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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第26回研究会)
プログラム

(「*」印は講演予定者を表す)
著者索引:   HERE

セッション表

表内のセッション名はそのセッション情報にリンクしています．

2021年1月22日(金)

オンライン会場
Opening
9:00 - 9:10
1  基調講演１
9:10 - 10:50
Break
10:50 - 11:20
2  招待・一般講演１
11:20 - 12:30
Lunch
12:30 - 13:30
3  招待・一般講演２
13:30 - 14:20
Break
14:20 - 14:40
P  (オンラインポスター会場)
ポスターセッション
14:40 - 16:40
Break
16:40 - 16:50
4  海外招待講演
16:50 - 17:20
Break
17:20 - 17:30
5  企画セッション
17:30 - 19:30
2021年1月23日(土)

オンライン会場
6  基調講演２
9:30 - 10:20
Break
10:20 - 10:40
7  招待・一般講演３
10:40 - 11:50
Lunch
11:50 - 12:50
8  招待・一般講演４
12:50 - 14:00
Break
14:00 - 14:20
9  招待・一般講演５
14:20 - 15:30
Break
15:30 - 15:50
10  招待・一般講演６
15:50 - 17:00
Break
17:00 - 17:10
Closing (Young award ceremony)
17:10 - 17:30
B  (オンライン懇親会会場 by Remo)
オンライン懇親会 (Remo)
17:30 - 19:30

論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2021年1月22日(金)

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セッション 1  基調講演１
日時: 2021年1月22日(金) 9:10 - 10:50
部屋: オンライン会場

1-1 (時間: 9:10 - 10:00)
題名(基調講演) [スペシャルレクチャー] 強誘電体の分極反転機構とHfO2強誘電性の特徴
著者*鳥海 明 (元・東京大学)
Title(Keynote Speech) [Special Lecture] Fundamentals of Polarization Switching and Ferroelectric Characteristics of HfO2
Author*Akira Toriumi (Ex. Univ. of Tokyo)
ページpp. 1 - 6

1-2 (時間: 10:00 - 10:50)
題名(基調講演) AIチップ設計拠点 -日本のAIチップに向けた取り組みと世界の動き-
著者*内山 邦男 (産総研)
Title(Keynote Speech) AI Chip Design Center -Japan's AI Chip Initiative and Global Movement-
Author*Kunio Uchiyama (AIST)
ページpp. 7 - 9

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セッション 2  招待・一般講演１
日時: 2021年1月22日(金) 11:20 - 12:30
部屋: オンライン会場

2-1 (時間: 11:20 - 11:50)
題名(招待講演) ハフニア系強誘電体薄膜を用いた1T1C型FeRAM
著者*奥野 潤, 国広 恭史, 小西 健太, 前村 英樹, 周藤 悠介, 菅谷 文孝, 塚本 雅則, 梅林 拓 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
Title(Invited Speech) SoC Compatible 1T1C FeRAM Memory Array Based on Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2
Author*Jun Okuno, Takafumi Kunihiro, kenta Konishi, Hideki Maemura, Yusuke Shuto, Fumitaka Sugaya, Masanori Tsukamoto, Taku Umebayashi (Sony Semiconductor Solutions)
ページpp. 11 - 14

2-2 (時間: 11:50 - 12:10)
題名HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果
著者*柴山 茂久, 永野 丞太郎, 坂下 満男, 中塚 理 (名大)
TitleEffect of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Appearance for HfO2-ZrO2 Solid Solution System
Author*Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 15 - 18

2-3 (時間: 12:10 - 12:30)
題名Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について
著者*小川 湧太郎, 洗平 昌晃 (名大), 遠藤 哲郎 (東北大), 白石 賢二 (名大/東北大)
TitleEffect of Nitrogen Impurity Atoms at Fe/MgO Interface on Magnetic Anisotropy and TMR
Author*Yutaro Ogawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./Tohoku Univ.)
ページpp. 19 - 23

