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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会)
プログラム

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セッション表

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2019年1月24日(木)

Registration
19:30 - 20:00
T  チュートリアル
20:00 - 21:30
2019年1月25日(金)

Opening
8:45 - 8:50
1  強誘電体・相変化材料
8:50 - 10:40
Coffee break
10:40 - 11:00
2  基調講演 1
11:00 - 11:50
集合写真＆昼食
11:50 - 13:00
3  基調講演 2
13:00 - 13:50
4  ワイドギャップ半導体
13:50 - 14:50
Coffee break
14:50 - 15:10
5  プロセス・デバイス・評価 1
15:10 - 17:10
移動
懇親会
17:30 - 19:30
P  ポスターセッション
19:30 - 21:30
2019年1月26日(土)

6  新材料
8:50 - 9:50
Coffee break
9:50 - 10:10
7  企画セッション
10:10 - 12:30
昼食
12:30 - 13:30
8  ゲルマニウム
13:30 - 14:50
Coffee break
14:50 - 15:10
9  プロセス・デバイス・評価 2
15:10 - 16:40
Break
16:40 - 16:50
Closing (Young award ceremony)
16:50 - 17:30

論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2019年1月24日(木)

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セッション T  チュートリアル
日時: 2019年1月24日(木) 20:00 - 21:30

T-1 (時間: 20:00 - 21:30)
題名データ科学と計算・実験の連携による物質・材料研究
著者常行 真司 (東大)
TitleMaterials Research by Collaboration of Data Science, Computational Science, and Experiments
AuthorShinji Tsuneyuki (Univ. of Tokyo)
ページpp. 269 - 284


2019年1月25日(金)

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セッション 1  強誘電体・相変化材料
日時: 2019年1月25日(金) 8:50 - 10:40

1-1 (時間: 8:50 - 9:20)
題名(招待講演) 負性容量トランジスタは実現できるのか？
著者右田 真司 (産総研)
Title(Invited Speech) Is “Negative Capacitance-FET” Practical?
AuthorShinji Migita (AIST)
ページpp. 1 - 4

1-2 (時間: 9:20 - 9:40)
題名HfO2の強誘電性発現におけるドーピングの役割
著者*森 優樹, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬 (東大), 右田 真司 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleEffects of Doping in Ferroelectric HfO2
Author*Yuki Mori, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima (Univ. of Tokyo), Shinji Migita (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 5 - 8

1-3 (時間: 9:40 - 10:00)
題名原子層堆積法の酸化剤ガスが強誘電体HfxZr1-xO2薄膜の低温形成へ及ぼす効果
著者*女屋 崇 (明大/NIMS/日本学術振興会 特別研究員DC), 生田目 俊秀 (NIMS), 澤本 直美 (明大), 栗島 一徳 (明大/NIMS/日本学術振興会 特別研究員DC), 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleEffect of Oxidant Gas of Atomic Layer Deposition on Low Temperature Fabrication of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films
Author*Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS/Research fellow of Japan Society for the Promotion of Science), Toshihide Nabatame (NIMS), Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Kazunori Kurishima (Meiji Univ./NIMS/Research fellow of Japan Society for the Promotion of Science), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 9 - 12

1-4 (時間: 10:00 - 10:20)
題名電荷バランスから考えた強誘電体ゲートFETにおけるNegative Capacitance効果の理解
著者李 秀妍, *鳥海 明 (東大)
TitleUnderstanding of Negative Capacitance Effects in Ferroelectric FET through the Seesaw Game of Charges at Ferroelectric/Paraelectri Inerface
AuthorXiuyan Li, *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 13 - 16

1-5 (時間: 10:20 - 10:40)
題名超格子GeTe/Sb2Te3における抵抗状態の理解
著者*野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大)
TitleUnderstanding the Resistance State of GeTe/Sb2Te3 Superlattices
Author*Hiroaki Nohara, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 17 - 20

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セッション 2  基調講演 1
日時: 2019年1月25日(金) 11:00 - 11:50

2-1 (時間: 11:00 - 11:50)
題名(基調講演) 集積回路の将来とデジタルアニーラ
著者田村 泰孝 (富士通研)
Title(Keynote Speech) Digital Annealer as a Future Technology of Integrated Circuits
AuthorHirotaka Tamura (Fujitsu Labs.)
ページpp. 21 - 26

