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「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第23回研究会)
プログラム


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セッション表

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2018年1月18日(木)

T  チュートリアル
20:00 - 21:30

2018年1月19日(金)

Opening
8:50 - 9:00
1  新デバイス
9:00 - 10:10
Coffee break
10:10 - 10:30
2  基調講演1
10:30 - 11:20
3  熱電デバイス
11:20 - 12:00
Lunch (Group photo)
12:00 - 13:20
4  基調講演2
13:20 - 14:10
5  評価1
14:10 - 14:50
Coffee break
14:50 - 15:10
S  企画セッション
15:10 - 17:35
P  ポスターセッション
20:00 - 22:00

2018年1月20日(土)

6  HfO2系強誘電体デバイス
8:30 - 10:00
Coffee break
10:00 - 10:30
7  IV族デバイス
10:30 - 12:20
Lunch
12:20 - 13:40
8  パワーデバイス
13:40 - 15:10
Coffee break
15:10 - 15:40
9  評価2
15:40 - 16:40
Break
16:40 - 16:50
Closing (Young award ceremony)
16:50 - 17:30


論文一覧

(「*」印は講演予定者を表す)

2018年1月18日(木)

セッション T  チュートリアル
日時: 2018年1月18日(木) 20:00 - 21:30

T-1 (時間: 20:00 - 21:30)
題名シリコンをプラットフォームとした異種材料集積光回路の現状と将来
著者*西山 伸彦 (東工大)
TitleCurrent Status and Future Prospect of Heterogeneous Material Photonic Integrated Circuit on Si-platform
Author*Nobuhiko Nishiyama (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 227 - 259



2018年1月19日(金)

セッション 1  新デバイス
日時: 2018年1月19日(金) 9:00 - 10:10

1-1 (時間: 9:00 - 9:30)
題名(招待講演) 生体機能に倣ったゆらぎと共存協調する電子デバイス
著者*葛西 誠也 (北大)
Title(Invited Speech) Bio-inspired Electron Devices for Coexisting with Fluctuation
Author*Seiya Kasai (Hokkaido Univ.)
ページpp. 1 - 4

1-2 (時間: 9:30 - 9:50)
題名極薄ZnOチャネルトランジスタに向けたTiN/Al2O3/ZnOゲートスタック構造の後プラズマ/熱処理の効果
著者*加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleImpact of Post Plasma/thermal Treatments on TiN/Al2O3/ZnO Gate Stacks for TFT with Thin ZnO Channel
Author*Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 5 - 8

1-3 (時間: 9:50 - 10:10)
題名横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
著者*冨田 崇史, 岡 博史, 井上 慶太郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleLow-Temperature Optical Property and Cavity Formation of Tensile-Strained Highly n-Doped Ge Wires Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
Author*Takashi Tomita, Hiroshi Oka, Keitaro Inoue, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 9 - 12


セッション 2  基調講演1
日時: 2018年1月19日(金) 10:30 - 11:20

2-1 (時間: 10:30 - 11:20)
題名(基調講演) MCUイノベーションと組込みシステムのロードマップ(エンベデッドデバイスの果たす役割)
著者*日高 秀人 (ルネサスエレクトロニクス)
Title(Keynote Speech) Technological Challenges for Embedded Systems in the Society 5.0 Age
Author*Hideto Hidaka (Renesas Electronics)
ページpp. 13 - 16


セッション 3  熱電デバイス
日時: 2018年1月19日(金) 11:20 - 12:00

3-1 (時間: 11:20 - 11:40)
題名分子動力学法を用いた熱輸送シミュレーションのための多元系IV-IV族混晶半導体用ポテンシャルの検討
著者*富田 基裕, 小笠原 成崇, 寺田 拓哉, 渡邉 孝信 (早大)
TitleDevelopment of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Thermal Simulation
Author*Motohiro Tomita, Masataka Ogasawara, Takuya Terada, Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 17 - 20

3-2 (時間: 11:40 - 12:00)
題名SiO2/Si界面欠陥がナノワイヤ型シリコンデバイスの熱電特性に及ぼす影響
著者*橋本 修一郎, 大場 俊輔, 姫田 悠矢, 大和 亮 (早大), 松川 貴 (産総研), 松木 武雄 (早大/産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleAn Influence of Interfacial Defects along SiO2/Si on Thermoelectric Characteristics of Si Nanowires
Author*Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takeo Matsuki (Waseda Univ./AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 21 - 24