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セッション 3  招待・一般講演２
日時: 2021年1月22日(金) 13:30 - 14:20
部屋: オンライン会場

3-1 (時間: 13:30 - 14:00)
題名(招待講演) 強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスターが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
著者*大原 隆裕, 前川 径一, 山口 直, 天羽生 淳, 佃 栄次, 大森 和幸, 島田 康弘, 国宗 依信, 井出 隆, 園田 賢一郎, 柳田 博史, 井上 真雄, 松浦 正純, 山下 朋弘 (ルネサス)
Title(Invited Speech) Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Threshold Voltage Distribution
Author*Takahiro Ohara, Keiichi Maekawa, Tadashi Yamaguchi, Atsushi Amo, Eiji Tsukuda, Kazuyuki Ohmori, Yasuhiro Shimada, Yorinobu Kunimune, Takashi Ide, Kenichiro Sonoda, Hiroshi Yanagita, Masao Inoue, Masazumi Matsuura, Tomohiro Yamashita (Renesas Electronics)
ページpp. 25 - 30

3-2 (時間: 14:00 - 14:20)
題名パルス測定法による低温度作製したHfxZr1-xO2薄膜の強誘電体スイッチング特性及び分極疲労メカニズムの研究
著者*女屋 崇 (明大/NIMS/Univ. of Texas, Dallas/学振DC), 生田目 俊秀 (NIMS), Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim (Univ. of Texas, Dallas), 澤本 直美 (MREL), 長田 貴弘 (NIMS), Jiyoung Kim (Univ. of Texas, Dallas), 小椋 厚志 (明大/MREL)
TitleStudy on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1-xO2 Thin Films Using Pulse Measurement
Author*Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS/Univ. of Texas, Dallas/JSPS Research Fellow DC), Toshihide Nabatame (NIMS), Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim (Univ. of Texas, Dallas), Naomi Sawamoto (MREL), Takahiro Nagata (NIMS), Jiyoung Kim (Univ. of Texas, Dallas), Atsushi Ogura (Meiji Univ./MREL)
ページpp. 31 - 34

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セッション 4  海外招待講演
日時: 2021年1月22日(金) 16:50 - 17:20
部屋: オンライン会場

4-1 (時間: 16:50 - 17:20)
Title(Invited Speech) Gate Stack Process Optimization and Fin Surface Oxidation Control for Si-cap-free Low-DIT SiGe pFET
Author*Hiroaki Arimura, K. Wostyn, L.-Å. Ragnarsson, T. Conard, S. Brus, A. Chasin, J. Franco, E. Capogreco, J. Mitard, N. Horiguchi (imec)
ページpp. 35 - 38

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セッション 5  企画セッション
日時: 2021年1月22日(金) 17:30 - 19:30
部屋: オンライン会場

5-1 (時間: 17:30 - 17:40)
題名(イントロダクトリートーク) 緊急開催！Web討論〜日本の半導体産業のグローバル化と今後〜
著者*長田 貴弘 (NIMS), 小川 慎吾 (東レリサーチセンター)
Title(Introductory Talk) Globalization and Future of the Japanese Semiconductor Industry
Author*Takahiro Nagata (NIMS), Shingo Ogawa (Toray Research Center)

5-2 (時間: 17:40 - 18:00)
題名(招待講演) なぜ、日本の半導体シリコンウェーハ製造技術が強いのか？
著者*泉妻 宏治 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
Title(Invited Speech) Why is Silicon Wafer Manufacturing Technology of Japan Strong in the Semiconductor Market?
Author*Koji Izunome (GlobalWafers Japan)

5-3 (時間: 18:00 - 18:20)
題名(招待講演) 東京エレクトロン ~ 新技術・イノベーション創出のために ~
著者*鄭 基市 (東京エレクトロン)
Title(Invited Speech) Tokyo Electron ~ For Creating New Technology and Innovation ~
Author*Gishi Chung (Tokyo Electron)

