Speech) Power Semiconductor Devices as One of the Comprehensive Power Electronics Technologies
AuthorNoriyuki Iwamuro (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 45 - 48

S-5 (時間: 17:10 - 17:40)
Title(Panel Discussion) Panel Discussion



2017年1月21日(土)

セッション 4  パワーデバイス(2)
日時: 2017年1月21日(土) 9:00 - 10:30

4-1 (時間: 9:00 - 9:50)
題名(基調講演) 次世代自動車のためのパワーデバイス
著者渡辺 行彦 (豊田中研)
Title(Keynote Speech) Power Devices for Next-Generation Vehicle
AuthorYukihiko Watanabe (TOYOTA Central R&D Labs.)
ページpp. 49 - 50

4-2 (時間: 9:50 - 10:10)
題名2次元正孔ガス層による耐圧>1600VダイヤモンドpチャネルMOSFET
著者*川原田 洋, 北林 祐哉, 柴田 将暢, 松村 大輔, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大井 信敬, 稲葉 優文, 平岩 篤 (早大)
TitleHigh Voltage >1600V Diamond p-Channel MOSFET Using 2 Dimensional Hole Gas
Author*Hiroshi Kawarada, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, T. Kudo, T. Muta, N. Oi, M. Inaba, A. Hiraiwa (Waseda Univ.)
ページpp. 51 - 54

4-3 (時間: 10:10 - 10:30)
題名Al2O3ゲート絶縁膜とSiイオン注入ソース、ドレインを有するエンハンスメント型Ga2O3 MOSFET
著者*ワン マンホイ, 中田 義昭 (NICT), 倉又 朗人, 山腰 茂伸 (タムラ製作所), 東脇 正高 (NICT)
TitleEnhancement-Mode Ga2O3 MOSFET with Al2O3 Gate Dielectric and Si-Ion-Implanted Source and Drain
Author*Man Hoi Wong, Yoshiaki Nakata (NICT), Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi (Tamura), Masataka Higashiwaki (NICT)
ページpp. 55 - 58


セッション 5  Ge, GeSn
日時: 2017年1月21日(土) 10:50 - 12:30

5-1 (時間: 10:50 - 11:10)
題名金属の特性に基づいた金属/Ge界面のフェルミレベルピンニングの制御
著者*西村 知紀, 松本 創央志, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大)
TitleControl of Fermi-Level Pinning at Metal/Ge Interface Based on a Metal Property
Author*Tomonori Nishimura, Sohshi Matsumoto, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 59 - 62

5-2 (時間: 11:10 - 11:30)
題名金属/Ge接合へのSixGe1-x-ySny界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果
著者*鈴木 陽洋, 戸田 祥太, 中塚 理, 坂下 満男, 財満 鎭明 (名大)
TitleImpact of Introducing SixGe1-x-ySny Interlayer on Schottky Barrier Height of Metal/Ge Contact
Author*Akihiro Suzuki, Shota Toda, Osamu Nakatsuka, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 63 - 66

5-3 (時間: 11:30 - 11:50)
題名水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
著者*高橋 恒太 (名大/日本学術振興会特別研究員), 黒澤 昌志 (名大/JSTさきがけ), 池上 浩 (九大), 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleHigh Activation of Sb in Poly-Ge1-xSnx Layer Using Pulsed Laser Annealing in Water
Author*Kouta Takahashi (Nagoya Univ./JSPS Research Fellow), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./JST PRESTO), Hiroshi Ikenoue (Kyushu Univ.), Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 67 - 70

5-4 (時間: 11:50 - 12:10)
題名プラズマ酸化により形成したAl2O3/GeOx/Ge MOS界面の遅い準位の起源
著者*柯 夢南, 玉 虓, 張 志宇, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleOrigin of Slow Traps in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation
Author*Mengnan Ke, Xiao Yu, Chih-Yu Chang, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 71 - 74

5-5 (時間: 12:10 - 12:30)
題名表面不活性化と円形ブラッグ・グレーティングを有するGeマイクロディスクの共振PL
著者*橋本 秀明, 徐 学俊, 澤野 憲太郎, 丸泉 琢也 (東京都市大)
TitlePhotoluminescence from Ge Microdisks with Circular Bragg Gratings by Surface Passivation
Author*Hideaki Hashimoto, Xuejun Xu, Kentarou Sawano, Takuya Maruizumi (Tokyo City Univ.)
ページpp. 75 - 78