セッション 4  基調講演2
日時: 2018年1月19日(金) 13:20 - 14:10

4-1 (時間: 13:20 - 14:10)
題名(基調講演) ビックデータの活用によるメモリ製造革新 −半導体製造の歩留解析支援システム−
著者*赤堀 浩史 (東芝メモリ)
Title(Keynote Speech) Utilization of Big Data for Innovation in Semiconductor Memory Manufacturing −Comprehensive Big-Data-Based Monitoring System for Yield Analysis in Semiconductor Manufacturing−
Author*Hiroshi Akahori (Toshiba Memory)
ページpp. 25 - 28


セッション 5  評価1
日時: 2018年1月19日(金) 14:10 - 14:50

5-1 (時間: 14:10 - 14:30)
題名ARPESによるイオン打ち込みSi(001)の活性ドーパント濃度の評価
著者*比嘉 友大, 武田 さくら, 江波戸 達哉, 米田 允俊, 藤中 秋輔, 森田 一帆, 森本 夏輝 (NAIST), A. K. R. Ang (名工大), 大門 寛 (NAIST), 筒井 一生 (東工大)
TitleActive Dopant Concentration in As-implanted Si(001) Studied by ARPES
Author*Yudai Higa, Sakura Nishino Takeda, Tatsuya Ebato, Masatoshi Yoneda, Akiho Fujinaka, Kazuho Morita, Natsuki Morimoto (NAIST), A. K. R. Ang (Nagoya Inst. of Tech.), Hiroshi Daimon (NAIST), Kazuo Tsutsui (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 29 - 32

5-2 (時間: 14:30 - 14:50)
題名環境型硬X線角度分解光電子分光データを用いた積層薄膜界面の深さ方向解析 -L1ノルム正則化法と最大エントロピー法の融合-
著者*豊田 智史 (京大), 梶野 雄太, 山本 知樹 (兵庫県立大), 首藤 大器, 野瀬 惣市, 水野 勇 (スプリングエイトサービス), 住田 弘祐, 三根生 晋 (マツダ), 町田 雅武 (シエンタオミクロン), 横山 和司 (兵庫県立大)
TitleDepth Profiling of Stacked-Film Interfaces by Near Ambient Pressure Hard X-ray Angle Resolved Photoemission Spectroscopy -Assimilation of L1-norm Regularization with Maximum Entropy Methods-
Author*Satoshi Toyoda (Kyoto Univ.), Yuta Kajino, Tomoki Yamamoto (Univ. of Hyogo), Motoki Sudo, Soichi Nose, Isao Mizuno (SPring-8 Service), Hirosuke Sumida, Susumu Mineoi (Mazda), Masatake Machida (Scienta Omicron), Kazushi Yokoyama (Univ. of Hyogo)
ページpp. 33 - 36


セッション S  企画セッション
日時: 2018年1月19日(金) 15:10 - 17:35
モデレータ: 矢嶋 赳彬 (東大), 岡田 健治 (パナソニック・タワージャズ セミコンダクター)

S-1 (時間: 15:10 - 15:15)
題名(イントロダクトリートーク) はじめに: ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術
著者矢嶋 赳彬 (東大), 岡田 健治 (パナソニック・タワージャズ セミコンダクター)
Title(Introductory Talk) Introduction: What Will Become the Element Technology for the Post-deep-learning Neuro-chip
AuthorTakeaki Yajima (Univ. of Tokyo), Kenji Okada (TowerJazz Panasonic Semiconductor Company)

S-2 (時間: 15:15 - 15:45)
題名(招待講演) 脳型アナログ集積回路開発の経緯と展望
著者*森江 隆 (九工大)
Title(Invited Speech) Retrospection and Outlook of Brain-like Analog Integrated Circuit Development
Author*Takashi Morie (Kyushu Inst. of Tech.)
ページpp. 37 - 40