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セッション 3  基調講演 2
日時: 2019年1月25日(金) 13:00 - 13:50

3-1 (時間: 13:00 - 13:50)
題名(基調講演) GaN MOSFETの絶縁ゲート技術
著者橋詰 保 (北大)
Title(Keynote Speech) Insulated Gate Technologies for GaN MOSFETs
AuthorTamotsu Hashizume (Hokkaido Univ.)
ページpp. 27 - 30

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セッション 4  ワイドギャップ半導体
日時: 2019年1月25日(金) 13:50 - 14:50

4-1 (時間: 13:50 - 14:10)
題名Al2O3/n-GaN界面での伝導帯/価電子帯近傍の界面準位密度に関する研究
著者*弓削 雅津也 (芝浦工大), 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹 (NIMS), 上殿 明良 (筑波大), Liwen Sang, 小出 康夫 (NIMS), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleStudy of Interface State Density Near Conduction/valence Band at Al2O3/n-GaN Interface
Author*Kazuya Yuge (Shibaura institute of Technology), Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda (NIMS), Akira Uedono (Tsukuba Univ.), Liwen Sang, Yasuo Koide (NIMS), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 31 - 34

4-2 (時間: 14:10 - 14:30)
題名電場下の金属/SiC・GaN界面における欠陥の形成エネルギー; 第一原理計算による検討
著者*長澤 立樹, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFormation Energies of Defects at Metal/SiC･GaN Interfaces under Electric-field; First-principles Study
Author*Riki Nagasawa, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 35 - 38

4-3 (時間: 14:30 - 14:50)
題名SiC/SiO2界面でのキャリヤートラップの正体：積層変調による伝導帯下端のゆらぎと炭素関連欠陥の同定
著者松下 雄一郎 (東工大), *押山 淳 (名大)
TitleMicroscopic Identification of Carrier Traps at SiC/SiO2 Interfaces: Fluctuation of Band Edges due to Stacking Modulation and C-Related Defects
AuthorYu-ichiro Matsushita (Tokyo Inst. of Tech.), *Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ.)
ページpp. 39 - 42

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セッション 5  プロセス・デバイス・評価 1
日時: 2019年1月25日(金) 15:10 - 17:10

5-1 (時間: 15:10 - 15:40)
題名(招待講演) 原子層制御技術の微細加工への適用
著者木原 嘉英, 勝沼 隆幸, 久松 亨, 本田 昌伸 (東京エレクトロン宮城)
Title(Invited Speech) Micro/Nano-Fabrication by Controlling the Atomic Layer Process
AuthorYoshihide Kihara, Takayuki Katsunuma, Toru Hisamatsu, Masanobu Honda (Tokyo Electron Miyagi)
ページpp. 43 - 46

5-2 (時間: 15:40 - 16:10)
題名(招待講演) メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS回路作製技術
著者東 清一郎 (広島大)
Title(Invited Speech) Fabrication of Single-crystalline Silicon CMOS Circuits on Plastic Substrate by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique
AuthorSeiichiro Higashi (Hiroshima Univ.)
ページpp. 47 - 50

5-3 (時間: 16:10 - 16:30)
題名ポリシリコントライゲートナノワイヤトランジスタにおける信頼性評価
著者*吉村 瑶子, 太田 健介, 齋藤 真澄 (東芝メモリ)
TitleReliability in Poly-Si Tri-gate Nanowire Transistor
Author*Yoko Yoshimura, Kensuke Ota, Masumi Saitoh (Toshiba Memory)
ページpp. 51 - 54

5-4 (時間: 16:30 - 16:50)
題名ラマン分光法によるAr+イオンを照射した酸化膜被覆型Siナノワイヤの熱伝導特性評価
著者*横川 凌 (明大), 富田 基裕, 渡邉 孝信 (早大), 小椋 厚志 (明大)
TitleEvaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Ar+ Irradiated Si Nanowire Covered with Oxide by Raman Spectroscopy
Author*Ryo Yokogawa (Meiji Univ.), Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 55 - 58