セッション 6-1  信頼性、-后⊃轡妊丱ぅ
日時: 2017年1月21日(土) 14:00 - 15:50

6-1-1 (時間: 14:00 - 14:30)
題名(招待講演) 共鳴核反応法によるゲート絶縁膜中水素分布測定と水素起因信頼性劣化モデリング
著者東 悠介 (東芝)
Title(Invited Speech) Measurement of Hydrogen Depth Profile with Using Nuclear Reaction Analysis and Modeling of Dielectric Degradation
AuthorYusuke Higashi (Toshiba)
ページpp. 79 - 82

6-1-2 (時間: 14:30 - 14:50)
題名極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価
著者*後藤 高寛 (東大), 満原 学, 星 拓也, 杉山 弘樹 (NTT), 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleEvaluation of MOS Interface Properties in GaAsSb MOS Structures with Ultrathin InGaAs Interfacial Layers
Author*Takahiro Gotow (Univ. of Tokyo), Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama (NTT), Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 83 - 86

6-1-3 (時間: 14:50 - 15:10)
題名3次元ICに向けた多結晶InSb nMOSFETの実現
著者*高橋 正紘 (東京理科大), 入沢 寿史, 張 文馨, 富永 淳二 (産総研), 藤川 紗千恵, 藤代 博記 (東京理科大), 前田 辰郎 (産総研)
TitlePoly-InSb nMOSFETs for Monolithic 3D-IC
Author*Masahiro Takahashi (Tokyo Univ. of Science), Toshihumi Irisawa, Wen-Hsin Chang, Junji Tominaga (AIST), Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Tatsuro Maeda (AIST)
ページpp. 87 - 90

6-1-4 (時間: 15:10 - 15:30)
題名トポロジカル絶縁体CaAgAs薄膜の分子線エピタキシー成長
著者*中村 伊吹, 太田 隼輔, 浦田 隆広, 畑野 敬史, 飯田 和昌, 生田 博志 (名大)
TitleGrowth of Topological Insulator CaAgAs Thin Films by Molecular Beam Epitaxy
Author*Ibuki Nakamura, Shunsuke Ohta, Takahiro Urata, Takafumi Hatano, Kazumasa Iida, Hiroshi Ikuta (Nagoya Univ.)
ページpp. 91 - 94

6-1-5 (時間: 15:30 - 15:50)
題名シリコンナノワイヤ型熱電発電デバイスにおける短チャネル効果
著者*大場 俊輔, 橋本 修一郎, 麻田 修平, 徐 泰宇, 姫田 悠矢, 大和 亮 (早大), 松川 貴 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleShort Channel Effect of Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author*Shunsuke Oba, Shuichiro Hashimoto, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Yuya Himeda, Ryo Yamato (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 95 - 98


セッション 6-2  信頼性、-后⊃轡妊丱ぅ
日時: 2017年1月21日(土) 16:10 - 17:20

6-2-1 (時間: 16:10 - 16:40)
題名(招待講演) 散逸ゆらぎを活用した新規デバイスの可能性
著者田畑 仁 (東大)
Title(Invited Speech) Possibility of New Devices Based on Dissipation Fluctuation
AuthorHitoshi Tabata (Univ. of Tokyo)
ページpp. 99 - 102

6-2-2 (時間: 16:40 - 17:00)
題名SiGe構造の熱伝導率低減における界面の影響〜フォノンモード解析〜
著者*高橋 憲彦, 金田 千穂子 (富士通研)
TitleEffect of Interface on Thermal Conductivity Reduction in SiGe Structures: Phonon Mode Analyses
Author*Norihiko Takahashi, Chioko Kaneta (Fujitsu Labs.)
ページpp. 103 - 106

6-2-3 (時間: 17:00 - 17:20)
題名負性容量効果を利用した急峻スイッチングFinFET実現に向けた強誘電体材料の設計指針
著者*太田 裕之, 右田 真司, 服部 淳一, 福田 浩一 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleDesign of Ferroelectric Materials for Realizing Steep Subthreshold Swing FinFET Using Negative Gate Capacitance
Author*Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Junichi Hattori, Koichi Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 107 - 110