S-3 (時間: 15:45 - 16:15)
題名(招待講演) 時空間相関をもつ揺らぎの探索能力を活用するアメーバ型コンピューティング
著者*青野 真士 (慶大)
Title(Invited Speech) Amoeba-inspired Computing Exploiting Search Ability of Fluctuations with Spatial and Temporal Correlations
Author*Masashi Aono (Keio Univ.)
ページpp. 41 - 44

S-4 (時間: 16:15 - 16:45)
題名(招待講演) 原子スイッチを用いたシナプス動作
著者*長谷川 剛 (早大)
Title(Invited Speech) Synaptic Function of Atomic Switches
Author*Tsuyoshi Hasegawa (Waseda Univ.)
ページpp. 45 - 46

S-5 (時間: 16:45 - 17:15)
題名(招待講演) 脳のリバースエンジニアリングと創発コンピューティング
著者高橋 宏知 (東大)
Title(Invited Speech) Reverse-Engineering of the Brain towards Emergent Computing
AuthorHirokazu Takahashi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 47 - 50

S-6 (時間: 17:15 - 17:35)
題名(パネルディスカッション) ポストディープラーニングに向けたニューロチップの基盤技術
著者パネリスト: 森江 隆 (九工大), 青野 真士 (慶大), 長谷川 剛 (早大), 高橋 宏知 (東大)
Title(Panel Discussion) What Will Become the Element Technology for The Post-deep-learning Neuro-chip
AuthorPanelists: Takashi Morie (Kyushu Inst. of Tech.), Masashi Aono (Keio Univ.), Tsuyoshi Hasegawa (Waseda Univ.), Hirokazu Takahashi (Univ. of Tokyo)



2018年1月20日(土)

セッション 6  HfO2系強誘電体デバイス
日時: 2018年1月20日(土) 8:30 - 10:00

6-1 (時間: 8:30 - 9:00)
題名(招待講演) 超低消費電力エレクトロニクスに向けた強誘電体HfO2系薄膜材料による デバイス技術のブレークスルー
著者*小林 正治 (東大)
Title(Invited Speech) Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO2-based Material for Ultralow Power Electronics
Author*Masaharu Kobayashi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 51 - 54

6-2 (時間: 9:00 - 9:20)
題名強誘電体負性容量トランジスタのTCADシミュレーションにおける過渡解析の重要性
著者*太田 裕之, 右田 真司, 池上 努, 服部 淳一, 浅井 栄大, 福田 浩一 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleImportance of Transient Analysis in TCAD Simulation of Ferroelectric Negative Capacitance FET
Author*Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Tsutomu Ikegami, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Koichi Fukuda (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 55 - 58

6-3 (時間: 9:20 - 9:40)
題名イオン注入技術で合成するHfO2系強誘電体薄膜
著者*右田 真司, 太田 裕之, 山田 浩之, 渋谷 圭介, 澤 彰仁, 松川 貴 (産総研), 鳥海 明 (東大)
TitleSynthesis of Ferroelectric HfO2 Thin Films Using Ion Implantation Technique
Author*Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Hiroyuki Yamada, Keisuke Shibuya, Akihito Sawa, Takashi Matsukawa (AIST), Akira Toriumi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 59 - 62

安田賞 口頭講演
6-4 (時間: 9:40 - 10:00)
題名上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性の向上
著者*女屋 崇 (明大/NIMS), 生田目 俊秀 (NIMS/JST CREST), 澤本 直美 (明大), 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕 (NIMS), 小椋 厚志 (明大)
TitleImprovement of Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 Thin Films Using Top- and Bottom-ZrO2 Nucleation Layers
Author*Takashi Onaya (Meiji Univ./NIMS), Toshihide Nabatame (NIMS/JST CREST), Naomi Sawamoto (Meiji Univ.), Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow (NIMS), Atsushi Ogura (Meiji Univ.)
ページpp. 63 - 66


セッション 7  IV族デバイス
日時: 2018年1月20日(土) 10:30 - 12:20

7-1 (時間: 10:30 - 11:00)
題名(招待講演) 半導体スピントロニクスにおける強磁性体/半導体ヘテロ界面の重要性
著者*浜屋 宏平 (阪大)
Title(Invited Speech) Ferromagnet-Semiconductor Heterointerfaces for Semiconductor Spintronics
Author*Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページpp. 67 - 70