5-5 (時間: 16:50 - 17:10)
題名CMOSプロセスと親和性の高い10µW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発
著者*富田 基裕, 大場 俊輔, 姫田 悠矢, 大和 亮, 島 圭佑, 熊田 剛大, 徐 茂, 武澤 宏樹, 目崎 航平, 津田 和瑛, 橋本 修一郎, �� 天卓 (早大), 張 慧 (群馬大), 鎌倉 良成 (阪大), 鈴木 悠平, 猪川 洋, 池田 浩也 (静岡大), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
Title10µW/cm2-Class High Power Density Planar Si-Nanowire Thermoelectric Energy Harvester with High Affinity for CMOS Process
Author*Motohiro Tomita, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Keisuke Shima, Takehiro Kumada, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohhei Mesaki, Kazuaki Tsuda, Shuichiro Hashimoto, Tianzhuo Zhan (Waseda Univ.), Hui Zhang (Gunma Univ.), Yoshinari Kamakura (Osaka Univ.), Yuhhei Suzuki, Hiroshi Inokawa, Hiroya Ikeda (Shizuoka Univ.), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 59 - 62


2019年1月26日(土)

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セッション 6  新材料
日時: 2019年1月26日(土) 8:50 - 9:50

6-1 (時間: 8:50 - 9:10)
題名低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性
著者*小林 陸 (明大/NIMS), 生田目 俊秀 (NIMS), 栗島 一徳 (明大/NIMS/学振DC), 木津 たきお (NIMS), 女屋 崇 (明大/NIMS/学振DC), 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleCharacteristics of In2O3 Films on Al2O3 and SiO2 Substrates Using Low-Temperature ALD Method
Author*Riku Kobayashi (Meiji Univ./NIMS), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazunori Kurishima (Meiji Univ./NIMS/JSPS Research Fellow DC), Takio Kizu (NIMS), Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS/JSPS Research Fellow DC), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 63 - 66

6-2 (時間: 9:10 - 9:30)
題名LiNbO3の焦電効果によるグラフェンの電気特性制御の検討
著者*安原 雄大 (明大), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS)
TitleStudy on Electrical Property Control of Graphene by Pyroelectricity of LiNbO3
Author*Yudai Yasuhara (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS)
ページpp. 67 - 70

6-3 (時間: 9:30 - 9:50)
題名高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価
著者*福田 雅大, 坂下 満男, 柴山 茂久, 黒澤 昌志, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleCharacterization of Energy Band Structure and Optoelectronic Property of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure with High Si Content
Author*Masahiro Fukuda, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 71 - 74

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セッション 7  企画セッション
日時: 2019年1月26日(土) 10:10 - 12:30

7-1 (時間: 10:10 - 10:40)
題名(特別講演) 自動車用半導体センサ
著者和戸 弘幸 (デンソー)
Title(Special Speech) Automotive Semiconductor Sensor
AuthorHiroyuki Wado (DENSO)
ページpp. 75 - 78

7-2 (時間: 10:40 - 11:10)
題名(特別講演) MEMSと赤外線イメージセンサ
著者木股 雅章 (立命大)
Title(Special Speech) MEMS-based Uncooled Infrared Focal Plane Arrays
AuthorMasafumi Kimata (Ritsumeikan Univ.)
ページpp. 79 - 82

7-3 (時間: 11:10 - 11:40)
題名(特別講演) MOSFET型ガスセンサ
著者笹子 佳孝 (日立)
Title(Special Speech) MOSFET-Type Gas Sensor
AuthorYoshitaka Sasago (Hitachi)
ページpp. 83 - 86

7-4 (時間: 11:40 - 12:10)
題名(特別講演) UWB電波を用いた乳癌検診装置の研究
著者宋 航, 笹田 伸介, 角舎 学行, 岡田 守人, 有廣 光司, *吉川 公麿 (広島大)
Title(Special Speech) Breast Cancer Detector Using UWB Signals
AuthorHang Song, Shinsuke Sasada, Takayuki Kadoya, Morihito Okada, Koji Arihiro, *Takamaro Kikkawa (Hiroshima Univ.)
ページpp. 87 - 88