2017年1月20日(金)

セッション P  ポスターセッション
日時: 2017年1月20日(金) 20:30 - 22:30

P-1
題名SiC C面上に乾燥酸素および水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO2膜密度
著者*飯塚 望, 小澤 航大, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleDensity of SiO2 Films on SiC (000-1) Thermally Grown in Dry O2 or H2O Ambient
Author*Nozomu Iitsuka, Koudai Ozawa, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 111 - 114

P-2
題名熱酸化SiO2/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性
著者*永井 龍, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleNon-Uniform Film Region in the Vicinity of Thermally Grown SiO2 on 4H-SiC and Leakage Current Characteristics in the Region
Author*Ryu Nagai, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 115 - 118

P-3
題名SiC上TEOS-SiO2の熱処理による絶縁特性の改善
著者*川村 浩晃, 前田 貫太, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫 (筑波大)
TitleImprovement Insulating Property of TEOS - SiO2 on SiC by Thermal Annealing
Author*Hiroaki Kawamura, Kanta Maeda, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 119 - 122

P-4
題名第一原理計算によるHfO2/SiO2/Siにおける酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価
著者*高木 謙介, 小野 倫也 (筑波大)
TitleThe First-Principles Study of Leakage Current Caused by Oxygen Vacancies
Author*Kensuke Takagi, Tomoya Ono (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 123 - 126

P-5
題名4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果
著者*竹内 和歌奈 (名大), 山本 建策, 三村 智博 (デンソー), 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleEffect of N Bonding Structure in AlON Insulator Layers on Leakage Current of 4H-SiC MOS Capacitor
Author*Wakana Takeuchi (Nagoya Univ.), Kensaku Yamamoto, Tomohiro Mimura (DENSO), Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 127 - 130

P-6
題名High-kシード層がHfxZr1-xO2膜の強誘電性へ及ぼす影響
著者*女屋 崇 (明大), 生田目 俊秀 (NIMS), 栗島 一徳, 澤本 直美 (明大), 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleInfluence of High-k Seed Layer on Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 Film
Author*Takashi Onaya (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 131 - 134

P-7
題名酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較
著者*栗島 一徳 (明大), 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleComparison of Reliability between Carbon-Doped In-Si-O and In-Si-O Channel for Oxide-TFT
Author*Kazunori Kurishima (Meiji Univ.), Toshihide Nabatame, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 135 - 138

P-8
題名電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響
著者*尹 尚希, 張 志宇, 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleImpact of Electronical Stress to Al2O3/InGaAs MOS Interface and InGaAs Tunnel FET
Author*Sanghee Yoon, Chih-Yu Chang, Daehwan Ahn, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 139 - 142

P-9
題名硬X線光電子分光法(HAXPES)によるMOCVD法形成ゲルマニウムスズ薄膜の化学結合状態解析
著者*臼田 宏治, 高石 理一郎, 吉木 昌彦 (東芝), 須田 耕平, 小椋 厚志 (明大), 富田 充裕 (東芝)
TitleDepth Characterization of Chemical States in GeSn Thin Film Grown by MOCVD with HAXPES Method
Author*Koji Usuda, Riichiro Takaishi, Masahiko Yoshiki (TOSHIBA), Kohei Suda, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Mitsuhiro Tomira (TOSHIBA)
ページpp. 143 - 146

P-10
題名メタルSDを利用したガラス基板上の自己整合平面型ダブルゲート低温poly-Ge薄膜トランジスタ
著者*内海 大樹, 佐々木 大精, 関口 竣也, 竹内 翔弥, 大澤 弘樹, 原 明人 (東北学院大)
TitleSelf-Aligned Planar Metal Double-Gate Low-Temperature Poly-Ge TFTs using Metal Source-Drain on a Glass Substrate
Author*Hiroki Utsumi, Taisei Sasaki, Shunya Sekiguchi, Shoya Takeuchi, Hiroki Ohsawa, Akito Hara (Tohoku Gakuin Univ.)
ページpp. 147 - 150

P-11
題名2段階熱処理により作製したAlOx/GeOx/Geゲートスタックの特性
著者*部家 彰, 西井 アハマド, 松尾 直人 (兵庫県立大)
TitleCharacteristics of AlOx/GeOx/Ge Gate Stack Structure fabricated by Two-Step-Thermal Treatment
Author*Akira Heya, Ahmed Nishii, Naoto Matsuo (Univ. of Hyogo)
ページpp. 151 - 154