7-2 (時間: 11:00 - 11:20)
題名SiGe(111)上の高スピン偏極Co系ホイスラー合金のエピタキシャル成長
著者*山田 道洋, 内藤 貴大, 塚原 誠人, 藤田 裕一, 山田 晋也 (阪大), 澤野 憲太郎 (東京都市大), 浜屋 宏平 (阪大)
TitleGrowth of Highly Spin Polarized Co-based Heusler Alloy on SiGe(111)
Author*Michihiro Yamada, Takahiro Naito, Makoto Tsukahara, Yuichi Fujita, Shinya Yamada (Osaka Univ.), Kentarou Sawano (Tokyo City Univ.), Kohei Hamaya (Osaka Univ.)
ページpp. 71 - 74

7-3 (時間: 11:20 - 11:40)
題名Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の電気的評価
著者*金田 裕一, 池 進一, 兼松 正行, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleElectronic Characterization of Defects in Ge1-xSnx Gate Stack Structure
Author*Yuichi Kaneda, Shinichi Ike, Masayuki Kanematsu, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 75 - 78

7-4 (時間: 11:40 - 12:00)
題名エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価
著者*繁澤 えり子, 福本 将士 (東京都市大), 松岡 諒太郎 (慶大), 佐野 良介 (東京都市大), 伊藤 公平 (慶大), 澤野 憲太郎, 野平 博司 (東京都市大)
TitleFormation of Al2O3 Films by ALD Directly on Epitaxial Ge and Characterization
Author*Eriko Shigesawa, Masashi Fukumoto (Tokyo City Univ.), Ryotaro Matsuoka (Keio Univ.), Ryosuke Sano (Tokyo City Univ.), Kohei Itoh (Keio Univ.), Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 79 - 82

7-5 (時間: 12:00 - 12:20)
題名ECRプラズマ酸化によるALD high-k/GeOx/Ge界面の遅い準位起源
著者*柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一 (東大)
TitleSlow Trap Origins in GeOx/Ge MOS Interfaces with ALD High-k Layers and ECR Plasma Oxidation
Author*Mengnan Ke, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi (Univ. of Tokyo)
ページpp. 83 - 86


セッション 8  パワーデバイス
日時: 2018年1月20日(土) 13:40 - 15:10

8-1 (時間: 13:40 - 14:10)
題名(招待講演) Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発
著者*施 泓安 (パナソニック)
Title(Invited Speech) Recent Advances in GaN MIS-HFETs on Si Substrate
Author*Hongan Shih (Panasonic)
ページpp. 87 - 90

8-2 (時間: 14:10 - 14:30)
題名ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減
著者*田岡 紀之 (産総研GaN-OIL), 小林 貴之, 中村 昌幸, 佐川 達郎 (サムコ), グェン スァンチュン, 大田 晃生 (名大), 山田 永, 高橋 言緒 (産総研GaN-OIL), 池田 弥央, 牧原 克典 (名大), 久保 俊晴 (名工大), 山田 寿一 (産総研GaN-OIL), 江川 孝志 (名工大), 宮崎 誠一 (名大), 本山 愼一 (サムコ), 清水 三聡 (産総研GaN-OIL)
TitleReduction of Interface Trap Density near the Conduction Band Edge at ALD-Al2O3/GaN Interface
Author*Noriyuki Taoka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Takayuki Kobayashi, Masayuki Nakamura, Tatsurou Sagawa (Samco), Xuan Truyen Nguyen, Akio Ohta (Nagoya Univ.), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara (Nagoya Univ.), Toshiharu Kubo (Nagoya Inst. of Tech.), Toshikazu Yamada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Takashi Egawa (Nagoya Inst. of Tech.), Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.), Shinichi Motoyama (Samco), Mitsuaki Shimizu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL))
ページpp. 91 - 94