5-4 (時間: 18:20 - 18:40)
題名(招待講演) 今こそ日本で半導体!
著者*石丸 一成 (キオクシア)
Title(Invited Speech) Semiconductors in Japan Now!
Author*Kazunari Ishimaru (Kioxia)

5-5 (時間: 18:40 - 19:00)
題名(招待講演) フランスに見る持続可能なイノベーションのためのヒント
著者*田畑 俊行 (LASSE)
Title(Invited Speech) Hints for Sustainable Innovation from France
Author*Toshiyuki Tabata (LASSE)

5-6 (時間: 19:00 - 19:30)
題名(パネルディスカッション) 緊急開催！Web討論〜日本の半導体産業のグローバル化と今後〜
Title(Panel Discussion) Globalization and Future of the Japanese Semiconductor Industry


2021年1月23日(土)

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セッション 6  基調講演２
日時: 2021年1月23日(土) 9:30 - 10:20
部屋: オンライン会場

6-1 (時間: 9:30 - 10:20)
題名(基調講演) 日本半導体の復活に世界の知恵を活かそう
著者*津田 建二 (国際技術ジャーナリスト)
Title(Keynote Speech) Revival of Japan Semiconductors Should Make Use of Global Intelligence
Author*Kenji Tsuda (Independent Tech Journalist)
ページpp. 39 - 41

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セッション 7  招待・一般講演３
日時: 2021年1月23日(土) 10:40 - 11:50
部屋: オンライン会場

7-1 (時間: 10:40 - 11:10)
題名(招待講演) 二次元材料をチャネルとするFET
著者*若林 整 (東工大)
Title(Invited Speech) FETs Using 2D Semiconductor as a Channel Material
Author*Hitoshi Wakabayashi (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 43 - 44

7-2 (時間: 11:10 - 11:30)
題名Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討
著者*中西 徹, 長川 健太, 洗平 昌晃 (名大), 年吉 洋 (東大), 杉山 達彦, 橋口 原 (静岡大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on the Negative Charge Storing Mechanism of K Ion Electret and Its Fabrication Guidelines
Author*Toru Nakanishi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Hiroshi Toshiyoshi (Univ. of Tokyo), Tatsuhiko Sugiyama, Gen Hashiguchi (Shizuoka Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 45 - 50

7-3 (時間: 11:30 - 11:50)
題名ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察
著者*榊原 聡真, 長川 健太, 洗平 昌晃 (名大), 草場 彰 (九大), 寒川 善裕 (名古屋大/九州大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Study on the Effect of H2 and NH3 on the TMG Decomposition Process in GaN MOVPE Using Ab-inito Calculations
Author*Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai (Nagoya Univ.), Akira Kusaba (Kyushu Univ.), Yoshihiro Kangawa (Nagoya Univ./Kyushu Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 51 - 56

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セッション 8  招待・一般講演４
日時: 2021年1月23日(土) 12:50 - 14:00
部屋: オンライン会場

8-1 (時間: 12:50 - 13:20)
題名(招待講演) DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析
著者*中島 寛, Wei-Chen Wen, 山本 圭介, 王 冬 (九大)
Title(Invited Speech) Trap Characterization for Ge Gate Stacks by DLTS Method
Author*Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang (Kyushu Univ.)
ページpp. 57 - 60

8-2 (時間: 13:20 - 13:40)
題名Bi誘起層交換成長法によるn型GeSn低温形成
著者*河原 聡, 劉 森, 佐道 泰造 (九大)
TitleLow-Temperature Formation of n-type GeSn on Insulator by Bi-Induced Layer Exchange Crystallization
Author*Satoshi Kawahara, Sen Liu, Taizoh Sadoh (Kyushu Univ.)
ページpp. 61 - 62

8-3 (時間: 13:40 - 14:00)
題名高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長
著者*松村 亮, 深田 直樹 (NIMS)
TitleGrowth of Ge and GeSn by High Speed CW Laser Annealing
Author*Ryo Matsumura, Naoki Fukata (NIMS)
ページpp. 63 - 66