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セッション 8  ゲルマニウム
日時: 2019年1月26日(土) 13:30 - 14:50

8-1 (時間: 13:30 - 13:50)
題名Geの酸化機構はSiと何が異なるのだろうか？
著者王 旭, 西村 知紀, *鳥海 明 (東大)
TitleSignificant Difference of Oxidation Mechanism in Ge from That in Si
AuthorXu Wang, Tomonori Nishimura, *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 89 - 92

8-2 (時間: 13:50 - 14:10)
題名アモルファスネットワーク構造の安定性から見たGeO2の脆弱性
著者*謝 敏, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大)
TitleFragile GeO2 Film on Ge in Terms of Amorphous Network Stability
Author*Min Xie, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 93 - 96

8-3 (時間: 14:10 - 14:30)
題名金属/Ge界面のフェルミレベル・デピニングの起源：第一原理計算に基づく検討
著者*西本 俊輝, 中山 隆史 (千葉大)
TitleOrigin of Fermi-level Depinning at Metal/Ge Interfaces : First-principles Study
Author*Toshiki Nishimoto, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 97 - 100

8-4 (時間: 14:30 - 14:50)
題名エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御
著者*千賀 一輝, 中塚 理, 坂下 満男, 柴山 茂久, 財満 鎭明 (名大)
TitleEngineering Schottky Barrier Height by Formation of Epitaxial HfGe2/Ge Interface
Author*Kazuki Senga, Osamu Nakatsuka, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 101 - 104

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セッション 9  プロセス・デバイス・評価 2
日時: 2019年1月26日(土) 15:10 - 16:40

9-1 (時間: 15:10 - 15:40)
題名(招待講演) 電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析
著者宮�� 誠一 (名大)
Title(Invited Speech) Photoemission-based Characterization of Nano-scale Stacked Structures for Gate Stack Technology
AuthorSeiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 105 - 108

9-2 (時間: 15:40 - 16:00)
題名雰囲気制御X線光電子分光によるゲート積層薄膜界面深さ方向分布の時系列解析法の開発
著者*豊田 智史 (京大), 梶野 雄太, 山本 知樹 (兵庫県立大), 首藤 大器, 野瀬 惣市, 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 吉越 章隆 (原子力研), 横山 和司 (兵庫県立大)
TitleDeveloping Time-Series Analysis Techniques in Depth Profiles of Gate Stacked-Film Interfaces by Using Ambient-Controlled X-ray Photoemission Spectroscopy
Author*Satoshi Toyoda (Kyoto Univ.), Yuta Kajino, Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Motoki Sudo, Soichi Nose, Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Akitaka Yoshigoe (JAEA), Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)
ページpp. 109 - 112

9-3 (時間: 16:00 - 16:20)
題名モノリシック3D CMOS に向けたUTB-GeOI 構造の開発
著者*張 文馨, 入沢 寿史, 石井 裕之, 内田 紀行, 前田 辰郎 (産総研)
TitleUTB-GeOI Structure for Monolithic 3D Integration
Author*Wen Hsin Chang, Toshifumi Irisawa, Hiroyuki Ishii, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda (AIST)
ページpp. 113 - 116

9-4 (時間: 16:20 - 16:40)
題名次世代Emergingメモリの普遍的動作原理
著者*白石 賢二 (名大)
TitleUniversal Guiding Principle of Future Emerging Memories
Author*Kenji Shiraishi (Institute of Material and Systems for Sustainability)
ページpp. 117 - 120


2019年1月25日(金)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2019年1月25日(金) 19:30 - 21:30

P-1
題名光電子分光法による絶縁酸化膜の誘電関数・光学定数の決定
著者*大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleDetermination of Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements
Author*Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 121 - 124

P-2
題名熱酸化SiO2/Si(111)の真空紫外光によるUPS分析
著者今川 拓哉, *大田 晃生 (名大), 田岡 紀之 (産総研 GaN-OIL), 池田 弥央, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleVacuum Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Study of SiO2/Si Structure
AuthorTakuya Imagawa, *Akio Ohta (Nagoya Univ.), Noriyuki Taoka (AIST GaN-OIL), Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 125 - 128