服部賞 口頭講演
8-3 (時間: 14:30 - 14:50)
題名プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性
著者*山本 泰史 (名大/産総研GaN-OIL), 田岡 紀之 (産総研GaN-OIL), 大田 晃生 (名大), グェン スァンチュン (名大/産総研GaN-OIL), 山田 永, 高橋 言緒 (産総研GaN-OIL), 池田 弥央, 牧原 克典 (名大), 清水 三聡 (産総研GaN-OIL), 宮崎 誠一 (名大)
TitleEnergy Band Diagram and Electrical Interface Properties at Thin Ga-oxide/GaN Interface Formed by Plasma Oxidation
Author*Taishi Yamamoto (Nagoya Univ./National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Noriyuki Taoka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Akio Ohta (Nagoya Univ.), Xuan Truyen Nguyen (Nagoya Univ./National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Hisashi Yamada, Tokio Takahashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara (Nagoya Univ.), Mitsuaki Shimizu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (GaN-OIL)), Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 95 - 98

8-4 (時間: 14:50 - 15:10)
題名単結晶Ga2O3/多結晶SiC貼り合わせ基板のヘテロ界面電気抵抗評価
著者*林 家弘 (NICT), 八田 直記 (サイコックス), 小西 敬太 (農工大), 渡辺 信也, 倉又 朗人 (タムラ製作所), 八木 邦明 (サイコックス), 東脇 正高 (NICT)
TitleCharacterization of Heterointerface Electrical Resistance of Single-Crystal Ga2O3/Poly-Crystal SiC Bonding Substrates
Author*Chia-Hung Lin (NICT), Naoki Hatta (SICOXS), Keita Konishi (Tokyo Univ. of Agri. and Tech.), Shinya Watanabe, Akito Kuramata (Tamura), Kuniaki Yagi (SICOXS), Masataka Higashiwaki (NICT)
ページpp. 99 - 102


セッション 9  評価2
日時: 2018年1月20日(土) 15:40 - 16:40

9-1 (時間: 15:40 - 16:00)
題名GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明
著者大美賀 圭一 (東北大), 舘野 泰範 (住友電気工業), 永村 直佳 (NIMS), 河内 剛志, 八重樫 誠司 (住友電気工業), 駒谷 務 (住友電工デバイス・イノベーション), 今野 隼, 高橋 良暢, 小嗣 真人 (東京理科大), 堀場 弘司 (高エネルギー加速器研究機構), 尾嶋 正治 (東大), 末光 眞希, *吹留 博一 (東北大)
TitleQuantitative Elucidation of Surface States of GaN-HEMT by Using Spectromicroscopy
AuthorKeiichi Omika (Tohoku Univ.), Yasunori Tateno (Sumitomo Electric Industries), Naoka Nagamura (NIMS), Tsuyoshi Kouchi, Seiji Yaegashi (Sumitomo Electric Industries), Tsutomu Komatani (Sumitomo Electric Industries Device Innovations), Shun Konno, Yoshinobu Takahashi, Masato Kotsugi (Tokyo Univ. of Science), Koji Horiba (KEK), Masaharu Oshima (Univ. of Tokyo), Maki Suemitsu, *Hirokazu Fukidome (Tohoku Univ.)
ページpp. 103 - 106

9-2 (時間: 16:00 - 16:20)
題名シリコンキャップアニール処理したn型4H-SiC表面の電子状態評価
著者*花房 宏明, 東堂 大地, 東 清一郎 (広島大)
TitleElectronic State Estimation of Silicon-cap-annealed n-Type 4H-SiC Surface
Author*Hiroaki Hanafusa, Daichi Todo, Seiichiro Higashi (Hiroshima Univ.)
ページpp. 107 - 110

9-3 (時間: 16:20 - 16:40)
題名Sb添加高Sn濃度MOCVD-GeSn薄膜の硬X線光電子分光法(HAXPES)による化学結合状態解析
著者*臼田 宏治, 吉木 昌彦 (東芝), 須田 耕平, 小椋 厚志 (明大), 富田 充裕 (東芝)
TitleAnalysis of Chemical States in Sb Doped High Sn Concentration GeSn Thin Film Grown by MOCVD by HAXPES Method
Author*Koji Usuda, Masahiko Yoshiki (TOSHIBA/Corporate R&D Center), Kohei Suda, Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Mitsuhiro Tomita (TOSHIBA/Corporate R&D Center)
ページpp. 111 - 114



2018年1月19日(金)