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セッション 9  招待・一般講演５
日時: 2021年1月23日(土) 14:20 - 15:30
部屋: オンライン会場

9-1 (時間: 14:20 - 14:50)
題名(招待講演) ICとAIを用いたパワーデバイスの新たな価値創造
著者*高宮 真 (東大)
Title(Invited Speech) Future Power Devices Using ICs and AI
Author*Makoto Takamiya (Univ. of Tokyo)
ページpp. 67 - 68

9-2 (時間: 14:50 - 15:10)
題名4H-SiC/SiO2界面構造に対する窒素アニーリングの影響に関する理論的検討
著者*清水 紀志, 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳 (三重大), 影島 博之 (島根大), 植松 真司 (慶大), 白石 賢二 (名大)
TitleTheoretical Investigations for the Effects of Nitrogen Annealing on 4H-SiC/SiO2 Interface Structure
Author*Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito (Mie Univ.), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ.), Masashi Uematsu (Keio Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 69 - 73

9-3 (時間: 15:10 - 15:30)
題名低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響
著者*土井 拓馬, 柴山 茂久, 坂下 満男 (名大), 清水 三聡 (名大・産総研GaN-OIL), 中塚 理 (名大)
TitleImpact of MIGS on Schottky Barrier Height of Low Work Function Metal/4H-SiC Interface
Author*Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita (Nagoya Univ.), Mitsuaki Shimizu (AIST-NU GaN-OIL), Osamu Nakatsuka (Nagoya Univ.)
ページpp. 75 - 78

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セッション 10  招待・一般講演６
日時: 2021年1月23日(土) 15:50 - 17:00
部屋: オンライン会場

10-1 (時間: 15:50 - 16:10)
題名マイクロ熱電発電デバイスの発電に及ぼす金属/絶縁体積層ヒートガイド層の界面熱抵抗の影響
著者*ジャン 天卓, 馬 帥哲, 金 志成, 武澤 宏樹, 目崎 航平, 富田 基裕 (早大), 呉 彦儒, 徐 一斌 (NIMS), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEffect of Thermal Boundary Resistance in Metal/Dielectric Heat Guide Layers on Power Generation of Microthermoelectric Generators
Author*Tianzhuo Zhan, Shuaizhe Ma, Zhicheng Jin, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Yen-ju Wu, Yibin Xu (NIMS), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 79 - 83

10-2 (時間: 16:10 - 16:30)
題名ゲートスタック界面反応における時分割深さ方向分布解析法の開発: NAP-HARPESから4D-XPSへ
著者*豊田 智史 (東北大), 山本 知樹 (兵庫県立大), 吉村 真史 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 吉越 章隆 (原研), 鈴木 哲, 横山 和司 (兵庫県立大), 大橋 雄二, 黒澤 俊介, 鎌田 圭, 佐藤 浩樹, 山路 晃広, 吉野 将生, 花田 貴, 横田 有為, 吉川 彰 (東北大)
TitleDeveloping Time-Division Analysis Techniques for Depth Profiles of Reactions at the Gate-Stack Interface: From NAP-HARPES to 4D-XPS
Author*Satoshi Toyoda (Tohoku Univ.), Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Masashi Yoshimura (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Satoru Suzuki, Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo), Yuji Ohashi, Shunsuke Kurosawa, Kei Kamada, Hiroki Sato, Akihiro Yamaji, Masao Yoshino, Takashi Hanada, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa (Tohoku Univ.)
ページpp. 85 - 90

10-3 (時間: 16:30 - 17:00)
題名(招待講演) シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
著者*森 貴洋, 岡 博史, 飯塚 将太 (産総研), 森山 悟士 (東京電機大), 伴 芳祐, 大野 圭司 (理研)
Title(Invited Speech) High-Temperature Operation of TFET-Based Qubits for Silicon Quantum Computers
Author*Takahiro Mori, Hiroshi Oka, Shota Iizuka (AIST), Satoshi Moriyama (Tokyo Denki Univ.), Yoshisuke Ban, Keiji Ono (RIKEN)
ページpp. 91 - 93