P-3
題名AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究
著者*名倉 拓哉, 長川 健太, 洗平 昌晃 (名大), 細井 卓治, 渡部 平司 (阪大), 押山 淳, 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on the Effect of Incorporation of Hf Atoms in AlON Dielectrics
Author*Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Takuji Hosoi, Heiji Watanabe (Osaka Univ.), Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 129 - 132

P-4
題名原子層堆積法で成膜した積層絶縁膜の膜質と電気特性の相関解析
著者*小川 慎吾, 棚橋 優策, 井上 敬子, 杉本 智美, 清水 夕美子, 小坂 志乃, 岡田 一幸, 関 洋文 (東レ)
TitleRelationship between Film Quality and Electrical Property of Stacked Dielectric Films Formed by Atomic Layer Deposition
Author*Shingo Ogawa, Yusaku Tanahashi, Keiko Inoue, Tomomi Sugimoto, Yumiko Shimizu, Shino Kosaka, Kazuyuki Okada, Hirofumi Seki (Toray Research Center)
ページpp. 133 - 136

P-5
題名酸化膜キャパシタを用いた温度変動下での環境発電に与える界面ダイポール層強度の温度依存性の効果
著者*�雜� 高志, 喜多 浩之 (東大)
TitleEffect of Temperature Dependence of Interface Dipole Layer Strength on Energy Harvesting with Oxide Film Capacitors in Temperature Fluctuating Environment
Author*Takashi Hamaguchi, Koji Kita (Univ. of Tokyo)
ページpp. 137 - 140

P-6
題名Al2O3/SiO2 界面ダイポールのSiO2多形依存性
著者*金丸 翔大, 高橋 憶人, Marc Perea Causin, 富田 基裕, 渡邉 孝信 (早大)
TitleDependence of Interfacial Dipole at Al2O3/SiO2 on the SiO2 Polymorphs
Author*Shota Kanemaru, Okuto Takahashi, Marc Perea Causin, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 141 - 144

P-7
題名エピタキシャルSiGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価
著者*繁澤 えり子 (東京都市大), 松岡 諒太郎 (慶大), 佐野 良介 (東京都市大), 伊藤 公平 (慶大), 野平 博司, 澤野 憲太郎 (東京都市大)
TitleFormation and Evaluation of Al2O3 Layer by Direct ALD on Epitaxial SiGe
Author*Eriko Shigesawa (Tokyo City Univ.), Ryotaro Matsuoka (Keio Univ.), Ryosuke Sano (Tokyo City Univ.), Kohei Itoh (Keio Univ.), Hiroshi Nohira, Kentaro Sawano (Tokyo City Univ.)
ページpp. 145 - 148

P-8
題名エピタキシャル成長Ge上の原子層堆積法によるAl2O3を用いた低界面トラップ密度のGe MOSの作製
著者*松岡 諒太郎 (慶大), 澤野 憲太郎 (東京都市大), 伊藤 公平 (慶大)
TitleFabrication of Ge MOS with Low Interface Trap Density by ALD of Al2O3 on Epitaxially Grown Ge
Author*Ryotaro Matsuoka (Keio Univ.), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Kohei M. Itoh (Keio Univ.)
ページpp. 149 - 152

P-9
題名SiGeの熱酸化機構
著者宋 宇振, 李 秀妍, 野間 勇助, 西村 知紀, *鳥海 明 (東大)
TitleThermal oxidation kinetics of SiGe
AuthorWoojin Song, Xiuyan Li, Yusuke Noma, Tomonori Nishimura, *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 153 - 156

P-10
題名ボンディングによるn+-Si/p-Ge接合の形成，特性およびその可能性
著者劉 馳, 西村 知紀, *鳥海 明 (東大)
TitleUltimately Abrupt n+-Si/p-Ge Junctions Formed by Hetero-membrane Bonding
AuthorChi Liu, Tomonori Nishimura, *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 157 - 160

P-11
題名半導体界面における金属の仕事関数は真空仕事関数で良いか？
著者*西村 知紀, 羅 璇, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大)
TitleVacuum Work Function is Reasonable to Describe Band Alignment at Metal/Semiconductor Interface?
Author*Tomonori Nishimura, Xuan Luo, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 161 - 164