P-12
題名MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討
著者*岡田 克也, 影島 博之 (島根大)
TitleTheoretical Study of Very Initial Stage of MoS2 Crystal Growth
Author*Katsuya Okada, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページpp. 155 - 158

P-13
題名金属/SiO2界面における金属原子の拡散:電場効果に関する理論検討
著者*浅山 佳大, 山 翔太, 中山 隆史 (千葉大)
TitleMetal-Atom Diffusion at Metal/SiO2 Interfaces: Theoretical Study on Electric Field Effects
Author*Yoshihiro Asayama, Shota Yamazaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 159 - 162

P-14
題名第一原理計算によるGaN/Insulator界面構造の考察
著者*長川 健太, 小嶋 英嗣, 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大)
TitleFirst Principles Calculation Study for the GaN/Insulator Surface Structures
Author*Kenta Chokawa, Eiji Kojima, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 163 - 166

P-15
題名局所物理量による電気伝導現象の解析
著者*瀬波 大土, 稲田 健, 中西 真, 立花 明知 (京大)
TitleAnalysis of Conduction Phenomena by Local Physical Quantities
Author*Masato Senami, Ken Inada, Makoto Nakanishi, Akitomo Tachibana (Kyoto Univ.)
ページpp. 167 - 170

P-16
題名ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価
著者*畠山 哲夫, 木内 祐治, 染谷 満 (産総研), 岡本 大 (筑波大), 原田 信介 (産総研), 矢野 裕司 (筑波大), 米澤 喜幸, 奥村 元 (産総研)
TitleCharacterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces Near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements
Author*Tetsuo Hatakeyama, Yuji Kiuchi, Mitsuru Sometani (AIST), Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Shinsuke Harada (AIST), Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba), Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura (AIST)
ページpp. 171 - 174

P-17
題名単層MoS2における帯電した原子空孔の第一原理計算
著者*浦崎 柊, 影島 博之 (島根大)
TitleFirst Principles Calculations of Charged Vacancies in Single-Layer Molybdenum Disulfide
Author*Syu Urasaki, Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.)
ページpp. 175 - 178

P-18
題名圧縮歪みを伴ったVertical-BC-MOSFETのSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究
著者*川内 伸悟, 名倉 拓哉, 長川 健太, 白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 影島 博之 (島根大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on Interface Orientation Dependence of Si Thermal Oxidation of Vertical-BC-MOSFET with Compressive Strain
Author*Shingo Kawachi, Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 179 - 182

P-19
題名Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究
著者*名倉 拓哉, 川内 伸悟, 長川 健太, 白川 裕規, 洗平 昌晃 (名大), 影島 博之 (島根大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on Interface Orientation Dependence of Si Thermal Oxidation
Author*Takuya Nagura, Shingo Kawachi, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 183 - 186

P-20
題名X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価
著者*藤村 信幸, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleEvaluation of Inner Potential Change and Electrical Dipole in Ultrathin Oxide Stacked Structure Using XPS Measurements
Author*Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 187 - 190

P-21
題名シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価
著者*小山 真広, 岡 博史, 田中 章吾, 冨田 崇史, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleThin GeSn Single Crystalline Layer Formed on Quartz Substrate by Seedless Liquid Phase Growth and Its Electrical Properties
Author*Masahiro Koyama, Hiroshi Oka, Shogo Tanaka, Takashi Tomita, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 191 - 194

P-22
題名横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価
著者*冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleEnhanced Luminescence of Sb-Doped Single-Crystalline Ge Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author*Takashi Tomita, Hiroshi Oka, Masahiro Koyama, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 195 - 198

P-23
TitleVerification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Author*Xufang Zhang, Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 199 - 202

P-24
題名室温近傍でのプラズマ酸化とウェットエッチングによるSiC表面上へのC堆積物の生成
著者*伊藤 亮太, 細尾 幸平, 川合 健太郎, 佐野 泰久, 森田 瑞穂, 有馬 健太 (阪大)
TitleFormation of Carbon Aggregates on SiC by Combination of Plasma Oxidation at Near Room Temperature and Wet Etching
Author*Ryota Ito, Kohei Hosoo, Kentaro Kawai, Yasuhisa Sano, Mizuho Morita, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページpp. 203 - 206