2021年1月22日(金)

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セッション P  ポスターセッション
日時: 2021年1月22日(金) 14:40 - 16:40
部屋: オンラインポスター会場

P-1
題名金属Hf/Zrの熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響
著者*長谷川 遼介, 田岡 紀之, 大田 晃生, 牧原 克典, 池田 弥央, 宮�� 誠一 (名大)
TitleImpacts of Thermal Oxidation Process of Hf/Zr Stacks on Crystalline Phases and Ferroelectric Property
Author*Ryosuke Hasegawa, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 95 - 98

P-2
題名強誘電HfO2相の安定性における帯電と歪の複合効果：第一原理計算による検討
著者*新井 千慧, 白石 悠人 (千葉大), 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大), 中山 隆史 (千葉大)
TitleCombined Effect of Charging and Strain on Stability of Ferroelectric HfO2 Phase: First-Principles Study
Author*Kazuaki Arai, Yuto Shiraishi (Chiba Univ.), Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.), Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 99 - 102

P-3
題名金属酸化物中の酸素空孔の拡散と分布形態： 第一原理計算に基づくその化学的傾向の検討
著者*笈川 拓也, 中山 隆史 (千葉大)
TitleDiffusion and Distribution of Oxygen Vacancy in Various Metal Oxides: First-principles Study on Its Chemical Trend
Author*Takuya Oikawa, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 103 - 107

P-4
題名p/n接合中の共鳴不純物準位によるトンネル電流の増大： 直接・間接バンドギャップ系の比較
著者*趙 祥勲, 中山 隆史 (千葉大)
TitleEnhancement of Tunneling Currents by Resonant Impurity States in p/n Junction: Comparison of Direct and Indirect Band-gap Systems
Author*Sanghun Cho, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 109 - 113

P-5
題名Ag/Ge構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge結晶形成
著者*大田 晃生, 山田 憲蔵, 須川 響, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleGrowth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure
Author*Akio Ohta, Kenzou Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 115 - 120

P-6
題名Sapphire(0001)上アモルファスGe薄膜の固相結晶化
著者*須川 響, 大田 晃生, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮�� 誠一 (名大)
TitleSolid Phase Crystallization of Amorphous Ge Thin Films on Sapphire(0001)
Author*Hibiki Sugawa, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 121 - 125

P-7
題名プラズマCVDを用いたSiO2/GeO2/Ge MOS構造の形成技術開発
著者*小俣 快晴, 澤野 憲太郎, 中川 清和 (東京都市大), 荒井 哲司, 高松 利行 (アビットテクノロジー)
TitleDevelopment of Fabrication Technology for SiO2/GeO2/Ge MOS Structure with Plasma-enhanced CVD
Author*Kaisei Omata, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa (Tokyo City Univ.), Tetsuji Arai, Toshiyuki Takamatsu (Abit Technologies)
ページpp. 127 - 130

P-8
題名a-SiキャップによるSn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上
著者*原 龍太郎, 千代薗 修典, 佐道 泰造 (九大)
TitleImproved Carrier Mobility of Sn Doped Ultrathin Ge/ Insulator by a-Si Capping
Author*Ryutaro Hara, Masanori Chiyozono, Taizoh Sadoh (Kyushu Univ.)
ページpp. 131 - 132

P-9
題名Sb添加Ge縦型pnダイオードの電気特性に及ぼす基板加熱堆積の効果
著者*サプトロ ラハマト ハディ (筑波大), 松村 亮 (NIMS), 深田 直樹 (筑波大)
TitleEffect of Substrate Heating Deposition on Electrical Properties of Sb-doped Ge Vertical pn-Diode
Author*Rahmat Hadi Saputro (Univ. of Tsukuba), Ryo Matsumura (NIMS), Naoki Fukata (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 133 - 136