P-12
題名金属／Ge界面のFermi-level pinningに及ぼすGeの基板面方位効果
著者*西村 知紀, 羅 璇, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大)
TitleImpact of Ge Orientation on Fermi Level Pinning at Metal/Ge Interface
Author*Tomonori Nishimura, Xuan Luo, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 165 - 168

P-13
題名SiGe上のフェルミレベルピンニング：第IV族半導体のピンニングの起源
著者*羅 璇, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明 (東大)
TitleFermi Level Pinning on SiGe: the Origin of Pinning on Group IV Semiconductors
Author*Xuan Luo, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 169 - 172

P-14
題名強誘電体トンネル接合メモリ応用に向けた極薄強誘電体HfO2
著者田 旋 (東大), 右田 真司 (産総研), *鳥海 明 (東大)
TitleUltra-thin Ferroelectric HfO2 for Ferroelectric-tunnel-junction (FTJ) Memory
AuthorXuan Tian (Univ. of Tokyo), Shinji Migita (AIST), *Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 173 - 176

P-15
題名第一原理計算による a-SiO2中の点欠陥の荷電特性の検討
著者*白石 悠人, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-principle Study of Charging Properties of Points Defect in a-SiO2
Author*Yuto Shiraishi, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 177 - 180

P-16
題名高温下における電気的ストレス印加によるSiO2膜の電荷捕獲特性
著者*南家 健志, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleCharge trapping characteristics in SiO2 during Application of Electric Stress at High Temperature
Author*Takeshi Nanke, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 181 - 184

P-17
題名Si-p/n接合におけるトンネル電流の理論シミュレーション; 界面ポテンシャル変調の効果
著者*趙 祥勲, 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheoretical Simulation of Tunneling Current through Si-p/n Junction; Effects of Interface Potential Modulations
Author*Sanghun Cho, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 185 - 188

P-18
題名scDFT法による半導体電子状態の高精度計算
著者*濱田 智之, 大野 隆央 (NIMS)
TitleAccurate Electronic Structure Calculation of Semiconductors with scDFT Method
Author*Tomoyuki Hamada, Takahisa Ohno (NIMS)
ページpp. 189 - 192

P-19
題名熱-電気等価回路モデルを用いた横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスの効率評価
著者*富田 基裕, 熊田 剛大, 島 圭佑, �� 天卓 (早大), 張 慧 (群馬大), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEnergy Conversion Efficiency of Planar Si-nanowire Thermoelectric Generator by Using Equivalent Thermal and Electrical Circuit Model
Author*Motohiro Tomita, Takehiro Kumada, Keisuke Shima, Tianzhuo Zhan (Waseda Univ.), Hui Zhang (Gunma Univ.), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 193 - 196

P-20
題名ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定
著者*熊田 剛大, 中村 俊貴, 富田 基裕 (早大), 中田 壮哉 (名大), 高橋 恒太 (名古屋大/JSPS), 黒澤 昌志 (名古屋大/JSTさきがけ), 渡邉 孝信 (早大)
TitleStudy of Seebeck Coefficient Evaluation in Non-doped SiGe Wires with Composition Gradient
Author*Takehiro Kumada, Toshiki Nakamura, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Masaya Nakata (Nagoya Univ.), Kouta Takahashi (Nagoya Univ./JSPS), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./JST-PRESTO), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 197 - 200

P-21
題名金属/絶縁体積層熱伝導層の熱抵抗
著者*�� 天卓, 大和 亮, 徐 茂, 武澤 宏樹, 目崎 航平, 富田 基裕 (早大), 呉 彦儒, 徐 一斌 (NIMS), 渡邉 孝信 (早大)
TitleThermal Resistance of Metal/Insulator Multilayered Thermally Conductive Layers
Author*Tianzhuo Zhan, Ryo Yamato, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Yen-ju Wu, Yibin Xu (NIMS), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 201 - 204

P-22
題名ALD-Al2O3膜における構造変化と熱輸送特性
著者*中島 佑太 (東京理科大), 内田 紀行 (産総研), 大石 佑治 (阪大), 藤代 博記 (東京理科大), 服部 淳一, 福田 浩一, 前田 辰郎 (産総研)
TitleThermal Transport and Structural Change in ALD-Al2O3 Films
Author*Yuta Nakajima (Tokyo Univ. of Science), Noriyuki Uchida (Advance Industrial Science and Technology), Yuji Ohishi (Osaka Univ.), Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tatsurou Maeda (Advance Industrial Science and Technology)