セッション P  ポスターセッション
日時: 2018年1月19日(金) 20:00 - 22:00

P-1
題名金属/絶縁体界面における金属原子侵入の電場による加速; 第一原理計算による基板依存性の検討
著者*長澤 立樹, 浅山 佳大, 中山 隆史 (千葉大)
TitleElectric-field Induced Acceleration of Metal-atom Penetration at Metal/Insulator Interfaces; First Principles Study on Substrate Dependence
Author*Riki Nagasawa, Yoshihiro Asayama, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 115 - 118

P-2
題名第一原理計算に基づくSiO2中の金属ナノドットの構造・荷電安定性の理論検討
著者*山 翔太, 中山 隆史 (千葉大)
TitleTheoretical Study on Structure and Charging Degradation of Metal Nanodots in SiO2 Based on First Principles Calculations
Author*Shota Yamazaki, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 119 - 122

P-3
題名AlN熱伝導膜の熱伝導率向上によるSiナノワイヤ熱電発電デバイスの出力向上
著者*ジャン テンゾウ, 大和 亮, 橋本 修一郎, 大場 俊輔, 姫田 悠矢 (早大), 横川 凌 (明大), 徐 一斌 (NIMS), 松川 貴 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitlePower Enhancement of a Si-nanowire Thermoelectric Generator Owing to the Improved Thermal Conductivity of AlN Thermally Conductive Film
Author*Tianzhuo Zhan, Ryo Yamato, Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda (Waseda Univ.), Ryo Yokogawa (Meiji Univ.), Yibin Xu (NIMS), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 123 - 126

P-4
題名p型シリコンナノワイヤを用いた熱電発電デバイスの短チャネル効果
著者*熊田 剛大, 橋本 修一郎, 大場 俊輔, 姫田 悠矢, 大和 亮, 徐 茂, 武澤 宏樹, 目 航平, 天卓 (早大), 松川 貴 (産総研), 渡邉 孝信 (早大)
TitleShort Channel Effect of p-type Silicon Nanowire Thermoelectric Generator
Author*Takehiro Kumada, Shuichiro Hashimoto, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Tianzhuo Zhan (Waseda Univ.), Takashi Matsukawa (AIST), Takanobu Watanabe (Waseda Univ.)
ページpp. 127 - 130

P-5
題名Geデバイスに向けた熱輸送特性の評価
著者*中島 佑太 (東京理科大), 内田 紀行 (産総研), 町田 龍人, 藤代 博記 (東京理科大), 服部 淳一, 福田 浩一, 前田 辰郎 (産総研)
TitleThermal Transport Characterization in Ge Devices
Author*Yuta Nakajima (Tokyo Univ. of Science), Noriyuki Uchida (AIST), Ryuto Machida, Hiroki Fujishiro (Tokyo Univ. of Science), Junichi Hattori, Koichi Fukuda, Tatsurou Maeda (AIST)
ページpp. 131 - 134

P-6
題名TiN/Ge(001)界面におけるショットキーバリアの第一原理計算による検討
著者*西本 俊輝, 中山 隆史 (千葉大)
TitleFirst-principles Study on Schottky Barrier at TiN/Ge(001) Interfaces
Author*Toshiki Nishimoto, Takashi Nakayama (Chiba Univ.)
ページpp. 135 - 138

P-7
題名Cイオン注入に伴いGe中に形成される結晶欠陥の電気的特性
著者*中島 啓佑, 竹内 和歌奈, 坂下 満男, 中塚 理, 財満 鎭明 (名大)
TitleElectrical Characterization of Crystal Defects Formed by C Ion Implantation in Ge
Author*Keisuke Nakashima, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima (Nagoya Univ.)
ページpp. 139 - 142

P-8
題名エキシマレーザーによるGe中のAsの高効率活性化及びX線光電子分光法を用いた化学状態評価
著者*村上 秀樹 (久留米高専), 浜田 慎也, 東 清一郎 (広島大), 諏訪 輝 (ギガフォトン/九大), 池上 浩 (九大)
TitleEfficient Activation of As+ Ion Implanted into Ge by Excimer Laser Irradiation and Characterization of the Chemical Bonding Feature Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
Author*Hideki Murakami (National Inst. of Tech., Kurume College), Shinya Hamada, Seiichiro Higashi (Hiroshima Univ.), Akira Suwa (Gigaphoton/Kyushu Univ.), Hiroshi Ikenoue (Kyushu Univ.)
ページpp. 143 - 146