P-10
題名高対称相構造を有する低Y2O3濃度YSZ薄膜のイオン伝導特性
著者*西村 知紀 (東大), 小島 俊哉 (東北大), 長汐 晃輔, 丹羽 正昭 (東大)
TitleIon Conductive Character of Low-Y2O3-content YSZ with High Symmetric Structure
Author*Tomonori Nishimura (Univ. of Tokyo), Toshiya Kojima (Tohoku Univ.), Kosuke Nagashio, Masaaki Niwa (Univ. of Tokyo)
ページpp. 137 - 140

P-11
題名サブバンド準位を用いたナノメートル深さのSi バンド湾曲形状の導出
著者アヨブ ヌル イダユ (Islamic International Univ. Malaysia), 稲垣 剛 (Quemix), *武田 さくら (NAIST)
TitlePotential Profile of Nano-Sized Band Bending Obtained by the Subband Energy Levels
AuthorNur Idayu Ayob (Islamic International Univ. Malaysia), Takeshi J Inagaki (Quemix), *Sakura Nishino Takeda (NAIST)
ページpp. 141 - 146

P-12
題名2次元量子化によるIII-V族半導体の電子有効質量の変化の評価
著者*黒崎 真帆, 南 興 (NAIST), マンゴルド マキシミリアン (レーゲンスブルク大学), 武田 さくら (NAIST)
TitleEvaluating Effective Mass of Semiconductors Changed by Quantization in a 2D Quantum Well
Author*Maho Kurosaki, Ko Minami (NAIST), Maximilian Mangold (Univ. of Regensburg), Sakura Nishino Takeda (NAIST)
ページpp. 147 - 150

P-13
題名SEM観察時における電子線照射がMOS構造に与える影響
著者*阿部 晃太郎, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEffect of Electron Beam Irradiation on MOS Structure during SEM Observation
Author*Kotaro Abe, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 151 - 155

P-14
題名AR-XPSを用いたAlScN/TiNの価電子帯の不連続量と界面構造の評価
著者*辻口 良太 (東京都市大), 蔡 松霖, 片岡 淳司, 角嶋 邦之 (東工大), 野平 博司 (東京都市大)
TitleEvaluation of Valence Band Discontinuity and Interface Structure of AlScN / TiN Using AR-XPS
Author*Ryota Tsujiguchi (Tokyo City Univ.), Sung-Lin Tsai, Atsushi kataoka, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 157 - 160

P-15
題名HF溶液中でのエッチング時の容量変化測定によるSiO2膜中電荷分布評価
著者*緒方 将志, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEvaluation of Charge Distribution in SiO2 Film by Capacitance Measurement during Etching in HF Solution
Author*Masashi Ogata, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 161 - 164

P-16
題名SOI基板に形成したキャビティ・フリーSi細線のゼーベック係数の評価と検討
著者*富田 基裕, 片山 和明, 平尾 修平, 田邉 咲華 (早大), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 猪川 洋 (静岡大), 渡邉 孝信 (早大)
TitleSeebeck Coefficient Evaluation of Cavity-free Si Wire Formed from SOI Substrate
Author*Motohiro Tomita, Kazuaki Katayama, Shuhei Hirao, Sakika Tanabe (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Hiroshi Inokawa (Shizuoka Univ.), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 165 - 168

P-17
題名短レグ長におけるプレーナ型バイレグ熱電発電デバイスの広がり抵抗の影響
著者*織田 海斗, 安部 克基, ハサン マフズ, 富田 基裕 (早大), 松川 貴, 松木 武雄 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleEffect of Spreading Resistance in Short-Leg Planar Bileg Thermoelectric Generator
Author*Kaito Oda, Katsuki Abe, Mahfuz Hasan, Motohiro Tomita (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 169 - 172