P-23
題名AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axisと 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の研究
著者桑原 麻優, 佐野 良介, 荒井 仁 (東京都市大), 佐野 泰久 (阪大), *野平 博司 (東京都市大)
TitleAngle-Resolved Photoelectron Spectroscopy Studies of Initial Stage of Thermal Oxidation on 4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis Substrates
AuthorMayu Kuwabara, Ryosuke Sano, Hitoshi Arai (Tokyo City Univ.), Yasuhisa Sano (Osaka Univ.), *Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 205 - 208

P-24
題名熱酸化で形成したSiC MOS界面のBa拡散による特性改善
著者*芹澤 直也 (筑波大), 岡本 光央 (産総研), 蓮沼 隆 (筑波大), 原田 信介, 奥村 元 (産総研)
TitleImprovement of Thermally Oxidized SiO2/SiC Interface Characteristics by Ba Diffusion
Author*Naoya Serizawa (Univ. of Tsukuba), Mitsuo Okamoto (AIST), Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba), Shinsuke Harada, Hajime Okumura (AIST)
ページpp. 209 - 212

P-25
題名ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物層の脱炭素化
著者*土井 拓馬, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 柴山 茂久 (名大), 田岡 紀之 (産総研・名大GaN-OIL), 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleDecarbonization of SiCxOy Interlayer at Al2O3/SiC Interface by Post Oxygen Radical Treatment
Author*Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama (Nagoya Univ.), Noriyuki Taoka (AIST-NU GaN-OIL), Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 213 - 216

P-26
題名SiC上酸化膜の電気的ストレス耐性へのNOアニール効果
著者*吉川 元気, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleThe Effect of NO Annealing on Electrical Stress Tolerance of SiO2 on SiC
Author*Genki Kikkawa, Ryu Hasunuma (Tsukuba Univ.)
ページpp. 217 - 220

P-27
TitleInterface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
Author*Xufang Zhang, Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 221 - 224

P-28
題名温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
著者*武田 紘典 (阪大), 染谷 満 (産総研), 細井 卓治, 志村 考功 (阪大), 矢野 裕司 (筑波大), 渡部 平司 (阪大)
TitleInsight into Channel Conduction Mechanism of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-dependent Hall-effect Measurement
Author*Hironori Takeda (Osaka Univ.), Mitsuru Sometani (AIST), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura (Osaka Univ.), Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba), Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 225 - 228

P-29
題名SiCトレンチMOSFETにおけるトレンチ形状が反転層移動度に及ぼす影響
著者*朽木 克博, 渡辺 行彦 (豊田中研)
TitleEffect of Trench Shape on Inversion Carrier Effective Mobility in SiC Trench MOSFETs
Author*Katsuhiro Kutsuki, Yukihiko Watanabe (TOYOTA CENTRAL R&D LABS.)
ページpp. 229 - 232

P-30
題名蓄積モードGaN MOSFETのキャリア輸送特性
著者*田岡 紀之, Nguyen Trung, 山田 永, 高橋 言緒, 山田 寿一 (産総研-名大GaN-OIL), 久保 俊晴, 江川 孝志 (名工大), 清水 三聡 (産総研-名大GaN-OIL)
TitleCarrier Transport Properties in Accumulation-mode GaN MOSFETs
Author*Noriyuki Taoka, Nguyen Trung, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Toshikazu Yamada (AIST-NU GaN-OIL), Toshiharu Kubo, Takashi Egawa (Nagoya Inst. of Tech.), Mitsuaki Shimizu (AIST-NU GaN-OIL)
ページpp. 233 - 236

P-31
題名Hfリッチな組成のHfSiOxゲート絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの特性
著者*前田 瑛里香 (芝浦工大), 生田目 俊秀 (NIMS), 弓削 雅津也, 廣�� 雅史 (芝浦工大), 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹 (NIMS), 塩崎 宏司 (名大), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleCharacteristics of n-GaN MOS Capacitors with Hf-rich HfSiOx Gate Dielectrics
Author*Erika Maeda (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazuya Yuge, Masafumi Hirose (Shibaura Inst. of Tech.), Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda (NIMS), Koji Shiozaki (Nagoya Univ.), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 237 - 240