P-9
題名Ge 2p及びGe 3d内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える効果
著者*佐野 良介, 此島 志織, 澤野 憲太郎, 野平 博司 (東京都市大)
TitleEffect of Strain on the Binding Energy of Ge 2p and 3d Core Level
Author*Ryousuke Sano, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 147 - 150

P-10
題名石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用
著者*細井 卓治, 岡 博史, 井上 慶太郎, 志村 考功, 渡部 平司 (阪大)
TitleSingle-Crystalline GeSn Formation on Quartz Substrate and Its Optoelectronic Applications
Author*Takuji Hosoi, Hiroshi Oka, Keitaro Inoue, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe (Osaka Univ.)
ページpp. 151 - 154

P-11
題名二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成
著者*伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleUltrathin Ge Growth on Ag Toward Creation of Ge 2D Crystal
Author*Koichi Ito, Akio Ohta, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 155 - 158

P-12
題名プラズマ酸化を援用して形成した低欠陥密度グラフェンの構造評価とその起源
著者*南 映希, 伊藤 亮太, 細尾 幸平, 佐野 泰久, 川合 健太郎, 有馬 健太 (阪大)
TitleOrigin of Graphene Formation with Low Density of Defects Assisted by Plasma Oxidation
Author*Ouki Minami, Ryota Ito, Kohei Hosoo, Yasuhisa Sano, Kentaro Kawai, Kenta Arima (Osaka Univ.)
ページpp. 159 - 162

P-13
題名Si放出モデルに基づくV-MOSFET製造の設計指針
著者*名倉 拓哉, 長川 健太, 白川 裕規 (名大), 洗平 昌晃 (名大/JST-ACCEL), 影島 博之 (島根大/JST-ACCEL), 遠藤 哲郎 (東北大/JST-ACCEL), 白石 賢二 (名大/JST-ACCEL)
TitleGuiding Principles for the Fabrication of V-MOSFETs Based on a Si Emission Model
Author*Takuya Nagura, Kenta Chokawa, Hiroki Shirakawa (Nagoya Univ.), Masaaki Araidai (Nagoya Univ./JST-ACCEL), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ./JST-ACCEL), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ./JST-ACCEL), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./JST-ACCEL)
ページpp. 163 - 166

P-14
題名不純物を含むSiO2を用いた抵抗変化メモリに関する研究
著者*水谷 一翔, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之 (東工大)
TitleA Study on Resistive Switching of SiO2 with Impurities
Author*Kazuto Mizutani, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 167 - 169

安田賞 ポスター講演
P-15
題名熱処理によるSiN膜中捕獲電荷の分布変化
著者*小澤 航大, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleCharge Distribution in SiN Changed by Annealing
Author*Koudai Ozawa, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 171 - 174

P-16
題名αクオーツ中のカリウムイオン原子の化学的挙動
著者*宮島 岳史, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二 (名大)
TitleChemical Behavior of Potassium Atom in Alpha-Quartz
Author*Takeshi Miyajima, Hiroki Shirakawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi (Nagoya Univ.)
ページpp. 175 - 178

P-17
題名量子電気伝導現象における抵抗の起源とテンション密度の関係
著者*築島 千馬, 瀬波 大土 (京大)
TitleRelation between Tension Density and the Origin of Electric Resistance in Quantum Conduction Phenomena
Author*Kazuma Tsukishima, Masato Senami (Kyoto Univ.)
ページpp. 179 - 182

P-18
題名表面プラズモン共鳴を用いたカラーフィルタの開発
著者*池田 直樹, 大井 暁彦, 生田目 俊秀 (NIMS)
TitleDevelopment of Color Filter with Surface Plasmon Resonance
Author*Naoki Ikeda, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame (NIMS)
ページpp. 183 - 185