P-25
題名光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価
著者*グェン チュンスァン, 大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 宮崎 誠一 (名大)
TitlePhotoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Remote Plasma CVD SiO2/GaN Structure
Author*TruyenXuan Nguyen, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 207 - 210

P-26
題名a-SiO2 中における不純物原子の安定性の理論検討:中性と荷電状態の比較
著者*山崎 翔太, 恩田 由紀子, 浅山 佳大, 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheoretical Study on Impurity-Atom Stability in Amorphous SiO2 : Comparison between Neutral and Charged States
Author*Shota Yamazaki, Yukiko Onda, Yoshihiro Asayama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 211 - 214

P-27
題名Pt触媒効果を用いたALD-Al2O3膜の熱処理雰囲気とVfbシフトの関係
著者*弓削 雅津也 (芝浦工大), 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕 (NIMS), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleCorrelation between Vfb Shift and Annealing Condition of ALD-Al2O3 Film by Pt Catalytic Effect
Author*Kazuya Yuge (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 215 - 218

P-28
題名High-k/SiO2界面における酸素イオン移動の駆動力
著者*功刀 遼太, 中川 宣拓, 渡邉 孝信 (早大)
TitleDriving Force of Oxygen Ions Migration at High-k/SiO2 Interface
Author*Ryota Kunugi, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 219 - 222

P-29
題名分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価
著者*富田 基裕 (早大), 小椋 厚志 (明大), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEvaluation and Prediction of Group IV Binary Alloy Semiconductors by Lattice Dynamics Simulation
Author*Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 223 - 226

P-30
題名非平衡グリーン関数法を用いた多層グラフェンの輸送特性解析
著者*橋本 風渡, 森 伸也 (阪大)
TitleNonequilibrium Green Function Simulation of Electron Transport in Multilayer Graphenes
Author*Futo Hashimoto, Nobuya Mori (Osaka Univ.)
ページpp. 227 - 230

P-31
題名高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出
著者*佐野 良介, 此島 志織, 澤野 憲太郎, 野平 博司 (東京都市大)
TitleDetection of Strain Effect on Binding Energy of Ge 2p Core Level by HXPES with High Spatial Resolution
Author*Ryousuke Sano, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 231 - 234

P-32
題名コンビナトリアル手法によるGe上TiO2絶縁膜のアクセプタードーピングによる影響の検討
著者*鈴木 良尚 (明大), 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀 (物質材料研究機構), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (物質材料研究機構)
TitleCombinatorial Study of Influence of Acceptor Doping for TiO2/ Ge Stuck Structure
Author*Yoshihisa Suzuki (Meiji Univ.), Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページpp. 235 - 238

P-33
題名エピタキシャルGe上直接ALDによるAl2O3/Ge界面特性向上
著者*池上 和彦, 佐藤 慶次郎, 澤田 浩介 (東京都市大), Maksym Myronov (ウォーリック大学), 野平 博司, 澤野 憲太郎 (東京都市大)
TitleAl2O3/Ge Interface Characteristic Improvements by Direct Atomic Layer Deposition on Epitaxial Ge
Author*Kazuhiko Ikegami, Keijiro Sato, Kousuke Sawada (Tokyo City Univ.), Maksym Myronov (Univ. of Warwick), Hiroshi Nohira, Kentaro Sawano (Tokyo City Univ.)
ページpp. 239 - 242

P-34
題名シリコンナノワイヤ型熱電デバイスにおける逆向きの熱起電流の発生
著者*橋本 修一郎, 麻田 修平, 徐 泰宇, 大場 俊輔 (早大), 松川 貴 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleAnomalous Thermoelectric Characteristic of a Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author*Shuichiro Hashimoto, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Shunsuke Oba (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 243 - 246

P-35
TitleSurface Characterization of Si-Based Nanosheets Synthesized from CaSi2 Using Metal Chlorides, IP6 and Acid Solutions
Author*Peiling Yuan, Kenta Sasaki, Yuki Kumazawa, Yuya Saito, Shinya Kusazaki, Keita Hikichi, Nanae Atsumi, Hirokazu Tatsuoka (Shizuoka Univ.)
ページpp. 247 - 250