P-18
題名On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析
著者*岡本 大 (筑波大), 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介 (産総研), 畠山 哲夫 (富山県立大)
TitleAnalysis of NBTI Degradation in SiC MOSFETs by On-the-fly Charge Pumping
Author*Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada (AIST), Tetsuo Hatakeyama (Toyama Prefectural Univ.)
ページpp. 173 - 176

P-19
題名界面欠陥を起因とする歪が誘起するSiC/SiO2界面の極浅欠陥準位
著者*白石 賢二, 長川 健太 (名大)
TitleVery Shallow Interface Defects at SiC/SiO2 Interfaces Induced by Defect Induced Strain
Author*Kenji Shiraishi, Kenta Chokawa (Institute of Materials and Systems for Sustainability)
ページpp. 177 - 180

P-20
題名SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察
著者*畠山 哲夫 (富山県立大), 平井 悠久, 染谷 満 (産総研), 岡本 大 (筑波大), 岡本 光央, 原田 信介 (産総研)
TitleTheoretical Investigation on the Degradation Mechanism of the Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs
Author*Tetsuo Hatakeyama (Toyama prefectural Univ.), Hirohisa HIrai, Mitsuru Sometani (AIST), Dai Okamoto (Tsukuba Univ.), Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada (AIST)
ページpp. 181 - 184

P-21
題名金属/SiC界面のショットキーバリアの界面原子による変調： 第一原理計算による検討
著者*西本 瑛, 中山 隆史 (千葉大)
TitleModulation of Schottky Barrier at Metal/SiC Interfaces by Interfacial Atoms: First-Principles Study
Author*Akira Nishimoto, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 185 - 189

P-22
題名Ba拡散法とNO窒化の組み合わせによる4H-SiC Si面MOSFETの電界効果移動度向上
著者*関根 将吾 (筑波大), 岡本 光央, 染谷 満, 平井 悠久 (産総研), 芹澤 直也, 蓮沼 隆 (筑波大), 原田 信介 (産総研)
TitleField Effect Mobility Improvement of 4H-SiC Si-face MOSFET by Ba Diffusion Process and NO Passivation
Author*Shogo Sekine (Univ. of Tsukuba), Mitsuo Okamoto, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai (AIST), Naoya Serizawa, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba), Shinsuke Harada (AIST)
ページpp. 191 - 194

P-23
題名水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源
著者*溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleOrigin of Anomalous Fixed Charges at the SiO2/GaN Interface due to Forming Gas Annealing
Author*Hidetoshi Mizobata, Yuhei Wada, Mikito Nozaki, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 195 - 199

P-24
題名第一原理計算による(Al2O3)1-x(SiO2)x/GaN界面の原子構造と電子構造の解明
著者*長川 健太, 白石 賢二, 押山 淳 (名大)
TitleAb-initio Calculation Study on the Atomic and Electronic Structures at the (Al2O3)1-x(SiO2)x/GaN Interfaces
Author*Kenta Chokawa, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama (Nagoya Univ.)
ページpp. 201 - 204

P-25
題名MnSバッファー層を用いたSi基板上無極性面AlN成長の作製条件の検討
著者*森田 雅也 (明大/NIMS), 石橋 啓次, 高橋 健一郎 (コメット), 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大), 長田 貴弘 (NIMS)
TitleStudy on the Growth Conditions of Non-polar AlN on Si with MnS Buffer Layer
Author*Masaya Morita (Meiji Univ./NIMS), Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi (COMET), Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Takahiro Nagata (NIMS)
ページpp. 205 - 208

P-26
題名HfO2強誘電体キャパシタの放電電荷量に基づくスイッチング電圧の測定
著者*西村 啓佑, 水谷 一翔, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之 (東工大)
TitleObservation of Switching Voltage in Ferroelectric HfO2 Films by Discharge Measurement
Author*Keisuke Nishimura, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 209 - 211


2021年1月23日(土)

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セッション B  オンライン懇親会 (Remo)
日時: 2021年1月23日(土) 17:30 - 19:30
部屋: オンライン懇親会会場 by Remo