P-19
題名GaNエピタキシャル基板のための反応性スパッタ法によるAlNバッファー層作成条件の検討
著者*立島 滉大 (明大/NIMS), 長田 貴弘 (NIMS), 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂 (コメット), 小椋 厚志 (明大), 知京 豊裕 (NIMS)
TitleGrowth Condition Optimization of AlN Buffer Layer Deposited by Reactive Sputtering for GaN Epitaxial Substrate
Author*Kouta Tatejima (Meiji Univ./NIMS MANA), Takahiro Nagata (NIMS, MANA), Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki (COMET), Atsushi Ogura (Meiji Univ.), Toyohiro Chikyow (NIMS, MANA)
ページpp. 187 - 190

P-20
題名TEOS-CVD-SiO2 / SiC の界面特性の評価
著者*川村 浩晃, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEvaluation of Interface Properties of TEOS - CVD - SiO2 / SiC
Author*Hiroaki Kawamura, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 191 - 194

P-21
題名SiC C面上にwet及びdry酸化過程で形成したSiO2膜界面欠陥の比較
著者*飯塚 望, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleComparison of Interface Defects of SiO2 Films Formed by Wet and Dry Oxidation Process on SiC (000-1)
Author*Nozomu Iitsuka, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 195 - 198

P-22
TitleDifference of NIT Density Distribution in 4H-SiC MOS Interfaces for Si- and C-faces
Author*Xufang Zhang, Dai Okamoto (Univ. of Tsukuba), Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada (AIST), Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 199 - 202

P-23
題名角度分解X線光電子分光法によるsoft-ICPエッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響の評価
著者*滝沢 耕平 (東京都市大), 加藤 有香子, 牧野 俊晴, 山崎 聡 (産総研), 野平 博司 (東京都市大)
TitleEvaluation of the Effect of Soft-ICP Etching Process on Diamond Semiconductor Surface by AR-XPS
Author*Kohei Takizawa (Tokyo City Univ.), Yukako Kato, Toshiharu Makino, Satoshi Yamasaki (AIST), Hiroshi Nohira (Tokyo City Univ.)
ページpp. 203 - 206

P-24
題名Al2O3/Siスタック構造における極薄Al2O3膜およびAl2O3/Si界面の評価
著者*小川 慎吾, 棚橋 優策, 関 洋文 (東レ)
TitleInvestigation of Ultrathin Al2O3 Films and Al2O3/Si Interfaces in Al2O3/Si Stacks
Author*Shingo Ogawa, Yusaku Tanahashi, Hirofumi Seki (Toray Research Center)
ページpp. 207 - 210

P-25
題名SiO2/CeOx/SiO2積層構造の充放電特性評価
著者*高久 淑考, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之 (東工大)
TitleCharge and Discharge Characteristics of SiO2/CeOx/SiO2 laminated Structure
Author*Yoshitaka Takaku, Takuya Hoshii, Iriya Muneta, Hitoshi Wkabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima (Tokyo Inst. of Tech.)
ページpp. 211 - 213

服部賞 ポスター講演
P-26
題名XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価
著者*藤村 信幸, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一 (名大)
TitleCharacterization of Electronic States and Chemical Bonding Features of Ultrathin High-k Dielectrics/SiO2 Gate Stack by XPS
Author*Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki (Nagoya Univ.)
ページpp. 215 - 218

P-27
題名シリコン酸化膜の動特性の酸素濃度依存性
著者*矢島 雄司 (島根大), 白石 賢二 (名大/JST-ACCEL), 遠藤 哲郎 (東北大/JST-ACCEL), 影島 博之 (島根大/JST-ACCEL)
TitleOxygen Concentration Dependence of Silicon Oxide Dynamical Properties
Author*Yuji Yajima (Shimane Univ.), Kenji Shiraishi (Nagoya Univ./JST-ACCEL), Tetsuo Endoh (Tohoku Univ./JST-ACCEL), Hiroyuki Kageshima (Shimane Univ./JST-ACCEL)
ページpp. 219 - 222

P-28
題名HF溶液中でのC-V測定によるSiO2中電荷密度の深さ方向分布評価
著者*中澤 優斗, 蓮沼 隆 (筑波大)
TitleEvaluation of Depthprofile of Charge Distribution in SiO2 by C-V Measurement in HF Solution
Author*Yuto Nakazawa, Ryu Hasunuma (Univ. of Tsukuba)
ページpp. 223 - 226