P-32
題名GaN薄膜における転位芯構造と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析
著者*中野 崇志, 長川 健太, 大河内 勇斗, 洗平 昌晃, 白石 賢二, 押山 淳 (名大), 草場 彰 (九大), 寒川 義裕 (九州大/名古屋大), 田中 敦之, 本田 善央, 天野 浩 (名大)
TitleTheoretical Study on Relationship between Threading Dislocation Core Structure and Electronic Property in GaN Thin Films
Author*Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yuto Ohkawauchi, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ.), Akira Kusaba (Kyushu Univ.), Yoshihiro Kangawa (Kyushu Univ./Nagoya Univ.), Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano (Nagoya Univ.)
ページpp. 241 - 244

P-33
題名反応性スパッタ法によるr面サファイア基板上無極性AlN薄膜作製条件の検討
著者*立島 滉大 (明大/NIMS), 長田 貴弘 (NIMS), 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂 (コメット), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS)
TitleGrowth Condition Optimization of Non-polar AlN on r-plane Sapphire Substrate Deposited by Reactive Sputtering
Author*Kota Tatejima (Meiji Univ./NIMS), Takahiro Nagata (NIMS), Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki (COMET), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS)
ページpp. 245 - 248

P-34
題名導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析
著者*山田 高寛, 寺島 大貴, 野崎 幹人 (阪大), 山田 永, 高橋 言諸, 清水 三聡 (産総研), 吉越 章隆 (原子力研究開発機構), 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleSynchrotron-Radiation X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of GaOx Interlayer Growth on GaN Substrate with Different Conduction Type
Author*Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki (Osaka Univ.), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu (AIST), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 249 - 252

P-35
題名Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較
著者*廣瀬 雅史 (芝浦工大), 生田目 俊秀 (NIMS), 弓削 雅津也, 前田 瑛里香 (芝浦工大), 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫 (NIMS), 大石 知司 (芝浦工大)
TitleComparisons of Electrical Properties of n-GaN and n-β-Ga2O3 Capacitors with Al2O3 Insulator
Author*Masafumi Hirose (Shibaura Inst. of Tech.), Toshihide Nabatame (NIMS), Kazuya Yuge, Erika Maeda (Shibaura Inst. of Tech.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide (NIMS), Tomoji Ohishi (Shibaura Inst. of Tech.)
ページpp. 253 - 256

P-36
題名Al2O3パッシベーション膜によるIn-Si-O-C TFTの正負バイアスストレス特性の改善
著者*栗島 一徳 (明大/NIMS/学振DC), 生田目 俊秀 (NIMS), 女屋 崇 (明大/NIMS/学振DC), 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleImprovement of Positive and Negative Gate-bias Stress Characteristics on In-Si-O-C TFT with an Al2O3 Passivation Layer
Author*Kazunori Kurishima (Meiji Univ./NIMS/JSPS Research Fellow DC), Toshihide Nabatame (NIMS), Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS/JSPS Research Fellow DC), Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 257 - 260

P-37
題名化学溶液堆積と結晶化によって成膜した強誘電体ナノ薄膜の構造と特性
著者*村上 秀樹, 藤木 凱 (久留米高専), 香野 淳, 田尻 恭之 (福岡大)
TitleCharacterization of Nanometer-Thick Ferroelectric Films Formed by Chemical Solution Deposition and Crystallization
Author*Hideki Murakami, Gai Fujiki (Kurume NCT), Atsushi Kohno, Takayuki Tajiri (Fukuoka Univ.)
ページpp. 261 - 263

P-38
題名GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価
著者*丹下 龍志 (名大), 黒澤 昌志 (名古屋大/JSTさきがけ), 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleCharacterization of Crystal Structure of Si1-xSnx Thin-film Grown on GaSb (001) Substrates
Author*Ryuji Tange (Nagoya Univ.), Masashi Kurosawa (Nagoya Univ./JST PRESTO), Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 265 - 268